磷化铟的长晶技术和应用  

作　　者：周铁军 廖彬 宋向荣 

机构地区：[1]广东先导先进材料股份有限公司,广东清远511517 [2]国家稀散金属工程技术研究中心,广东先导稀材股份有限公司,广东清远511517

出　　处：《科技风》2020年第32期182-184,共3页

基　　金：国家工信部2019年工业强基-超薄锗单晶实施方案(编号:TC190A4DA/34)项目资助。

摘　　要：磷化铟(InP)作为一种重要的Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体材料,具有直接跃迁型能带结构、禁带宽度较宽,广泛用于光纤通信工程中;光电转换效率较高,应用于太阳能电池片;电子迁移率高、抗辐射能力较强,应用于集成电路及高速高频器件当中。国家新材料"十三五"规划将磷化铟作为"十三五"期间需要大力发展的半导体材料,也表明,磷化铟材料,越来越得到重视。本文根据行业的发展及相关信息,综述了磷化铟多晶合成技术、单晶生长工艺和应用。

关 键 词：磷化铟 多晶合成 单晶生长 

分 类 号：TG1[金属学及工艺—金属学]