赵北君

作品数：177被引量：390H指数：10
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中远红外非线性光学晶体AgGaGenQ2(n+1)(Q=S、Se)研究进展
《人工晶体学报》2020年第8期1417-1426,共10页黄巍 何知宇 陈宝军 朱世富 赵北君 
国家自然科学基金(51702222);四川大学专职博士后研发基金(2017SCU12002)。
AgGaGenQ2(n+1)(Q=S、Se)晶体是性能优异的中红外高功率非线性光学材料,在红外跟踪、制导、激光反卫星和激光医学等领域有重大应用前景。本文综合评述了AgGaGenQ2(n+1)(Q=S、Se)晶体的发展历程和研究进展,总结了本实验室已报道,以及最...
关键词：AgGaGenQ2(n+1)(Q=S、Se)晶体 多晶合成 单晶生长 热膨胀系数 激光损伤阈值 
CdSiP_2多晶提纯与单晶生长
《人工晶体学报》2018年第7期1299-1304,共6页冯波 赵北君 何知宇 陈宝军 黄巍 刘慧 刘梦迪 沙铭宇 
国家自然科学基金(51172149)
采用重结晶技术,对CdSiP_2多晶进行快速下降提纯,以提纯后的晶锭为原料,利用改进的垂直布里奇曼法生长出CdSiP_2单晶体,尺寸达Φ18 mm×51 mm。经能量色散仪(EDS),X射线衍射(XRD),X射线光电子能谱(XPS)以及电感耦合等离子体光谱仪(ICP)...
关键词：CdSiP2 提纯 单晶生长 表征 ICP-AES 
ZnGeAs_2多晶合成与表征
《人工晶体学报》2017年第3期393-397,共5页钟义凯 赵北君 何知宇 黄巍 陈宝军 朱世富 杨登辉 冯波 
ZnGeAs_2是黄铜矿结构的三元化合物半导体材料,在红外非线性光学方面有重要应用前景。本文探讨了ZnGeAs_2多晶的形成途径和合成机理,报道了一种ZnGeAs_2多晶合成方法。以高纯(6N)Zn、Ge、As单质为原料,按化学计量比,富Zn1‰和As2‰配料...
关键词：红外非线性光学晶体 砷锗锌 多晶合成 双温区合成方法 
CdSiP_2晶体退火及对红外光学性能的影响
《稀有金属材料与工程》2016年第10期2723-2728,共6页林莉 赵北君 朱世富 何知宇 陈宝军 孙宁 黄巍 杨登辉 钟义凯 朱璞 
国家自然科学基金(51172149)
采用改进的布里奇曼法生长出Cd Si P_2单晶体,运用X射线能谱仪、傅里叶变换红外分光光度计以及红外显微镜等对在不同气氛中退火前后的Cd Si P_2晶体进行了组分元素、红外吸收系数以及红外透过均匀性测试,根据红外显微镜Mapping图像的标...
关键词：CD Si P2晶体 退火热处理 红外吸收系数 红外透射Mapping图像 红外透过均匀性 
退火和电子辐照复合处理对ZnGeP_2单晶性能的改进研究被引量：1
《人工晶体学报》2016年第7期1723-1726,共4页赵张瑞 朱世富 赵北君 陈宝军 何知宇 杨登辉 刘伟 谢虎 吴嘉琪 
国家自然科学基金重点项目(50732005)
采用退火和电子辐照相结合的复合工艺方法,对ZnGeP_2晶体进行生长后处理。采用傅里叶红外光谱仪(FTIR)和高阻仪(HRM)等,对经不同次序的复合工艺处理前后样品的红外透过率和电阻率进行了测试。结果表明,采用先退火后电子辐照的复合处理工...
关键词：ZNGEP2 退火 电子辐照 复合处理 红外透过率 
高能电子辐照和退火对磷锗锌晶体红外光学性质的影响
《人工晶体学报》2016年第2期301-303,共3页刘伟 朱世富 赵北君 陈宝军 何知宇 杨登辉 谢虎 赵张瑞 
国家自然科学基金重点项目(50732005)
对采用改进的垂直布里奇曼法生长出的磷锗锌(ZnGeP2)单晶体样品,在300 K,10 MeV高能电子束下进行辐照实验,测试辐照前后其红外透过率。同时,对样品进行同成分粉末包裹退火处理,对比两种工艺对磷锗锌晶体红外透过率的影响。实验结果表明...
关键词：磷锗锌 高能电子辐照 退火 红外透过率 
CdGeAs_2晶体的热膨胀行为研究
《无机材料学报》2016年第2期165-170,共6页甄珍 赵北君 朱世富 何知宇 陈宝军 黄巍 蒲云肖 钟义凯 
国家自然科学基金重点项目(50732005);国家863计划项目(2007AA03Z443)~~
采用WinTA 100热膨胀仪研究了四方黄铜矿CdGeAs_2晶体在320~620 K温度范围内的热膨胀行为,探索了CdGeAs_2晶体热膨胀各向异性的物理机制。测定晶体a轴和c轴方向的热膨胀系数αa和αc发现,αa〉〉αc〉0,表现出强烈的各向异性热膨胀特性...
关键词：CdGeAs_2晶体 热膨胀 四方畸变 
坩埚材料对生长CdSiP_2晶体表面的影响研究被引量：1
《人工晶体学报》2015年第12期3617-3621,共5页吴敬尧 朱世富 赵北君 何知宇 陈宝军 黄巍 孙宁 林莉 王黎罡 
国家自然科学基金(51172149)
针对CdSiP_2晶体生长过程中,晶体表面与石英坩埚内壁严重粘连甚至开裂的问题,研究了柔性氮化硼(PBN)内衬坩埚生长CdSiP_2晶体的新工艺。运用X射线能量色散谱仪(EDS)和X射线光电子能谱仪(XPS)分别对两种坩埚材料生长的CdSiP_2晶体表面元...
关键词：CdSiP2 晶体生长 石英坩埚 氮化硼坩埚 
CdSiP_2单晶退火研究
《人工晶体学报》2015年第12期3455-3459,3466,共6页孙宁 赵北君 何知宇 陈宝军 朱世富 黄巍 吴敬尧 林莉 钟义凯 
国家自然科学基金(51172149)
以高纯(6N)Cd、Si、P单质为原料,采用双温区气相输运法和改进的垂直布里奇曼法合成生长出等径尺寸为Φ17 mm×65 mm的CdSiP_2单晶锭,经切割抛光得到CdSiP_2晶片。将样品分别置于真空、镉气氛、磷气氛和在同成分粉末包裹中进行了退火试...
关键词：CdSiP2晶体 退火 晶体成分 红外透过率 
磷硅镉的差热分析与晶体生长（英文）被引量：2
《稀有金属材料与工程》2015年第11期2665-2669,共5页杨辉 朱世富 赵北君 何知宇 陈宝军 吴圣灵 吴敬尧 孙宁 
National Natural Science Foundation of China(51172149)
利用毛细管中的差热分析研究了磷硅镉晶体的热力学性质,得到了磷硅镉的熔点和凝固点分别为1139和1126℃,过冷度为13℃。根据差热分析结果,对晶体生长炉以及温场分布进行了优化,采用改进的布里奇曼法生长得到了直径15 mm,长40 mm的无开...
关键词：磷硅镉 晶体生长 表征 差热分析 
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