任鹏

作品数：8被引量：17H指数：2
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供职机构：中国科学技术大学核科学技术学院国家同步辐射实验室更多>>
发文主题：碳化硅SIC薄膜硅衬底SSMBE3C-SIC更多>>
发文领域：理学电子电信更多>>
发文期刊：《无机材料学报》《物理化学学报》《物理学报》《真空科学与技术学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金更多>>
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Mn掺杂SiC磁性薄膜的结构表征被引量：2
《物理学报》2010年第7期4774-4780,共7页唐军 刘忠良 任鹏 姚涛 闫文盛 徐彭寿 韦世强 
国家自然科学基金(批准号:50572100;10635060;10725522)资助的课题~~
利用反射式高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)和X射线吸收近边结构谱(XANES)等技术研究了在950℃条件下Si(111)衬底上共蒸发分子束外延方法制备的Mn掺杂SiC磁性薄膜的结构特征.RHEED结果表明,生长的Mn掺杂SiC薄膜为立方结构.XRD和XA...
关键词：磁性薄膜 分子束外延 X射线衍射 X射线吸收近边结构谱 
不同衬底温度下预沉积Ge对SiC薄膜生长的影响被引量：5
《真空科学与技术学报》2009年第4期423-426,共4页刘忠良 唐军 任鹏 刘科 徐彭寿 潘国强 
国家自然科学基金(No.50572100)
分别在未沉积Ge和不同衬底温度(300、500、700℃)沉积Ge条件下,利用固源分子束外延(SSMBE)技术在Si衬底上外延SiC薄膜。通过反射式高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和傅里叶变换红外光谱(FTIR)等仪器对样品进行...
关键词：锗 碳化硅 反射高能电子衍射 固源分子束外延 预沉积温度 
预沉积Ge对Si(111)衬底上SSMBE外延生长SiC薄膜的影响被引量：1
《物理化学学报》2008年第7期1160-1164,共5页刘忠良 任鹏 刘金锋 唐军 徐彭寿 
国家自然科学基金(50572100)资助项目
利用固源分子束外延(SSMBE)生长技术,在Si(111)衬底上预沉积不同厚度(0、0.2、1nm)Ge,在衬底温度900℃,生长SiC单晶薄膜.利用反射式高能电子衍射仪(RHEED)、原子力显微镜(AFM)和傅立叶变换红外光谱(FTIR)等实验技术,对生长的样品进行了...
关键词：锗 预沉积 碳化硅 硅衬底 固源分子束外延 
3C-SiC/Si(111)的掠入射X射线衍射研究被引量：6
《无机材料学报》2008年第5期928-932,共5页刘忠良 刘金锋 任鹏 李锐鹏 徐彭寿 潘国强 
国家自然科学基金(50572100)
在衬底温度为1000℃条件下,利用固源分子束外延(SSMBE)技术在Si衬底上生长3C-SiC单晶薄膜.RHEED结果显示在Si(111)上所生长的SiC薄膜为3C-SiC,并与衬底的取向基本一致.采用同步辐射掠入射X射线衍射(GID)技术并结合常规X射线衍射(XRD)研...
关键词：X射线衍射 掠入射衍射 硅 碳化硅 固源分子束外延 
蒸发速率对Si衬底上SSMBE外延SiC薄膜的影响被引量：2
《真空科学与技术学报》2008年第4期299-302,共4页刘忠良 刘金锋 任鹏 徐彭寿 
国家自然科学基金(No.50572100)
采用固源分子束外延(SSMBE)生长技术,用不同的蒸发速率,在Si(111)衬底上生长SiC薄膜。利用反射式高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)等实验技术,对生长的样品的形貌和结构进行研究。结果表明,在优化的蒸发速率(1.0...
关键词：蒸发速率 碳化硅 硅衬底 固源分子束外延 
MnxSi1-x磁性薄膜的结构研究被引量：1
《物理学报》2008年第7期4322-4327,共6页任鹏 刘忠良 叶剑 姜泳 刘金锋 孙玉 徐彭寿 孙治湖 潘志云 闫文盛 韦世强 
国家自然科学基金重点项目(批准号:10635060);国家自然科学基金(批准号:10725522)资助的课题~~
利用X射线衍射(XRD)和X射线吸收近边结构(XANES)方法研究了在Si(100)衬底上及600℃温度条件下用分子束外延(MBE)共蒸发方法生长的MnxSi1-x磁性薄膜的结构.由XRD结果表明,只有在高Mn含量(8%和17%)样品中存在着Mn4Si7化合物物相.而XANES...
关键词：MnxSi1-x磁性薄膜 分子束外延 XRD XANES 
6H-SiC/3C-SiC/6H-SiC量子阱结构制备及其发光特性被引量：1
《物理化学学报》2008年第4期571-575,共5页刘金锋 刘忠良 任鹏 徐彭寿 陈秀芳 徐现刚 
国家自然科学基金(50572100)资助项目
利用固源分子束外延(SSMBE)生长技术,在1350K的衬底温度下,通过改变Si束流强度,在6H-SiC(0001)面上外延生长6H-SiC/3C-SiC/6H-SiC量子阱结构薄膜,并用反射高能电子衍射(RHEED)与光致发光(PL)谱对生长的薄膜的晶型和发光特性进行表征.RH...
关键词：量子阱 碳化硅 固源分子束外延 反射高能电子衍射 光致发光 
硅碳比对Si(111)表面SSMBE异质外延SiC薄膜的影响被引量：2
《无机材料学报》2008年第3期549-552,共4页刘忠良 任鹏 刘金锋 徐彭寿 
国家自然科学基金(50572100)
利用固源分子柬外延(SSMBE)生长技术,在不同的硅碳蒸发速率比(Si/C)条件下,在Si(111)衬底上生长SiC单晶薄膜.利用反射式高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和傅立叶变换红外光谱(FTIR)等实验技术,对生长的样品形...
关键词：硅碳比 碳化硅 硅衬底 固源分子束外延 
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