云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- ECR-PECVD

ECR-PECVD: 作品数：25被引量：61H指数：5; 导出分析报告; 相关领域：电子电信理学更多>>; 相关作者：吴爱民任兆杏陈俊芳冯庆浩秦福文更多>>; 相关机构：大连理工大学中国科学院等离子体物理研究所华南师范大学中国科学院金属研究所更多>>; 相关期刊：《半导体技术》《Chinese Physics B》《电子学报》《半导体光电》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金教育部留学回国人员科研启动基金广东省自然科学基金广东省重点科技攻关项目更多>>

Opto-Structural Properties of Silicon Nitride Thin Films Deposited by ECR-PECVD被引量：1: 《World Journal of Condensed Matter Physics》2016年第1期7-16,共10页Hicham Charifi Abdelilah Slaoui Jean Paul Stoquert Hassan Chaib Abdelkrim Hannour; Amorphous hydrogenated silicon nitride thin films a-SiN_x:H (abbreviated later by SiN_x) were deposited by Electron Cyclotron Resonance plasma enhanced chemical vapor deposition method (ECR-PECVD)....; 关键词：ECR-PECVD Silicon Nitride

Ar流量对ECR-PECVD制备氢化纳米晶硅薄膜结构及性能影响研究: 《人工晶体学报》2013年第9期1750-1756,共7页张学宇吴化刘耀东吴爱民; 长春工业大学科学研究发展基金(LG11);吉林省科技发展计划项目(20110346); 采用电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积(ECR-PECVD)设备制备了氢化纳米晶硅薄膜。通过Raman光谱、XRD和紫外-可见分光光度计的测试分析,研究了Ar/H2对薄膜组织结构和光学性能的影响,并对沉积腔室的等离子体环境进行了系统的诊断。...; 关键词：nc-Si∶H Ar/H2 等离子体诊断 ECR-PECVD

放电气体对ECR-PECVD法制备微晶硅薄膜的影响: 《材料研究学报》2013年第3期307-311,共5页程华钱永产薛军吴爱民石南林; 用电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积(ECR-PECVD)法制备微晶硅薄膜,研究了放电气体对薄膜沉积速率、薄膜中H含量、择优取向和结晶度的影响。结果表明,以Ar作为放电气体时薄膜沉积速率比以H2作为放电气体时高1.5—2倍,但是薄膜的结...; 关键词：材料合成与加工工艺微晶硅薄膜 ECR-PECVD 放电气体

ECR-PECVD制备纳米硅颗粒薄膜被引量：1: 《哈尔滨工程大学学报》2011年第6期830-834,共5页胡娟吴爱民岳红云张学宇秦福文闻立时; 教育部留学回国人员科研启动基金资助项目(200611AA03);辽宁省原材料特种制备技术重点实验室青年教师培养基金资助项目(2005100A05);中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(DUT10JN08);辽宁省教育厅高等学校科技研究资助项目; 为消除紫外线对硅基薄膜太阳能电池的热损害,并进一步提高电池转换效率,提出在硅基薄膜太阳能电池顶部低温下制备一薄层纳米硅薄膜.在P型（100）硅片上采用电子回旋共振微波等离子体增强化学气相沉积（ECR-PECVD）技术交替沉积SiO2/Si/S...; 关键词：ECR-PECVD 太阳能电池薄膜纳米硅

用等离子体增强化学气相沉积制备微晶硅薄膜被引量：3: 《材料研究学报》2010年第5期547-549,共3页程华张昕张广城刘汝宏吴爱民石南林; 以Ar+SiH_4作为反应气体,用电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR PECVD)方法制备微晶硅薄膜,研究了微波功率对薄膜中H含量、薄膜的沉积速率、择优取向和结晶度的影响。结果表明,在300℃制备低温微晶硅薄膜,随着微波功率的增大,薄膜的...; 关键词：材料合成与加工工艺微晶硅薄膜 Ar稀释SiH_4 ECR-PECVD 微波功率

ECR-PECVD制备n型微晶硅薄膜的研究被引量：1: 《人工晶体学报》2010年第4期852-856,共5页张学宇吴爱民冯煜东胡娟岳红云闻立时; 教育部留学回国人员科研启动基金(200611AA03);辽宁省原材料特种制备技术重点实验室基金(2005100A05);辽宁省教育厅高等学校科技研究项目资助;中央高校基本科研业务费专项资金资助(No.DUT10JN08); 用电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积(ECR-PECVD)的方法制备了磷掺杂微晶硅薄膜材料。通过Hall,Raman光谱和XRD的测试分析,研究了衬底温度和磷烷流量对掺杂薄膜组织结构和电学性能的影响。根据AFM照片分析了薄膜的表面形貌,进而推...; 关键词：ECR-PECVD 磷掺杂微晶硅薄膜霍尔测量

Effects of Substrate Temperature on the Growth of Polycrystalline Si Films Deposited with SiH_4+Ar: 《Journal of Materials Science & Technology》2009年第4期489-491,共3页Hua Cheng Aimin Wu Jinquan Xiao Nanlin Shi Lishi Wen; Polycrystalline silicon （poly-Si） films were deposited using Ar diluted SiH4 gaseous mixture by electron cyclotron resonance plasma-enhanced chemical vapor deposition （ECR-PECVD）. The effects of the substrate temp...; 关键词：Poly-Si films ECR-PECVD Substrate temperature Ar-dilution

Fabrication and its characteristics of low-temperature polycrystalline silicon thin films被引量：5: 《Science China(Technological Sciences)》2009年第1期260-263,共4页LASSAUT J; Supported by the Scientific Research Foundation for the Returned Overseas Chinese Scholars of State Education Ministry; In order to reduce the cost of solar cells or flat-panel display, it is very important to synthesis polycrystalline silicon films on low cost substrate such as glass at low temperature. In this work, electron cyclotro...; 关键词：ECR-PECVD POLY silicon low temperature GLASS SUBSTRATE

Effect of Ar on Polycrystalline Si Films Deposited by ECR-PECVD using SiH_4: 《Journal of Materials Science & Technology》2008年第5期690-692,共3页Hua CHENG Aimin WU Nanlin SHI Lishi WEN; In this paper, polycrystalline silicon films were deposited by electron cyclotron resonance plasma-enhanced chemical vapor deposition （ECR-PECVD） using SiH4/Ar and SiH4/H2 gaseous mixture. Effects of argon flow rate...; 关键词：Ar flow rate ECR-PECVD POLY-SI Thin Films

用ECR-PECVD低温沉积多晶硅薄膜: 《半导体光电》2006年第4期412-415,共4页王艳艳秦福文吴爱民冯庆浩; 在自行设计研制的先进的电子回旋共振(ECR)等离子体增强化学气相沉(PECVD)装置上,采用ECR-PECVD可控活化低温外延技术,以SiH4+H2为气源,硅和普通玻璃为衬底,低温(小于等于550℃)制备多晶硅(poly-Si)薄膜。利用反射高能电子衍射、透射电...; 关键词：ECR-PECVD 多晶硅薄膜反射高能电子衍射透射电子显微镜原子力显微镜

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