解新建

作品数：11被引量：37H指数：4
导出分析报告
供职机构：河北工业大学更多>>
发文主题：氮化镓GAN少子寿命GAN薄膜控制源更多>>
发文领域：电子电信理学电气工程一般工业技术更多>>
发文期刊：《微纳电子技术》《材料导报》《材料热处理学报》《半导体技术》更多>>
所获基金：河北省自然科学基金河北省教育厅科研基金国家高技术研究发展计划河北省教育厅项目更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
Ni离子注入和热退火对GaN形貌和磁性的影响被引量：2
《微纳电子技术》2018年第10期757-761,共5页梁李敏 解新建 刘辉 田园 郝秋艳 刘彩池 
河北省教育厅资助项目(GCC2014023)
利用离子注入法将Ni离子注入到金属有机化学气相沉积（MOCVD）法制备的p-GaN薄膜中，制备出了GaN基稀磁半导体材料。采用X射线衍射仪（XRD）、扫描显微镜（SEM）和振动样品磁强计（VSM）研究了离子注入剂量和热退火对GaN样品的结构、形...
关键词：氮化镓 稀磁半导体 离子注入 铁磁性 热退火 
基于LabVIEW平台的霍尔效应测试系统设计被引量：6
《实验室科学》2018年第3期26-29,共4页梁李敏 解新建 
河北省教育厅项目(项目编号:GCC2014023)
霍尔效应在半导体材料电学性能的检测中具有重要的应用。通过对材料的测试可以得到材料的载流子浓度、迁移率、导电类型等基本参数。为了满足本科实验教学课程中开设综合性实验的要求,针对霍尔效应测试仪测试样品种类受限的问题,在吉时...
关键词：霍尔效应 LABVIEW 低阻和高阻半导体 
在实验教学中培养学生科学研究的能力被引量：2
《教育教学论坛》2015年第36期53-54,共2页张雯 郝秋艳 解新建 
针对大学生科研能力和动手能力缺乏的现状,在教授"信息材料测试与分析"课程中,借助开展"半导体材料电阻率测量"实验的机会,增加了实验内容和测量数据总量,引入了对数据进行分析研究的内容,使学生在完成一次综合性实验的同时,预演了一次...
关键词：科研能力 动手能力 实验 预演 
nc-Si:H/c-Si硅异质结太阳电池中本征硅薄膜钝化层的优化被引量：4
《物理化学学报》2015年第6期1207-1214,共8页乔治 解新建 薛俊明 刘辉 梁李敏 郝秋艳 刘彩池 
国家高技术研究发展计划项目(863)(2012AA050301);河北省教育厅科研计划项目(Z2010304)资助~~
采用射频等离子体增强化学气相沉积（RF-PECVD）法在低温、低功率的条件下制备了一系列本征硅薄膜,研究了硅烷浓度（CS）对薄膜微结构、光电特性及表面钝化性能的影响.将本征硅薄膜作为钝化层应用到氢化纳米晶硅/晶硅（nc-Si：H/c-Si）...
关键词：本征硅薄膜 射频等离子体增强化学气相沉积 界面钝化 少子寿命 硅异质结太阳电池 
硼掺杂对用于SHJ太阳电池的nc-Si∶H薄膜微结构的影响被引量：2
《人工晶体学报》2015年第4期933-938,共6页乔治 解新建 刘辉 梁李敏 郝秋艳 刘彩池 
国家高技术研究发展计划(863计划)(2012AA050301);河北省教育厅科研计划(Z2010304)
采用RF-PECVD法在低温低功率密度下制备了p型nc-Si∶H薄膜,并系统地研究了硼掺杂对薄膜微结构及光电性能的影响。结果表明:由于"硼掺杂效应",随着掺硼比的增大,nc-Si∶H薄膜的晶化率逐渐降低,晶粒尺寸减小,薄膜的择优取向由[111]变为[22...
关键词：RF-PECVD nc-Si∶H薄膜 硼掺杂 SHJ太阳能电池 
热处理对大直径半绝缘砷化镓中EL2缺陷的影响
《材料热处理学报》2012年第7期9-12,共4页王丽华 郝秋艳 解新建 刘红艳 刘彩池 
河北省自然科学基金资助项目(08B013)
利用金相显微镜和微区红外测量技术分析热处理对液封直拉法生长的大直径半绝缘砷化镓(LEC SI-GaAs)单晶中深施主缺陷EL2的影响。结果表明,原生大直径SI-GaAs样品中EL2缺陷浓度沿直径方向的分布呈现中心区域较高、近中心区域最低、边缘...
关键词：半绝缘砷化镓 热处理 EL2缺陷 微区红外测量技术 
退火对电子辐照氮化镓光电性能的影响被引量：5
《人工晶体学报》2012年第6期1524-1527,共4页梁李敏 解新建 郝秋艳 田园 刘彩池 
河北省自然科学基金(F2012202083);河北省青年科学基金(F2009000124)
本文对10 MeV电子辐照的GaN进行了不同温度的热退火处理。用光致发光谱和霍尔测量了样品的光电性能随退火温度的变化。实验结果表明:黄光带强度、电子浓度和电子迁移率随退火温度呈非线性变化。在200～600℃退火范围内,黄光带、电子浓...
关键词：GAN 辐照缺陷 黄光带 电子浓度 
准单晶硅技术研究进展被引量：7
《硅酸盐通报》2012年第3期609-612,共4页苏柳 郝秋艳 解新建 刘彩池 刘晓兵 Jin Hao 
准单晶硅结合了铸造多晶硅和直拉单晶硅的特点,既具有成本低,产量高的优势,又具有转化效率高的优点。但目前各企业和科研单位对准单晶硅的研究仍处于实验探索阶段。本文系统阐述了准单晶技术的研究进展,介绍了准单晶的两种铸造方法、与...
关键词：准单晶 铸造工艺 晶界 缺陷 
缓冲层对外延生长GaN薄膜性能的影响被引量：2
《河北工业大学学报》2011年第2期29-31,共3页梅俊平 王敏 解新建 刘彩池 
天津市自然科学基金(10JCYBJC03000);河北省自然科学基金(F2009000124)
用分子束气相外延生长(MBE)法,通过改变缓冲层AlN的生长时间沉积GaN薄膜.用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和拉曼光谱仪(Raman Spectroscropy),测试GaN薄膜的应力、平整度、粗糙度、晶体质量.研究了不同生长时间...
关键词：GAN薄膜 缓冲层 应力 原子力显微镜 扫描电镜 
高质量GaN薄膜生长工艺的研究进展
《材料导报》2010年第7期127-131,共5页梁李敏 刘彩池 解新建 王清周 
天津市科技计划资助(06ZHXPZH03000)
概述了GaN异质外延生长中衬底的选择以及缺陷的形成机理,从缓冲层技术、横向外延技术、柔性衬底技术等生长工艺方面综述了国内外GaN基半导体薄膜生长的最新研究和进展,并对其优缺点进行了分析比较,认为发展同质外延将有希望解决现在异...
关键词：GAN 缺陷 异质外延 横向外延 缓冲层 柔性衬底 
全选清除导出
共2页<12>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部