单晶生长

作品数：470被引量：757H指数：11
导出分析报告
相关领域：理学电子电信更多>>
相关作者：朱世富赵北君徐现刚陈宝军胡小波更多>>
相关机构：中国科学院山东大学四川大学中国科学院大学更多>>
相关期刊：更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划山东省自然科学基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
采用不同辐射传热模型模拟氧化镓单晶生长热场的对比研究
《人工晶体学报》2025年第3期386-395,共10页殷长帅 孟标 梁康 崔翰文 刘胜 张召富 
湖北省JD技术攻关项目(2023BAA009);国家自然科学基金(52302046)。
采用导模法(EFG法)生长高质量的氧化镓单晶时,炉内的辐射传热对晶体生长过程中的温场分布、应力分布等具有显著的影响。本文采用Rosseland方法、P1近似方法、离散坐标法(DOM)等3种不同辐射模型,对生长氧化镓单晶的三维热场分布进行有限...
关键词：导模法 氧化镓 辐射模型 热场 数值模拟 应力 
磷化铟晶体生长中的离解现象研究
《金属材料与冶金工程》2025年第1期14-19,共6页赵兴凯 韦华 柳旭 权忠朝 叶晓达 韩家贤 王顺金 
云南省科技计划项目(202202AB080018);昆明市春城青年高层次人才创新项目(C202105001)。
磷化铟(InP)在高温下很容易发生离解,抑制其离解成为生长磷化铟晶体的前提。通过实验研究了水平梯度凝固法(HGF)合成InP多晶,以及垂直梯度凝固(VGF)单晶生长过程中工艺条件与晶体离解之间的关系。实验表明:HGF要保持合成炉磷区的温度为...
关键词：磷化铟 离解 多晶合成 单晶生长 
富加镓业“一键长晶”技术通过专家评估,全自动晶体生长装备助力氧化镓产业腾飞
《人工晶体学报》2025年第2期360-360,共1页齐红基 
近期,杭州富加镓业科技有限公司(以下简称:富加镓业)导模法“一键长晶”技术通过专家组现场评估,全自动晶体生长装备为未来氧化镓材料产业化打下坚实基础。氧化镓单晶材料因为存在高温挥发分解难题,单晶生长难度较大,限制了氧化镓领域...
关键词：产业化方向 晶体生长 氧化镓 现场评估 双轮驱动 量化控制 单晶材料 单晶生长 
二维层状氧化锌纳米片的制备与压电性能表征
《实验力学》2025年第1期134-142,共9页刘鸿凯 何文远 彭金峰 郑学军 
国家自然科学基金重点项目(11832016,12002295);合肥通用机械研究院有限公司项目(20213 ZK 2021010483)。
二维材料因具有高导电性、光学透明性和机械强度等特性,其压电和压电光电子效应近年来越来越受到关注;为了促进二维材料在微机电系统、纳米机器人和有源柔性电子产品领域的实际应用,开展二维材料的压电性能研究具有重要意义。本文采用...
关键词：化学气相沉积法 超声剥离法 二维层状ZnO纳米片 单晶生长 离面压电系数 
2英寸Fe掺杂高阻β相氧化镓单晶生长及(010)衬底性质研究
《人工晶体学报》2025年第2期197-201,共5页严宇超 王琤 陆昌程 刘莹莹 夏宁 金竹 张辉 杨德仁 
浙江省“尖兵”“领雁”研发攻关计划(2023C01193);中央高校基本科研业务费(226-2022-00200,226-2022-00250);博士后创新人才支持计划(BX20220264);国家青年拔尖人才支持计划;杭州市领军型创新创业团队引进培育计划(TD2022012)。
本文使用直拉法制备了Fe掺杂的大尺寸β相氧化镓(β-Ga_(2)O_(3))单晶,加工制备了高质量的2英寸(1英寸=2.54 cm)(010)衬底,并对衬底的结晶质量、加工质量与电学性质进行了研究。偏光应力仪下的均匀图像表明该衬底无孪晶、裂纹等宏观缺陷...
关键词：氧化镓 宽禁带半导体 晶体生长 直拉法 单晶衬底 掺杂 
富加镓业突破性进展——国内首次实现坩埚下降法生长3英寸氧化镓晶体
《人工晶体学报》2024年第11期2022-2022,共1页齐红基 
2024年7月,杭州富加镓业科技有限公司(简称“富加镓业”)在国内首次采用坩埚下降(VB)法生长了3英寸氧化镓单晶(见图1、图2),这是该公司在氧化镓单晶生长领域取得的又一次重大突破,标志着该公司在氧化镓单晶生产技术上又迈出了重要一步,...
关键词：氧化镓 坩埚下降法 半导体材料 单晶生长 富加 产业化 突破性进展 新的活力 
红外测温仪在碳化硅单晶生长炉中的应用被引量：1
《电子工艺技术》2024年第4期51-55,共5页靳丽岩 
碳化硅单晶生长炉的温度监测及控制是碳化硅晶体生长工艺的关键。针对碳化硅单晶生长炉的高温测量需求及使用工况,分析了红外测温仪测温的工作原理及分类,研究了碳化硅单晶生长炉的测温结构及温度控制技术。通过引入模糊PID算法实现了...
关键词：碳化硅 单晶生长炉 红外测温仪 高温测量 
Cs3Cu2I5单晶生长与发光性质研究
《科学技术创新》2024年第19期67-70,共4页王振中 严铮洸 马林 
国家自然科学基金项目,基金号:No.12174016,51988101。
近年来发光材料已广泛应用于照明、显示和医学影像等领域。铜(Ⅰ)基卤化物因其优异的发光特性和稳定性受到广泛关注。本文报道了生长Cs_(3)Cu_(2)I_(5)单晶的方法,使用有机溶剂(DMF)以溶剂挥发法生长出3×2.4×1 mm的单晶。Cs_(3)Cu_(2)...
关键词：铜(Ⅰ)基卤化物 单晶生长 零维结构 光致发光 
基于8英寸的碳化硅单晶生长炉技术
《电子工艺技术》2024年第3期46-49,62,共5页靳丽岩 王毅 王宏杰 武昕彤 郭帝江 师开鹏 
碳化硅是制作高温、高频、大功率以及高压器件的理想材料之一。为提高生产效率并降低成本,大尺寸碳化硅衬底的制备是重要发展方向。针对8英寸碳化硅单晶生长的工艺需求,分析了碳化硅物理气相输运法生长机理,研究了碳化硅单晶生长炉的加...
关键词：碳化硅 8英寸 物理气相输运 单晶生长炉 
Ib型金刚石单晶生长及合成腔体温度场分布研究
《人工晶体学报》2024年第6期959-966,共8页肖宏宇 李勇 田昌海 张蔚曦 王强 肖政国 王应 金慧 鲍志刚 周振翔 
国家自然科学基金(12064038);贵州省科技厅项目(黔科合基础-ZK[2023]一般467,ZK[2021]重点019,ZK[2021]一般021,ZK[2021]一般034,ZK[2021]一般031,ZK[2023]重点049);铜仁学院科研启动基金(trxyDH2221)。
本文利用六面顶压机,在5.7 GPa、1560~1600 K的压力温度条件下,分别采用ϕ15 mm和ϕ30 mm两种尺寸合成腔体,系统开展了Ib型金刚石单晶的晶体生长工作,并借助于有限元法对两种尺寸合成腔体的温度场分布进行了研究。首先,借助于有限元法分...
关键词：Ib型金刚石 高温高压 温度梯度法 触媒 温度场 多晶 
全选清除导出
共47页<12345678910>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部