反射高能电子衍射

作品数：33被引量：44H指数：4
导出分析报告
相关领域：电子电信理学更多>>
相关作者：秦福文张鹰魏贤华徐彭寿李言荣更多>>
相关机构：电子科技大学大连理工大学南京大学中国科学技术大学更多>>
相关期刊：《低温物理学报》《半导体光电》《神州学人》《半导体技术》更多>>
相关基金：国家自然科学基金中国科学院知识创新工程国家高技术研究发展计划贵州省优秀科技教育人才省长资金项目更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
反射高能电子衍射优化GaSb薄膜生长的工艺研究被引量：1
《激光与光电子学进展》2020年第23期255-261,共7页房丹 张强 李含 谷开慧 
吉林省科技厅项目(20200301052RQ)。
在利用分子束外延(MBE)技术生长GaSb薄膜材料过程中,利用反射高能电子衍射仪(RHEED)实现了GaSb薄膜制备的实时监控。利用RHEED衍射振荡图样,对衬底表面的脱氧化层和生长过程进行分析和研究,得到了生长参数与衍射图样变化之间的关系,确...
关键词：薄膜 反射高能电子衍射 GASB 分子束外延 生长速率 
MgO(111)上ZnO薄膜的外延生长及其结构和光学特性
《材料科学》2013年第3期116-120,共5页杜达敏 王惠琼 周华 李亚平 黄巍 徐建芳 蔡加法 崔琳哲 张纯淼 陈晓航 詹华翰 康俊勇 
国家自然科学基金(编号:11204253)教育部博士点基金(编号:20100121120026);福建省自然科学基金(编号:2010J05138).
由于ZnO在光电器件的应用前景,其高质量薄膜的制备是研究热点之一。本文通过分子束外延生长法在MgO(111)单晶衬底上生长ZnO薄膜,表征了其结构和特性,探讨了不同生长条件对薄膜质量的影响。结果表明,先低温生长ZnO缓冲层,再高温生长ZnO薄...
关键词：分子束外延 反射高能电子衍射 透射谱 缓冲层 位错密度 
InAs薄膜的分子束外延生长与表面形貌及表面重构分析被引量：2
《材料导报》2013年第4期90-92,共3页王继红 罗子江 周勋 张毕禅 郭祥 丁召 
国家自然科学基金(60866001);贵州省优秀科技教育人才省长专项基金(黔省专合字(2009)114号);2010年度贵州财经学院博士基金;贵州省科学技术基金(黔科合J字[2011]2095号);贵州大学青年教师科研基金([2012]001号)
利用带有反射高能电子衍射(RHEED)仪的分子束外延(MBE)方法,通过RHEED图像演变实时监控薄膜生长状况,采用RHEED强度振荡测量薄膜生长速率,在InAs(001)基片上同质外延InAs薄膜。利用扫描隧道显微镜(STM)对MBE生长的InAs薄膜表面形貌以及...
关键词：InAs薄膜 分子束外延 反射高能电子衍射 扫描隧道显微镜 表面重构 
Fe3O4/MgO(100)薄膜外场诱导电阻变化特性被引量：1
《强激光与粒子束》2012年第8期1841-1845,共5页曹林洪 吴卫东 唐永建 王雪敏 
等离子体物理国家级重点实验室基金项目(9140C680240903)
采用激光分子束外延(L-MBE)方法,以MgO(100)为基底生长了Fe3O4单晶薄膜,研究了Fe3O4/MgO(100)薄膜外场(温度、磁和激光场)诱导电阻变化特性。X射线衍射(XRD)分析表明Fe3O4薄膜是沿MgO(200)晶面外延生长的单晶薄膜;反射高能电子衍射(RHE...
关键词：Fe3O4薄膜 反射高能电子衍射 磁电阻 激光诱导电阻 
温度对p-InN薄膜光电导灵敏度的影响
《发光学报》2012年第7期785-789,共5页冯丽 
研究了p型InN的光电导效应。利用分子束外延技术(MBE)法生长出高质量的InN薄膜,在此基础上利用Mg掺杂获得了p-InN。原位反射高能电子衍射(RHEED)表明样品在生长过程中保持二维生长模式,原子力显微镜(AFM)测试结果显示台阶流的生长模式...
关键词：分子束外延 原位反射高能电子衍射 Mg掺杂p-InN 光电导灵敏度 
Room Temperature Ferrimagnetismin Strained Mn2-xCrxAs Films
《材料科学与工程（中英文B版）》2011年第7期855-860,共6页Younghun Hwang Jeongyong Choi Sunglae Cho 
关键词：电影 反射高能电子衍射 分子束外延生长 锰 温度 房间 晶体结构 X射线衍射 
氢等离子体处理SiC表面技术的研究
《半导体技术》2010年第11期1087-1090,共4页陈素华 张春丽 
对SiC表面进行传统湿法清洗之后,采用电子回旋共振(ECR)氢等离子体系统在200℃低温条件下对SiC表面进行了氢等离子体处理,对处理前后的SiC样品表面分别做了反射高能电子衍射(RHEED)分析和X射线光电子能谱(XPS)分析。通过RHEED分析发现,...
关键词：碳化硅 氢等离子体 反射高能电子衍射 X射线光电子能谱 电子回旋共振 
MgO/SrTiO_3(001)生长初期的各向异性晶格畸变
《真空科学与技术学报》2010年第5期484-487,共4页魏贤华 崔传伟 张鹰 朱俊 
通过原位的反射高能电子衍射,监测并测量了MgO/SrTiO3(001)岛状生长初期过程中的面内、面外晶格常数的演变。薄膜的面内晶格在一开始生长时就发生弛豫,且大多数应变在2 nm厚度左右被释放并几乎保持稳定,而面外的晶格应变弛豫一直持续进...
关键词：反射高能电子衍射 晶格 各向异性 应变 织构 
不同衬底温度下预沉积Ge对SiC薄膜生长的影响被引量：5
《真空科学与技术学报》2009年第4期423-426,共4页刘忠良 唐军 任鹏 刘科 徐彭寿 潘国强 
国家自然科学基金(No.50572100)
分别在未沉积Ge和不同衬底温度(300、500、700℃)沉积Ge条件下,利用固源分子束外延(SSMBE)技术在Si衬底上外延SiC薄膜。通过反射式高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和傅里叶变换红外光谱(FTIR)等仪器对样品进行...
关键词：锗 碳化硅 反射高能电子衍射 固源分子束外延 预沉积温度 
双轴织构氧化铈薄膜的反射高能电子衍射分析
《硅酸盐学报》2008年第12期1749-1752,共4页魏贤华 熊杰 接文静 
为了制备高温超导带材,采用直流反应磁控溅射在Ni-5%(摩尔分数)W衬底上制备双轴织构的CeO2薄膜用作缓冲层。通过反射高能电子衍射仪观察分析了双轴织构CeO2的衍射谱。选取某一衍射点,提取其衍射强度相对直入点的弧度分布,拟合半高宽得...
关键词：超导带材 缓冲层 织构 反射高能电子衍射 
全选清除导出
共4页<1234>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部