分子束外延生长

作品数：212被引量：199H指数：5
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锑化物半导体材料及其分子束外延生长研究进展
《半导体技术》2025年第3期229-240,共12页胡德鹏 王红真 路云峰 贺训军 
国家自然科学基金(62075052)。
锑化物半导体的带隙能量覆盖了整个红外区域,为开展材料的能带工程提供了很大的自由度和灵活性。分子束外延(MBE)是一种在超高真空环境下能够高度可控地生长高纯化合物薄膜材料的技术,在III-V族化合物半导体尤其是锑化物半导体材料生长...
关键词：锑化物 半导体 分子束外延(MBE) 能带结构 生长工艺 
基于数值稳定型神经网络的Villain-Lai-Das Sarma方程的动力学标度行为研究
《物理学报》2024年第16期28-35,共8页宋天舒 夏辉 
中央高校基本科研业务费专项资金(批准号:2024QN11021)资助的课题.
Villain-Lai-Das Sarma(VLDS)方程因其能够有效描述分子束外延生长过程而在表面生长动力学等领域中备受关注.然而,长程关联噪声驱动下的VLDS方程的标度结果尚不明确,不同解析近似方法所得的标度结果仍不自洽.在数值模拟方面,由于非线性...
关键词：神经网络 分子束外延生长 Villain-Lai-Das Sarma方程 动力学标度 
基于界面效应的二维拓扑量子材料外延生长与调控研究进展
《中国基础科学》2024年第3期37-43,F0003,共8页张翼 
国家重点研发计划项目(2018YFA0306800)。
具有1T’结构相的单原胞层过渡金属硫族化合物是一类重要的二维拓扑量子材料,在拓扑量子计算和自旋电子学等领域有重要的应用前景。但是,大多数过渡金属硫族化合物的1T’结构相为非热力学稳定相,实验上获得其1T’结构相的单原胞层样品...
关键词：二维材料 拓扑绝缘体 分子束外延生长 界面效应 
Ga_(x)N_(2)∶Zn_(3-x)薄膜的分子束外延生长及其光学和电子输运性能表征
《原子与分子物理学报》2023年第6期67-72,共6页吴鹏 
本文采用分子束外延技术,通过对金属分子束的精确控制,在MgO(002)基底上成功生长了Ga_(x)N_(2)∶Zn_(3-x)合金薄膜.高分辨率单晶X光衍射仪表征结果表明Ga_(x)N_(2)∶Zn_(3-x)合金薄膜仍是以(400)Zn_(3)N_(2)为主导的复合晶体结构,对衍...
关键词：分子束外延 Ga_(x)N_(2)∶Zn_(3-x)薄膜 光学带隙 电子输运性质 
半导体单量子点的分子束外延生长及调控被引量：1
《人工晶体学报》2023年第6期982-996,共15页宋长坤 黄晓莹 陈英鑫 喻颖 余思远 
国家重点研发计划(2018YFA0306100);广州市科技项目(201805010004);国家自然科学基金(11874437,11704424);广东省自然科学基金(2018B030311027,2017A030310004,2016A030310216)。
Ⅲ-Ⅴ化合物半导体外延单量子点具有类原子的分立能级结构,能够按需产生单光子和纠缠多光子态,而且可以直接与成熟的集成光子技术结合,因此被认为是制备高品质固态量子光源、构建可扩展性量子网络最有潜力的固态量子体系之一。本综述的...
关键词：单量子点 分子束外延 生长调控 S-K模式 液滴刻蚀 单光子源 纠缠光源 
金属调制分子束外延生长氮化铝薄膜被引量：1
《人工晶体学报》2023年第5期878-885,共8页刘欢 邵鹏飞 陈松林 周辉 李思琦 陶涛 谢自力 刘斌 陈敦军 郑有炓 张荣 王科 
国家自然科学基金(61974065);国家重点研发计划(2022YFB3605602);江苏省重点研发计划(BE2020004-3,BE2021026);江苏省特聘教授项目。
本文利用等离子体辅助分子束外延(PA-MBE)系统,对常规连续外延生长和金属调制外延(MME)生长AlN薄膜进行研究。研究发现:常规连续外延方法生长模式不易控制,容易出现过度富Al和富N模式生长,而且微富Al模式生长还会出现一些凹坑,表面形貌...
关键词：金属调制 分子束外延 外延生长 氮化铝 粗糙度 
3D狄拉克半金属(Cd_(1-x)Zn_(x))_(3)As_(2)/Sb_(2)Se_(3)背对背异质结用于超高信噪比的高速宽光谱光电探测器
《Science China Materials》2023年第4期1484-1493,共10页张兴超 杨运坤 周泓希 刘贤超 潘锐 于贺 苟君 吴志明 巫江 修发贤 施毅 王军 
supported by the National Natural Science Foundation of China(61922022,62104026,62175026,and 61875031)。
三维(3D)狄拉克半金属因其独特的拓扑能带结构及优异的光电性能在中/远红外波段的宽光谱光电探测领域具有巨大的应用潜力.然而,由于较大的暗电流,构建具有高信噪比(SNR)的3D狄拉克半金属宽光谱光电探测器仍面临很大挑战.本工作基于分子...
关键词：光电探测器 分子束外延生长 远红外波段 光电子器件 异质结 暗电流 狄拉克 半金属 
锗锡薄膜的分子束外延生长及退火研究被引量：1
《厦门大学学报（自然科学版）》2023年第2期243-253,共11页林光杨 钱坤 蔡宏杰 汪建元 徐剑芳 陈松岩 李成 
国家重点研发计划(2018YFB2200103);国家自然科学基金(62074134,62104205)。
无应变锗锡(GeSn)合金在Sn的摩尔组分高于8%时能够转变为直接带隙材料,适合于制备硅基光电子器件.分子束外延(MBE)在高纯度GeSn制备、Sn组分和异质界面的精确调控上具有巨大的优势.然而,由于Sn在Ge中的固溶度低(<1%)、Ge与α-Sn晶格失配...
关键词：锗锡 分子束外延 非晶化 应变弛豫 临界层厚度 退火 光致发光 
InAs/GaAs自组织量子点的可控分子束外延生长及其新型光电器件研究
《真空科学与技术学报》2023年第3期210-218,共9页陈英鑫 黄晓莹 杨灼辉 钟汉城 宋长坤 刘林 喻颖 余思远 
国家重点研发计划项目(2018YFA0306100,2018YFB2200201);国家自然基金重点项目(62135012);国家自然基金面上项目(11704424);广州市科技专项项目(202103030001)。
半导体量子点因其具有类原子的分立能级结构,可在三维方向上对载流子运动进行束缚,因此被认为是光发射器件(激光器、量子光源等)极具前景的有源物质之一。其器件的性能强烈依赖于量子点材料的品质、光场与量子点偶极子场的有效相互作用...
关键词：半导体量子点 半导体激光器 量子光源 
二维铁电材料α-In_(2)Se_(3)表面分子束外延生长Pb纳米岛的STM研究
《低温物理学报》2022年第5期337-343,共7页刘姿 胡昕 夏玉敏 蔡德胜 秦胜勇 
国家重点基础研究发展计划(2017YFA0205004);国家自然科学基金资助项目(92165201,11634011);中央高校基本科研业务费专项资金(WK3430000003)资助的课题
铁电材料拥有自发电极化,不同的极化方向会对异质结的电子结构产生可逆的和非易失性的影响.本工作采用分子束外延技术在二维铁电材料α-In_(2)Se_(3)衬底上成功制备了Pb纳米岛构建Pb/α-In_(2)Se_(3)超导铁电异质结,并通过扫描隧道显微...
关键词：二维铁电 超导 扫描隧道显微镜 量子阱态 
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