云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 半绝缘砷化镓

半绝缘砷化镓: 作品数：60被引量：38H指数：4; 导出分析报告; 相关领域：电子电信理学更多>>; 相关作者：刘彩池徐岳生赵振宇王海云孙卫忠更多>>; 相关机构：河北工业大学中国科学院中国电子科技集团公司电子工业部更多>>; 相关期刊：更多>>; 相关基金：河北省自然科学基金国家自然科学基金河北省科学技术研究与发展计划项目天津市自然科学基金更多>>

半绝缘砷化镓光电导天线的封装优化: 《激光与光电子学进展》2024年第19期257-262,共6页张梓桐王天一郭宇飞李金江添翼王建波齐志强王晨晟; 针对光电导天线(PCA)芯片目前普遍面临太赫兹发射功率较低的问题,利用Si3N4和硅凝胶对PCA芯片进行钝化和封装,并利用太赫兹时域光谱(THz-TDS)系统测量其太赫兹波形。实验结果表明:1)Si3N4钝化层的引入可以将无激光照射下的器件电阻增大...; 关键词：太赫兹脉冲光电导天线太赫兹时域光谱欧姆接触绝缘封装

优化半绝缘GaAs双抛片精抛工艺的可行性探究: 《天津科技》2020年第2期28-30,38,共4页张雁敏; 半绝缘砷化镓(SI-GaAs)的抛光片作为微波大功率器件、低噪声器件等的重要衬底材料而被广泛应用。为提高产品的表面质量、良品率以及产量,同时释放部分生产力,降低生产成本,探究通过改良半绝缘砷化镓(SIGaAs)双抛片的精抛工艺,将现有的...; 关键词：砷化镓半绝缘砷化镓化学机械抛光 TTV 精抛

半绝缘GaAs的欧姆接触电极材料Ag/Co掺杂的非晶碳膜制备与检测: 《大学物理》2017年第6期78-81,共4页杜维嘉翟章印吉帅藏婷玉; 江苏省自然科学基金(BK20140450);江苏省高等学校大学生创新创业训练计划项目(201510323016z)资助; 稳定的欧姆接触对半导体器件的正常工作起到至关重要的作用.目前市场上主要采用金/金锗镍合金作为n型GaAs的电极材料,工艺复杂,成本高昂.本文研究了一种新型的、廉价的适用于半绝缘GaAs的欧姆接触电极材料Ag/Co掺杂的非晶碳膜及其制备过...; 关键词：半绝缘砷化镓欧姆接触光电导

环境湿度对VGF法半绝缘砷化镓单晶备料生长的影响研究被引量：1: 《天津科技》2017年第1期56-57,61,共3页孙文杰; 利用垂直梯度冷凝法生长半绝缘砷化镓单晶的环境是一个密闭的真空系统,但是在备料过程中不可避免要受到周围环境的影响。通过除湿设备对环境除湿,分别在湿度为40%,±5%,和60%,±5%,时,使用等质量的多晶料、掺杂剂等材料进行备料实验研...; 关键词：湿度 VGF 半绝缘

基于半绝缘砷化镓叉趾结构光电导天线太赫兹发射频谱的温度倚赖特性（英文）: 《上海师范大学学报（自然科学版）》2015年第4期362-367,共6页赵振宇; Nathan Jukam at UCSB to provide prototype antenna and the measurement support of Jerome Tignon at LPA-ENS(UMR8551); 报道了一种基于半绝缘砷化镓（SI-GaAs）又趾结构光电导天线在不同光生载流子浓度注入条件下，温度在4．2～270K之间的太赫兹（THz）发射频谱．实验结果表明当温度达到70K时，其THz发射强度达到最大值．光生载流子浓度和温度共同主导了...; 关键词：太赫兹光电导载流子动力学

工业和信息化部最新发布77项电子行业标准: 《信息技术与标准化》2015年第5期75-79,共5页; 关键词：包装检验规则半绝缘砷化镓硅单晶抛光片设备资源共享数字电视机聚四氟乙烯含氟高聚物危险化学品气瓶线阵列扬声器系统等离子体显示器件测试方法测量方法通信电缆通讯电缆同轴电子行业工业和信息化部

VCSEL阵列用半绝缘砷化镓单晶生长工艺研究: 《天津科技》2015年第3期18-20,共3页孙强兰天平周春锋; VCSEL(垂直腔面发射激光器)阵列是一种面发射的化合物半导体有源器件,已广泛应用于激光制导、激光测距等军事电子领域。为了减少发射单元之间的高频串扰,VCSEL阵列必须生长在高电阻率和低位错密度的砷化镓衬底上。通过采用VGF(垂直梯度...; 关键词：VGF砷化镓单晶生长半绝缘

Experimental Study of Surface Flashover Field of SI-GaAs Photoconductive Semiconductor Switch: 《高电压技术》2013年第8期1919-1924,共6页JI Weili SHI Wei; Project supported by National Natural Science Foundation of China （50837005, 5110 7099）, Foundation of the State Key Laboratory of Electrical Insulation for Power Equip- ment （EIPE09203）.; With its unique features, photoconductive semiconductor switch (PCSS) is generally recognized today as a promising power electronic device. However, a major limitation of PCSS is its surprisingly low voltage threshold...; 关键词：光导半导体开关 SI-GAAS 沿面闪络实验光电电力电子装置光导开关半绝缘砷化镓

热处理对大直径半绝缘砷化镓中EL2缺陷的影响: 《材料热处理学报》2012年第7期9-12,共4页王丽华郝秋艳解新建刘红艳刘彩池; 河北省自然科学基金资助项目(08B013); 利用金相显微镜和微区红外测量技术分析热处理对液封直拉法生长的大直径半绝缘砷化镓(LEC SI-GaAs)单晶中深施主缺陷EL2的影响。结果表明,原生大直径SI-GaAs样品中EL2缺陷浓度沿直径方向的分布呈现中心区域较高、近中心区域最低、边缘...; 关键词：半绝缘砷化镓热处理 EL2缺陷微区红外测量技术

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