云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- NC-SI

NC-SI: 作品数：75被引量：138H指数：6; 导出分析报告; 相关领域：电子电信医药卫生更多>>; 相关作者：彭英才何宇亮刘明廖显伯李伟更多>>; 相关机构：中国科学院河北大学南京大学北京航空航天大学更多>>; 相关期刊：更多>>; 相关基金：国家自然科学基金河北省自然科学基金国家重点基础研究发展计划江苏省自然科学基金更多>>

n-nc-Si:H低温制备工艺及其在柔性钙钛矿太阳电池中的应用: 《河南科技》2024年第9期83-87,共5页靳果王记昌闫奇; 河南省科技攻关项目(242102241024);河南省科技攻关项目(232102240031)。; 【目的】为在低温工艺下制备出适用于柔性钙钛矿太阳电池的高性能电子传输层,需要对电子传输层材料及制备条件进行研究。【方法】将n型氢化纳米晶硅薄膜作为柔性钙钛矿太阳电池电子传输层,研究衬底温度对薄膜性能的影响,并优化电子传输...; 关键词：柔性钙钛矿太阳电池 n-nc-Si:H 衬底温度薄膜性能界面优化

晶硅异质结太阳电池nc-Si:H/nc-SiOx:H叠层窗口层研究被引量：1: 《太阳能学报》2023年第8期203-207,共5页杨煜豪刘文柱张丽平孟凡英高彦峰刘正新; 国家自然科学基金(62004208);国家自然科学基金(62074153);中国科学院“鸿鹄专项”(XDA17020403);上海市科技创新行动(22ZR1473200)。; 该研究制备高电导、高透明的磷掺杂氢化纳米晶硅氧(nc-Si Ox:H)薄膜,应用于晶硅异质结(SHJ)太阳电池的窗口层以替代传统的氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜。与以a-Si:H薄膜为窗口层的电池相比,短路电流密度提高0.5 m A/cm^(2),达到38.5 m A/cm^(...; 关键词：纳米晶材料太阳电池薄膜生长晶硅异质结太阳电池纳米晶硅氧(nc-SiOx:H) 界面处理

Microstructure and lateral conductivity control of hydrogenated nanocrystalline silicon oxide and its application in a-Si：H/a-SiGe：H tandem solar cells: 《Chinese Physics B》2016年第4期243-248,共6页李天天杨铁方家张德坤孙建魏长春许盛之王广才刘彩池赵颖张晓丹; supported by the Hi-Tech Research and Development Program of China(Grant No.2013AA050302);the National Natural Science Foundation of China(Grant No.61474065);Tianjin Municipal Research Key Program of Application Foundation and Advanced Technology,China(Grant No.15JCZDJC31300);the Key Project in the Science&Technology Pillar Program of Jiangsu Province,China(Grant No.BE2014147-3);the Specialized Research Fund for the Ph.D.Program of Higher Education,China(Grant No.20120031110039); Phosphorous-doped hydrogenated nanocrystalline silicon oxide （n-nc-SiOx：H） films are prepared via radio frequency plasma enhanced chemical vapor deposition （RF-PECVD）. Increasing deposition power during n-nc-SiOx...; 关键词：gradient deposition power n-nc-SiOx：H films back reflector Tandem solar cells

氢钝化对低温沉积nc-SiO_x/SiO_2多层薄膜发光特性影响机制研究: 《人工晶体学报》2015年第12期3559-3564,共6页郑燕李云王新占刘建苹张瑜于威赖伟东任丽坤; 国家自然科学基金(60878040);河北省自然科学基金(F2013201250);河北省科技厅项目(12963930D); 采用等离子体增强化学气相沉积技术实现了nc-SiO_x/SiO_2多层结构薄膜在220℃的低温沉积,并对其450℃N_2+H_2形成气体退火前后的微结构及其发光特性进行了研究。结果表明,直接沉积的纳米硅多层薄膜未观察到较明显的室温发光,而形成气体...; 关键词：nc-SiOx/SiO2 低温沉积光致发光氢钝化

掺磷nc-Si∶H薄膜的微结构与光电特性: 《人工晶体学报》2015年第10期2756-2761,共6页刘利马蕾吴一范志东郑树凯刘磊彭英才; 国家自然科学基金青年科学基金(61204079);河北省自然科学基金(E2012201088;F2013201196);河北省高等学校科学技术研究项目(2011237;ZH2012019);河北省青年拔尖人才计划(2013); 采用常规射频等离子体增强化学气相沉积方法,以高氢稀释的Si H4为源气体和以PH3为掺杂剂,制备了磷掺杂的氢化纳米晶硅薄膜。结果表明,薄膜的生长速率随PH3/Si H4流量比（Cp）增加而显著减小。Raman谱的研究证实,随Cp增加,薄膜的晶化率...; 关键词：磷掺杂氢化纳米晶硅薄膜晶化率界面体积分数光吸收系数暗电导率

Influences of hydrogen dilution on microstructure and optical absorption characteristics of nc-SiO_x:H film: 《Chinese Physics B》2015年第10期547-552,共6页赵蔚杜霖元蒋昭毅尹辰辰于威傅广生; Project supported by the Key Basic Research Project of Hebei Province,China(Grant No.12963930D);the Natural Science Foundation of Hebei Province,China(Grant Nos.F2013201250 and B2012402011); By using the plasma enhanced chemical vapor deposition（PECVD） technique, amorphous silicon oxide films containing nanocrystalline silicon grain（nc-Si O x：H） are deposited, and the bonding configurations and optic...; 关键词：nc-SiOx：H MICROSTRUCTURE optical absorption

nc-Si:H/c-Si硅异质结太阳电池中本征硅薄膜钝化层的优化被引量：4: 《物理化学学报》2015年第6期1207-1214,共8页乔治解新建薛俊明刘辉梁李敏郝秋艳刘彩池; 国家高技术研究发展计划项目(863)(2012AA050301);河北省教育厅科研计划项目(Z2010304)资助~~; 采用射频等离子体增强化学气相沉积（RF-PECVD）法在低温、低功率的条件下制备了一系列本征硅薄膜,研究了硅烷浓度（CS）对薄膜微结构、光电特性及表面钝化性能的影响.将本征硅薄膜作为钝化层应用到氢化纳米晶硅/晶硅（nc-Si：H/c-Si）...; 关键词：本征硅薄膜射频等离子体增强化学气相沉积界面钝化少子寿命硅异质结太阳电池

Low-Temperature Deposition of nc-SiO_x:H below 400℃ Using Magnetron Sputtering: 《Chinese Physics Letters》2015年第4期81-84,共4页李云尹辰辰季云史振亮靳聪慧于威李晓苇; Supported by the Key Basic Research Project of Hebei Province under Grant No 12963930D;the Natural Science Foundation of Hebei Province under Grant No F2013201250;the Science and Technology Research Projects of the Educational Department of Hebei Province under Grant No ZH2012030; Silicon oxide films containing nanocrystalline silicon （nc-SiOx：H） are deposited by co-sputtering technology at low temperatures （〈400℃） that are much lower than the typical growth temperature of nc-Si in SiO2....; 关键词：SiO Using Magnetron Sputtering Low-Temperature Deposition of nc-SiO_x:H below 400

硼掺杂对用于SHJ太阳电池的nc-Si∶H薄膜微结构的影响被引量：2: 《人工晶体学报》2015年第4期933-938,共6页乔治解新建刘辉梁李敏郝秋艳刘彩池; 国家高技术研究发展计划(863计划)(2012AA050301);河北省教育厅科研计划(Z2010304); 采用RF-PECVD法在低温低功率密度下制备了p型nc-Si∶H薄膜,并系统地研究了硼掺杂对薄膜微结构及光电性能的影响。结果表明:由于"硼掺杂效应",随着掺硼比的增大,nc-Si∶H薄膜的晶化率逐渐降低,晶粒尺寸减小,薄膜的择优取向由[111]变为[22...; 关键词：RF-PECVD nc-Si∶H薄膜硼掺杂 SHJ太阳能电池

Influence of substrate bias voltage on the microstructure of nc-SiO_x:H film: 《Chinese Physics B》2015年第2期453-458,共6页李慧敏于威徐艳梅季云蒋昭毅王新占李晓苇傅广生; supported by the Key Basic Research Project of Hebei Province,China(Grant No.12963930D);the Natural Science Foundation of Hebei Province,China(Grant No.F2013201250);the Science and Technology Research Projects of the Educational Department of Hebei Province,China(Grant No.ZH2012030); Amorphous silicon oxide containing nanocrystalline silicon grain（nc-SiOx：H） films are prepared by a plasmaenhanced chemical vapor deposition technique at different negative substrate bias voltages.The influence of ...; 关键词：nc-SiOx：H MICROSTRUCTURE substrate bias voltage

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