刘红艳

作品数：3被引量：2H指数：1
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供职机构：河北工业大学材料科学与工程学院更多>>
发文主题：半绝缘砷化镓大直径本征缺陷光学LEC更多>>
发文领域：电子电信建筑科学理学一般工业技术更多>>
发文期刊：《材料热处理学报》更多>>
所获基金：河北省科学技术研究与发展计划项目河北省自然科学基金更多>>
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热处理对大直径半绝缘砷化镓中EL2缺陷的影响
《材料热处理学报》2012年第7期9-12,共4页王丽华 郝秋艳 解新建 刘红艳 刘彩池 
河北省自然科学基金资助项目(08B013)
利用金相显微镜和微区红外测量技术分析热处理对液封直拉法生长的大直径半绝缘砷化镓(LEC SI-GaAs)单晶中深施主缺陷EL2的影响。结果表明,原生大直径SI-GaAs样品中EL2缺陷浓度沿直径方向的分布呈现中心区域较高、近中心区域最低、边缘...
关键词：半绝缘砷化镓 热处理 EL2缺陷 微区红外测量技术 
半绝缘砷化镓中本征缺陷的光学显微研究被引量：2
《现代仪器》2008年第3期38-40,共3页刘红艳 孙卫忠 王娜 郝秋艳 刘彩池 
河北省科学技术研究与发展指导计划和河北工业大学博士启动基金(07215138)
本文利用光学显微技术系统分析热处理对液封直拉法生长的半绝缘砷化镓（LECSI-GaAs）中本征缺陷的影响。实验结果表明，晶体生长后的热处理可以影响砷沉淀的密度与分布。500℃热处理对As沉淀的密度无明显影响；真空条件下，在850-930℃...
关键词：半绝缘砷化镓 热处理 砷沉淀 光学显微技术 
X射线衍射仪在研究砷化镓缺陷中的应用
《现代仪器》2007年第4期60-62,共3页王海云 刘红艳 徐岳生 刘彩池 
本文采用X射线衍射仪(XRD),通过异常透射对半绝缘砷化镓(SI-GaAs)的形貌及缺陷进行研究。在没有特殊工艺措施的情况下,LEC法生产的SI-GaAs单晶片的周边区域,都存在有高密度位错的相互作用、割阶和缠绕的产物-胞状结构。X射线形貌技术可...
关键词：X射线衍射仪 异常透射 小角度晶界 胞状结构 
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