刘子超

作品数：1被引量：1H指数：1
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供职机构：太原理工大学更多>>
发文主题：生长温度应变弛豫MOCVD滑移系ALGAN/GAN更多>>
发文领域：电子电信一般工业技术更多>>
发文期刊：《人工晶体学报》更多>>
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低温AlN插入层的生长温度对AlGaN/GaN量子阱应力弛豫作用的影响被引量：1
《人工晶体学报》2014年第8期1926-1932,共7页刘子超 章海霞 甄慧慧 李明山 尚林 许并社 
山西省科技创新重点团队(2012041011)
利用高分辨X射线衍射仪(HRXRD)及原子力显微镜(AFM)研究了低温AlN插入层的生长温度对AlGaN/GaN量子阱应力弛豫作用的影响。结果表明,低温AlN插入层不同的生长温度会导致AlGaN/GaN量子阱不同的表面粗糙度及穿透位错密度,并且当生长温度达...
关键词：AlN插入层 生长温度 AlGaN/GaN量子阱 应变弛豫 
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