多晶合成

作品数：48被引量：80H指数：7
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磷化铟晶体生长中的离解现象研究
《金属材料与冶金工程》2025年第1期14-19,共6页赵兴凯 韦华 柳旭 权忠朝 叶晓达 韩家贤 王顺金 
云南省科技计划项目(202202AB080018);昆明市春城青年高层次人才创新项目(C202105001)。
磷化铟(InP)在高温下很容易发生离解,抑制其离解成为生长磷化铟晶体的前提。通过实验研究了水平梯度凝固法(HGF)合成InP多晶,以及垂直梯度凝固(VGF)单晶生长过程中工艺条件与晶体离解之间的关系。实验表明:HGF要保持合成炉磷区的温度为...
关键词：磷化铟 离解 多晶合成 单晶生长 
新型红外非线性硒镓钡多晶的合成与提纯研究
《量子电子学报》2024年第5期822-829,共8页周强 王振友 吴海信 黄昌保 倪友保 余学舟 胡倩倩 刘国晋 魏玲莉 
安徽省自然科学基金面上项目(2108085ME151)。
硒镓钡晶体(BaGa_(4)Se_(7),BGSe)是目前广受关注的一种新型红外非线性晶体。本文分别采用双温区法和高压辅助法合成硒镓钡多晶原料,并设计大温度梯度快速提纯方法对合成后的多晶料进行提纯。通过粉末X射线衍射仪(XRD)、电感耦合等离子...
关键词：材料 多晶合成 双温区法 高压辅助法 大温度梯度提纯 红外非线性晶体 
碲化镉多晶合成工艺研究
《电子工业专用设备》2024年第3期4-8,共5页陈成 朱蓉辉 穆怀慈 卢王威 
使用多温区摇摆炉摇摆法制备了Ф52 mm的碲化镉多晶,深入研究了不同装料方式、温度工艺对晶体样品表面状态的影响规律。碲化镉晶体属于立方晶系,为闪锌矿结构。随着装料层数的增加,第一反应温度波动区温度升幅由172℃增加至278℃,温度...
关键词：碲化镉 温度工艺 装料方式 表面状态 摇摆法 
砷锗镉晶体的生长和变温霍尔效应研究
《人工晶体学报》2022年第2期193-199,共7页李佳樨 熊正斌 肖骁 刘心尧 余孟秋 陈宝军 黄巍 何知宇 
四川省应用基础计划(2016JY0121)。
采用温度振荡法和改进的布里奇曼法进行了CdGeAs_(2)多晶合成与单晶生长,生长出∅28 mm×65 mm完整无开裂的CdGeAs_(2)单晶体。用金刚石外圆切割机切割出CdGeAs_(2)晶片,采用X射线衍射(XRD)和X射线能量色散谱仪(EDS)对合成的多晶粉末和...
关键词：半导体晶体 CdGeAs_(2)晶体 类籽晶技术 布里奇曼法 单晶生长 多晶合成 变温霍尔效应 红外透过谱 
磷化铟的长晶技术和应用
《科技风》2020年第32期182-184,共3页周铁军 廖彬 宋向荣 
国家工信部2019年工业强基-超薄锗单晶实施方案(编号:TC190A4DA/34)项目资助。
磷化铟(InP)作为一种重要的Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体材料,具有直接跃迁型能带结构、禁带宽度较宽,广泛用于光纤通信工程中;光电转换效率较高,应用于太阳能电池片;电子迁移率高、抗辐射能力较强,应用于集成电路及高速高频器件当中。国家新材...
关键词：磷化铟 多晶合成 单晶生长 
中远红外非线性光学晶体AgGaGenQ2(n+1)(Q=S、Se)研究进展
《人工晶体学报》2020年第8期1417-1426,共10页黄巍 何知宇 陈宝军 朱世富 赵北君 
国家自然科学基金(51702222);四川大学专职博士后研发基金(2017SCU12002)。
AgGaGenQ2(n+1)(Q=S、Se)晶体是性能优异的中红外高功率非线性光学材料,在红外跟踪、制导、激光反卫星和激光医学等领域有重大应用前景。本文综合评述了AgGaGenQ2(n+1)(Q=S、Se)晶体的发展历程和研究进展,总结了本实验室已报道,以及最...
关键词：AgGaGenQ2(n+1)(Q=S、Se)晶体 多晶合成 单晶生长 热膨胀系数 激光损伤阈值 
AgGaS_2晶体生长研究进展
《中国照明电器》2017年第8期20-23,共4页吴小娟 
综合报道了国内AgGaS_2晶体生长的研究进展。单相高纯的AgGaS_2多晶材料主要采用两温区气相输运温度振荡法和普通输运法合成。垂直Bridgman法是生长完整、大尺寸的AgGaS_2单晶体主要方法。其中又可分为籽晶定向法和三温区坩埚下降法。...
关键词：硫镓银 多晶合成 单晶生长 
高纯硒化镉(CdSe)多晶原料的合成研究被引量：2
《人工晶体学报》2017年第7期1203-1208,共6页倪友保 陈诗静 吴海信 张春丽 黄昌保 王振友 
中国科学院科技创新基金(CXJJ-16M128)
硒化镉(CdSe)是一种重要的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,在核辐射探测、非线性频率转换等方面都有着重要的应用。高纯原料是生长优质CdSe单晶,实现上述应用的基础,但目前合成方法存在效率低、纯度不高等缺点。为此实验室对传统高温元素合成法进行...
关键词：硒化镉 多晶合成 Ⅱ-Ⅵ族半导体 
ZnGeAs_2多晶合成与表征
《人工晶体学报》2017年第3期393-397,共5页钟义凯 赵北君 何知宇 黄巍 陈宝军 朱世富 杨登辉 冯波 
ZnGeAs_2是黄铜矿结构的三元化合物半导体材料,在红外非线性光学方面有重要应用前景。本文探讨了ZnGeAs_2多晶的形成途径和合成机理,报道了一种ZnGeAs_2多晶合成方法。以高纯(6N)Zn、Ge、As单质为原料,按化学计量比,富Zn1‰和As2‰配料...
关键词：红外非线性光学晶体 砷锗锌 多晶合成 双温区合成方法 
AgGaS_2多晶合成工艺改进研究被引量：1
《人工晶体学报》2016年第6期1608-1610,1618,共4页吴小娟 赵欣 
四川省科技厅基金(2015ZR0034);中国民用航空飞行学院科研基金(J2014-92)
按同成分熔化点配料,采用改进了合成温控条件的双温区气相输运法成功合成出AgGaS_2多晶原料,通过精确控温,有效避免了反应过程中由S蒸汽压过大引发的合成石英安瓿炸裂,提高了AgGaS_2多晶合成的质量和成功率。经过XRD、DSC测试分析,结果...
关键词：硫镓银 多晶合成 双温区 
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