云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 应变弛豫

应变弛豫: 作品数：31被引量：29H指数：3; 导出分析报告; 相关领域：电子电信理学更多>>; 相关作者：马通达谭伟石郑有炓张荣蔡宏灵更多>>; 相关机构：中国科学院南京大学南京理工大学北京有色金属研究总院更多>>; 相关期刊：《稀有金属》《发光学报》《物理学报》《人工晶体学报》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划浙江省自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>

锗锡薄膜的分子束外延生长及退火研究被引量：1: 《厦门大学学报（自然科学版）》2023年第2期243-253,共11页林光杨钱坤蔡宏杰汪建元徐剑芳陈松岩李成; 国家重点研发计划(2018YFB2200103);国家自然科学基金(62074134,62104205)。; 无应变锗锡(GeSn)合金在Sn的摩尔组分高于8%时能够转变为直接带隙材料,适合于制备硅基光电子器件.分子束外延(MBE)在高纯度GeSn制备、Sn组分和异质界面的精确调控上具有巨大的优势.然而,由于Sn在Ge中的固溶度低(<1%)、Ge与α-Sn晶格失配...; 关键词：锗锡分子束外延非晶化应变弛豫临界层厚度退火光致发光

一种基于蠕变应变弛豫的S30408深冷容器应变强化保载时间预测方法（英文）: 《Journal of Zhejiang University-Science A(Applied Physics & Engineering)》2017年第11期871-881,共11页Feng-qing XIAO Ying-zhe WU Jin-yang ZHENG Cun-jian MIAO Xiao-bo ZHU; Project supported by the National Key Research and Development Program of China(No.2016YFC0801905); 目的:奥氏体不锈钢(ASS)在深冷压力容器中应用广泛。ASS较高的应变硬化特性有助于其产生应变强化。在应变强化过程中,保载时间是影响材料最终变形量的关键参数。基于室温蠕变应变弛豫理论,本文旨在提出一种S30408深冷压力容器应变强化...; 关键词：应变强化室温蠕变奥氏体不锈钢深冷容器

Be掺杂对InGaAsN/GaAs量子阱性能的提高（英文）: 《发光学报》2017年第8期1056-1062,共7页霍大云石震武徐超邓长威陈晨陈林森王文新彭长四; Supported by National Natural Science Foundation of China(91323303,11504251);Priority Academic Program Development of Jiangsu Higher Education Institutions(PAPD);International Cooperation Project by MOST(2014DFG12600);Natural Science Research Project of Jiangsu Higher Education(13KJA510006);Research Plan of Graduate Students in Jiangsu Province(KYLX15_1252)~~; InGaAsN/GaAs量子阱中进行铍(Be)元素重掺杂能显著提高其光学性质,并且发光波长发生了红移。X射线衍射摇摆曲线清楚地证实了铍掺杂抑制了InGaAsN(Be)/GaAs量子阱在退火过程中的应力释放。对比退火前,退火后的没有进行铍掺杂的量子阱样...; 关键词：稀氮化物分子束外延量子阱应变弛豫 X射线衍射

近空间升华法制备CdZnTe外延厚膜及其性能研究: 《功能材料》2014年第10期72-75,共4页蔺云介万奇查钢强张昊周岩汤三奇李嘉伟; 国家自然科学基金资助项目(51202197);国家重点基础研究专项基金资助项目(2011CB610406); 采用近空间升华法在GaAs(100)衬底上外延生长CdZnTe单晶厚膜,用化学腐蚀的方法去除掉GaAs(100)衬底后,对CdZnTe外延膜上、下表面的形貌、成分、结构以及电学性能进行了表征分析。SEM和EDS的结果表明,CdZnTe外延膜表面平滑致密且膜中成...; 关键词：近空间升华法 CdZnTe外延厚膜 PL谱应变弛豫

低温AlN插入层的生长温度对AlGaN/GaN量子阱应力弛豫作用的影响被引量：1: 《人工晶体学报》2014年第8期1926-1932,共7页刘子超章海霞甄慧慧李明山尚林许并社; 山西省科技创新重点团队(2012041011); 利用高分辨X射线衍射仪(HRXRD)及原子力显微镜(AFM)研究了低温AlN插入层的生长温度对AlGaN/GaN量子阱应力弛豫作用的影响。结果表明,低温AlN插入层不同的生长温度会导致AlGaN/GaN量子阱不同的表面粗糙度及穿透位错密度,并且当生长温度达...; 关键词：AlN插入层生长温度 AlGaN/GaN量子阱应变弛豫

超薄全局应变硅薄膜的应变弛豫研究被引量：3: 《人工晶体学报》2013年第11期2396-2400,共5页刘旭焱崔明月海涛王爱华蒋华龙; 国家自然科学基金(61306007);河南省科技攻关重点项目(132102210048);南阳师范学院专项项目(ZX2012017); 采用Ge浓缩法制备了高质量超薄绝缘体上锗硅(SiGe-on-insulator,SGOI)材料,然后在SGOI上通过超高真空化学气象沉积(UHVCVD)法外延了厚度为15 nm的超薄全局应变硅单晶薄膜,使用电子束光刻和反应离子刻蚀在样品上制备了一组纳米级尺寸不...; 关键词：全局应变硅纳米图形应变弛豫拉曼光谱

超薄SGOI衬底上全局应变Si的制备和表征被引量：1: 《南阳师范学院学报》2013年第3期14-18,共5页刘旭焱王爱华蒋华龙濮春英姚文华崔本亮; 河南省自然科学基金项目(112300410121);南阳师院科研启动项目(ZX2012017;ZX2012018;ZX2012021); 应变Si是一种能在未来保持Si CMOS技术的发展继续遵循摩尔定律的新材料.本文结合SOI技术,利用改进型Ge浓缩技术制备了绝缘体上超薄的弛豫SiGe衬底,并使用超高真空化学气相沉积在较低温度下成功外延了厚度为25nm的应变Si单晶薄膜,扫描电...; 关键词：应变SI Ge浓缩应变弛豫

生长方向对量子点应变与应变弛豫的影响被引量：2: 《物理学报》2013年第5期481-486,共6页叶盈周旺民; 浙江省自然科学基金(批准号:Y6100440)资助的课题~~; 由于材料弹性的各向异性与表面能的各向异性,不同的生长方向或生长面,量子点有不同的力学性能与行为.本文基于各向异性弹性理论的有限元方法,以金字塔型自组织InAs/GaAs半导体量子点为研究对象,分别在7个常见的生长方向或生长面上,对其...; 关键词：量子点生长方向平衡形态应变弛豫

高能电子辐照诱导GaN异质结应变弛豫机制的研究被引量：1: 《稀有金属》2012年第3期450-454,共5页付雪涛马通达王书明张崇宏张丽卿王新强; 国家自然科学基金项目(50872013;10575124;10979063)资助; 利用能量为2 MeV的高能电子束对金属有机物化学气相沉积方法(MOCVD)生长的非故意掺杂氮化镓(GaN)异质结在室温下进行辐照,辐照剂量分别为1×1015/cm2和5×1015/cm2。经垂直于样品表面的电子辐照后,GaN外延层的(0004)和(10ī2)高分辨X射...; 关键词：氮化镓异质结应变弛豫电子辐照弹性原子链模型

晶格错配与应变弛豫及异质外延生长模式: 《浙江工业大学学报》2012年第1期80-83,共4页王辉周旺民江瑛; 浙江省自然科学基金资助项目(Y6100440); 应变弛豫是自组织量子点生长的驱动力,异质外延生长模式及其转变与体系表面能、界面能和应变能有直接关系.基于异质外延生长系统的热力学能量学,研究了晶格错配、应变弛豫与表面能对立方晶体异质外延生长模式的影响,给出了生长模式转变...; 关键词：晶格错配应变弛豫生长模式量子点

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