云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- ECR-PEMOCVD

ECR-PEMOCVD: 作品数：20被引量：28H指数：2; 导出分析报告; 相关领域：电子电信理学更多>>; 相关作者：秦福文张东顾彪李昱材徐茵更多>>; 相关机构：大连理工大学沈阳工程学院沈阳医学院辽宁省电力有限公司更多>>; 相关期刊：《Chinese Physics Letters》《半导体光电》《中国科技信息》《中国粉体技术》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金辽宁省教育厅高等学校科学研究项目辽宁省科技厅自然科学基金辽宁省自然科学基金更多>>

石英衬底上GaN薄膜沉积及其光学性能的研究被引量：2: 《光谱学与光谱分析》2018年第9期2672-2675,共4页张东赵琰宋世巍李昱材王健毕孝国高靖王春生; 国家自然科学基金项目(61372195;61304069;51472047);辽宁省科技厅自然科学基金项目(20170540664);辽宁省教育厅科研项目(L2015377);辽宁省教育厅重点实验室基础研究项目(LZ2014050)资助; GaN薄膜材料广泛应用于发光二极管(LED),激光二极管(LD)等光电器件。但是GaN基器件的制备与应用以及器件推广很大一部分取决于其器件的价格,常用的方式是在单晶蓝宝石衬底上沉积制备GaN薄膜样品,单晶蓝宝石衬底晶向择优,可以制备出高质...; 关键词：GAN薄膜石英衬底 ECR-PEMOCVD系统光学性能

低温缓冲层对金刚石衬底上GaN的沉积作用: 《中国粉体技术》2017年第6期78-81,共4页张东赵琰宋世巍李昱材王健毕孝国; 国家自然科学基金项目;编号:51472047;辽宁省自然科学基金项目;编号:20170540664; 采用电子回旋共振等离子体增强金属有机物化学气相沉积技术,以自支撑金刚石厚膜作为衬底,改变缓冲层参数条件,低温沉积氮化镓(Ga N)薄膜材料。实验结束之后,利用反射高能电子衍射、X射线衍射和原子力显微镜系统性对实验制备的薄膜样品...; 关键词：ECR-PEMOCVD系统氮化镓薄膜自支撑金刚石厚膜缓冲层温度

本征层为In_xGa_(1-x)N结构柔性太阳能电池研究: 《中国科技信息》2014年第16期36-37,共2页苗丽华张东赵琰李昱材; 辽宁省教育厅科学研究一般项目(L2012374); 本文研究一种可调带隙量子阱结构的柔性衬底太阳能电池及制备方法。本论文研究的太阳能电池具体结构是:Al电极/GZO/P型nc-Si:H/I层本征InxGa1-xN/N型nc-Si:H/GZO/Al背电极/AlN/PI柔性衬底;其制备方法是首先磁控溅射制备AlN绝缘层和Al背...; 关键词：太阳能电池结构柔性本征层 NC-SI H薄膜 ECR-PEMOCVD 透明导电薄膜量子阱结构制备方法

Effect of TMGa flux on GaN films deposited on Ti coated on glass substrates at low temperature被引量：2: 《Chinese Science Bulletin》2013年第30期3617-3623,共7页WANG EnPing BIAN JiMing QIN FuWen ZHANG Dong LIU YueMei ZHAO Yue DUAN ZhongWei WANG Shuai; supported by the Opening Project of Key Laboratory of Inorganic Coating Materials,Chinese Academy of Sciences(KLICM2012-01);the Fundamental Research Funds for the Central Universities(DUT13LK02,DUT13JN08); Highly c-axis-oriented GaN films were deposited on Ti coated glass substrates using low temperature electron cyclotron resonance plasma enhanced metal organic chemical vapor deposition system(ECR-PEMOCVD)with trimethy...; 关键词：GAN薄膜玻璃基板薄膜沉积钛涂层流量 ECR-PEMOCVD 低温化学气相沉积系统

Deposition and properties of highly c-oriented of InN films on sapphire substrates with ECR-plasma-enhanced MOCVD被引量：2: 《Rare Metals》2012年第2期150-153,共4页Qin, Fuwen Zhang, Dong Bai, Yizhen Ju, Zhenhe Li, Shuangmei Li, Yucai Pang, Jiaqi Bian, Jiming; supported by the National Natural Science Foundation of China (No. 61040058) (No. 60976006);the Fundamental Research Funds for the Central Universities (No.DUT10LK01);the Science and Technology Foundation for Higher Education of Liaoning Province, China and Science and Technology Innovation Project Foundation for Higher Education School (No.707015); InN films with highly c-axis preferred orientation were deposited on sapphire substrate by low-temperature electron cyclotron resonance plasma-enhanced metal organic chemical vapor deposition (ECR-PEMOCVD). Trimethyl ...; 关键词：InN films ECR-PEMOCVD sapphire substrates semiconductor devices

The Preparation and Characteristics of In_(x)Ga_(1−x)N(0.06≤x≤0.58)Films Deposited by ECR-PEMOCVD: 《Chinese Physics Letters》2011年第10期266-269,共4页LIU Xing-Long QIN Fu-Wen BIAN Ji-Ming ZHANG Dong CHEN Wei-Ji ZHOU Zhi-Feng ZHI An-Bo YU Bo WU Ai-Min JIANG Xin; Supported by the National Natural Science Foundation of China under Grant Nos.61040058 and 60976006;the Science and Technology Foundation for Higher Education of Liaoning Province of China.; We investigate the structural property and surface morphology of In_(x)Ga_(1−x)N films for In compositions ranging from 0.06 to 0.58,which are deposited by electron cyclotron resonance plasma enhanced metal organic ch...; 关键词：checked ROUGHNESS

Influence of N_(2) Flux on InN Film Deposition on Sapphire(0001)Substrates by ECR-PEMOCVD: 《Chinese Physics Letters》2011年第2期220-223,共4页ZHOU Zhi-Feng QIN Fu-Wen ZANG Hai-Rong ZHANG Dong CHEN Wei-Ji ZHI An-Bo LIU Xing-Long YU Bo JIANG Xin; Supported by the National Natural Science Foundation of China under Grant Nos 60976006 and 61040058;the Science and Technology Foundation for Higher Education of Liaoning Province of China.; Highly preferred InN Rims are deposited on sapphire(0001)substrates by electron cyclotron resonance plasma enhanced metal organic chemical vapor deposition(ECR-PEMOCVD)without using a buffer layer.The structure,surfac...; 关键词：measurement SAPPHIRE HIGHLY

在镀铝玻璃衬底上低温沉积GaN薄膜的结晶特性: 《半导体光电》2010年第4期557-562,共6页刘胜芳秦福文吴爱民姜辛徐茵顾彪; 国家自然科学基金项目(60976006); 采用电子回旋共振等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)方法,在镀铝玻璃衬底上沉积了GaN薄膜。RHEED和XRD分析显示,适当增加TMGa流量,薄膜呈现高度c轴择优取向特征;SEM表明,随着TMGa流量增加,薄膜表面逐渐平整致密;对Raman...; 关键词：GAN 低温沉积玻璃衬底铝薄膜 ECR-PEMOCVD

衬底氮化时间对玻璃衬底上低温沉积GaN薄膜结晶性的影响: 《功能材料》2009年第11期1836-1839,共4页陈伟绩秦福文吴爱民王文彦; 国家自然科学基金资助项目(60476008); 采用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)方法,在康宁7101型普通玻璃衬底上低温沉积氮化镓(GaN)薄膜。利用反射高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和霍尔测量系统检测样品,研究了衬底...; 关键词：GAN 氮化 ECR-PEMOCVD 玻璃衬底

基于ECR-PEMOCVD生长的稀磁半导体(Ga,Mn)N的特性: 《功能材料》2009年第9期1473-1476,共4页宋世巍秦福文吴爱民何欢王叶安姜辛徐茵顾彪; 国家自然科学基金资助项目(60476008); 利用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)技术,在蓝宝石(α-Al2O3)衬底上生长出Mn含量约为3%的(Ga,Mn)稀磁半导体薄膜。利用反射高能衍射(RHEED)、原子力显微镜(AFM)和X射线衍射(XRD)表征(Ga,Mn)N薄膜的表面...; 关键词：(Ga Mn)N ECR—PEMOCVD 室温铁磁性居里温度

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