富加镓业突破性进展——国内首次实现坩埚下降法生长3英寸氧化镓晶体  

作　　者：齐红基 

机构地区：[1]富加镓业

出　　处：《人工晶体学报》2024年第11期2022-2022,共1页Journal of Synthetic Crystals

摘　　要：2024年7月,杭州富加镓业科技有限公司(简称“富加镓业”)在国内首次采用坩埚下降(VB)法生长了3英寸氧化镓单晶(见图1、图2),这是该公司在氧化镓单晶生长领域取得的又一次重大突破,标志着该公司在氧化镓单晶生产技术上又迈出了重要一步,为国内半导体材料的产业化注入了新的活力。

关 键 词：氧化镓 坩埚下降法 半导体材料 单晶生长 富加 产业化 突破性进展 新的活力 

分 类 号：O782[理学—晶体学]