贾志刚

作品数：5被引量：11H指数：2
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供职机构：太原理工大学更多>>
发文主题：形核电子阻挡层量子点GAN薄膜晶格常数更多>>
发文领域：电子电信理学化学工程自动化与计算机技术更多>>
发文期刊：《发光学报》《物理学报》《人工晶体学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金山西省基础研究计划项目山西省自然科学基金浙江省重点科技创新团队项目更多>>
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类金字塔状GaN微米锥的形貌及发光性能被引量：1
《发光学报》2019年第1期23-29,共7页仝广运 贾伟 樊腾 董海亮 李天保 贾志刚 许并社 
国家自然科学基金(61604104;21471111;51672185);山西省基础研究项目(201601D202029)资助~~
三维结构GaN基LED能够解决二维GaN基薄膜LED中存在的量子限制斯塔克效应、效率骤降、发光波长单一等问题。基于此,本文对三维类金字塔状GaN微米锥的发光性能进行了详细的研究。通过金属有机化合物化学气相沉积原位沉积SiN_x掩模层后,首...
关键词：类金字塔状GaN 微米锥 金属有机化合物化学气相沉积 发光材料 量子点 
中高温GaN插入层厚度对蓝光LED光电性能的影响被引量：2
《发光学报》2016年第7期829-835,共7页刘青明 卢太平 朱亚丹 韩丹 董海亮 尚林 赵广洲 赵晨 周小润 翟光美 贾志刚 梁建 马淑芳 薛晋波 李学敏 许并社 
国家自然科学基金（21471111,61475110,61404089,61504090）;山西省基础研究项目（2014011016-6,2014021019-1,2015021103）;电子薄膜与集成器件国家重点实验室开放课题（KFJJ201406）;山西省科技创新重点团队项目（2012041011）;山西省高等学校科技创新项目（2015131）;浙江省重点科技创新团队（2011R50012）;浙江省重点实验室项目（2013E10022）资助
利用金属有机气相化学沉积（MOCVD）技术在蓝宝石图形衬底上生长GaN基蓝光LED,并系统研究了不同中高温GaN插入层厚度对其光电性能的影响。利用芯片测试仪和原子力显微镜（AFM）表征了GaN基蓝光LED外延片的光电性能以及表面形貌。当中高...
关键词：氮化镓 LED V形坑 空穴注入效率 
三维生长温度对非故意掺杂GaN外延层性能的影响被引量：2
《人工晶体学报》2016年第5期1282-1287,共6页李小杜 尚林 朱亚丹 贾志刚 梅伏洪 翟光美 李学敏 许并社 
国家自然科学基金(21471111;61475110;61404089;61504090);山西省基础研究项目(2014011016-6;2014021019-1;2015021103);山西省科技创新重点团队(2012041011)
利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术在蓝宝石(0001)面上生长GaN外延层,并系统研究了三维生长温度对外延层晶体质量和残余应力的影响机理。利用高分辨X射线衍射仪(HRXRD)、原子力显微镜(AFM)、光致发光光谱仪(PL)和拉曼光谱仪(Raman)...
关键词：GAN 三维生长温度 位错 残余应力 
成核层温度对非掺杂GaN外延薄膜结晶质量的影响被引量：2
《人工晶体学报》2015年第8期2123-2129,共7页孙成真 贾志刚 尚林 孙佩 余春燕 张华 李天保 
国家自然科学基金(61475110;61404089;21471111);山西省自然科学基金(2014021019-1;2014011016-6);山西省科技创新重点团队(2012041011)
利用金属有机化学气相沉积系统(MOCVD),在蓝宝石的(0001)面采用不同的成核层生长温度,通过两步法获得不同质量的Ga N外延薄膜。利用HALL测试仪,高分辨X射线衍射仪(HRXRD),原子力显微镜(AFM)和光致发光光谱仪(PL)对Ga N薄膜的表面形貌,...
关键词：GAN 金属有机化学气相沉积 成核层 生长温度 
界面形核时间对GaN薄膜晶体质量的影响被引量：4
《物理学报》2015年第12期380-385,共6页郭瑞花 卢太平 贾志刚 尚林 张华 王蓉 翟光美 许并社 
国家自然科学基金(批准号:61475110,61404089,21471111);江苏省太阳能电池材料与技术重点实验室开放研究基金,常州大学(批准号:201205);山西省科技创新重点团队(批准号:2012041011);山西省自然科学基金(批准号:2014021019-1)资助的课题~~
利用金属有机化学气相沉积技术系统研究了界面形核时间对c面蓝宝石衬底上外延生长Ga N薄膜晶体质量的影响机理.用原子力显微镜、扫描电子显微镜、高分辨X射线衍射仪以及光致发光光谱仪表征材料的晶体质量以及光学性质.随着形核时间的延...
关键词：低温形核层 有机金属化学气相沉积 氮化镓 位错 
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