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GaN衬底的腐蚀程度对ZnO纳米棒阵列光学性能的调控: 《发光学报》2017年第10期1307-1313,共7页庞泽鹏梅伏洪乔建东尚林余春燕许并社; 国家自然科学基金(21471111;61475110;61404089;61504090;61604104);国家重点研发计划(2016YFB0401803);山西省基础研究项目(2015021103;201601D202029);山西省科技创新重点团队(201605D131045-10)资助项目~~; 研究了在湿法腐蚀Ga N衬底上生长的Zn O纳米棒阵列的微结构和光学性能。相比于未经腐蚀及腐蚀5 min、10 min的Ga N上生长的Zn O纳米棒阵列,在腐蚀8 min的Ga N上生长的Zn O纳米棒阵列最细密,光学性能最好,其相应PL光谱峰强积分比IUV/Ivi...; 关键词：ZN O纳米棒水热法 Ga N衬底湿法腐蚀光学性能

非故意掺杂GaN层厚度对蓝光LED波长均匀性的影响被引量：2: 《发光学报》2017年第9期1198-1204,共7页李天保赵广洲卢太平朱亚丹周小润董海亮尚林贾伟余春燕许并社; 国家自然科学基金(51672185;61504090)资助项目~~; 通过调整非故意掺杂氮化镓层的厚度,分析氮化镓基LED外延生长过程中应力的演变行为,以控制外延片表面的翘曲程度,从而获得高均匀性与一致性的外延片。由于衬底与外延层之间的热膨胀系数差别较大,在生长温度不断变化的过程中,外延片的翘...; 关键词：MOCVD 氮化镓应力 LED

TMIn流量对GaN基蓝光LED外延薄膜的影响: 《人工晶体学报》2017年第6期975-979,995,共6页李天保赵广洲尚林董海亮贾伟余春燕; 国家自然科学基金(51672185;61604104;61504090); 以蓝宝石(Al_2O_3)为衬底,采用有机金属化学气相沉积(MOCVD)技术生长InGaN/GaN多量子阱结构。本文通过调整外延生长过程中三甲基铟(TMIn)流量,研究了TMIn流量对InGaN/GaN多量子阱结构的合金组分、晶体质量和光学性质的影响。本文采用高...; 关键词：三甲基铟金属有机化学气相沉积 INGAN/GAN多量子阱

中高温GaN插入层厚度对蓝光LED光电性能的影响被引量：2: 《发光学报》2016年第7期829-835,共7页刘青明卢太平朱亚丹韩丹董海亮尚林赵广洲赵晨周小润翟光美贾志刚梁建马淑芳薛晋波李学敏许并社; 国家自然科学基金（21471111,61475110,61404089,61504090）;山西省基础研究项目（2014011016-6,2014021019-1,2015021103）;电子薄膜与集成器件国家重点实验室开放课题（KFJJ201406）;山西省科技创新重点团队项目（2012041011）;山西省高等学校科技创新项目（2015131）;浙江省重点科技创新团队（2011R50012）;浙江省重点实验室项目（2013E10022）资助; 利用金属有机气相化学沉积（MOCVD）技术在蓝宝石图形衬底上生长GaN基蓝光LED,并系统研究了不同中高温GaN插入层厚度对其光电性能的影响。利用芯片测试仪和原子力显微镜（AFM）表征了GaN基蓝光LED外延片的光电性能以及表面形貌。当中高...; 关键词：氮化镓 LED V形坑空穴注入效率

三维生长温度对非故意掺杂GaN外延层性能的影响被引量：2: 《人工晶体学报》2016年第5期1282-1287,共6页李小杜尚林朱亚丹贾志刚梅伏洪翟光美李学敏许并社; 国家自然科学基金(21471111;61475110;61404089;61504090);山西省基础研究项目(2014011016-6;2014021019-1;2015021103);山西省科技创新重点团队(2012041011); 利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术在蓝宝石(0001)面上生长GaN外延层,并系统研究了三维生长温度对外延层晶体质量和残余应力的影响机理。利用高分辨X射线衍射仪(HRXRD)、原子力显微镜(AFM)、光致发光光谱仪(PL)和拉曼光谱仪(Raman)...; 关键词：GAN 三维生长温度位错残余应力

低温GaN形核层的形核速率对GaN外延薄膜晶体质量的影响被引量：1: 《人工晶体学报》2016年第4期880-885,共6页廖建华尚林贾伟余春燕李天保许并社; 国家自然科学基金(61475110;61404089;21471111);山西省自然科学基金(2014021019-1;2014011016-6);山西省科技创新重点团队(2012041011); 采用金属有机化学气相沉积方法系统研究了在蓝宝石衬底上低温GaN形核层的形核速率对GaN外延薄膜晶体质量的影响机理。利用高分辨X射线衍射仪、原子力显微镜、光致发光光谱和Hall测试仪表征材料的位错密度、表面形貌以及光、电学性能。...; 关键词：形核速率形核层 GAN 金属有机化学气相沉积

成核层温度对非掺杂GaN外延薄膜结晶质量的影响被引量：2: 《人工晶体学报》2015年第8期2123-2129,共7页孙成真贾志刚尚林孙佩余春燕张华李天保; 国家自然科学基金(61475110;61404089;21471111);山西省自然科学基金(2014021019-1;2014011016-6);山西省科技创新重点团队(2012041011); 利用金属有机化学气相沉积系统(MOCVD),在蓝宝石的(0001)面采用不同的成核层生长温度,通过两步法获得不同质量的Ga N外延薄膜。利用HALL测试仪,高分辨X射线衍射仪(HRXRD),原子力显微镜(AFM)和光致发光光谱仪(PL)对Ga N薄膜的表面形貌,...; 关键词：GAN 金属有机化学气相沉积成核层生长温度

界面形核时间对GaN薄膜晶体质量的影响被引量：4: 《物理学报》2015年第12期380-385,共6页郭瑞花卢太平贾志刚尚林张华王蓉翟光美许并社; 国家自然科学基金(批准号:61475110,61404089,21471111);江苏省太阳能电池材料与技术重点实验室开放研究基金,常州大学(批准号:201205);山西省科技创新重点团队(批准号:2012041011);山西省自然科学基金(批准号:2014021019-1)资助的课题~~; 利用金属有机化学气相沉积技术系统研究了界面形核时间对c面蓝宝石衬底上外延生长Ga N薄膜晶体质量的影响机理.用原子力显微镜、扫描电子显微镜、高分辨X射线衍射仪以及光致发光光谱仪表征材料的晶体质量以及光学性质.随着形核时间的延...; 关键词：低温形核层有机金属化学气相沉积氮化镓位错

低温AlN插入层的生长温度对AlGaN/GaN量子阱应力弛豫作用的影响被引量：1: 《人工晶体学报》2014年第8期1926-1932,共7页刘子超章海霞甄慧慧李明山尚林许并社; 山西省科技创新重点团队(2012041011); 利用高分辨X射线衍射仪(HRXRD)及原子力显微镜(AFM)研究了低温AlN插入层的生长温度对AlGaN/GaN量子阱应力弛豫作用的影响。结果表明,低温AlN插入层不同的生长温度会导致AlGaN/GaN量子阱不同的表面粗糙度及穿透位错密度,并且当生长温度达...; 关键词：AlN插入层生长温度 AlGaN/GaN量子阱应变弛豫

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