徐岳生

作品数：39被引量：77H指数：4
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供职机构：河北工业大学材料科学与工程学院信息功能材料研究所更多>>
发文主题：直拉硅硅GAN粘度半绝缘砷化镓更多>>
发文领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>
发文期刊：《科学通报》《液晶与显示》《材料导报》《功能材料与器件学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金河北省自然科学基金教育部科学技术研究重点项目教育部“新世纪优秀人才支持计划”更多>>
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半导体硅熔体的有效(磁)黏度被引量：1
《物理学报》2008年第6期3875-3879,共5页张雯 刘彩池 王海云 徐岳生 石义情 
河北省自然科学基金(批准号:503054);国家自然科学基金(批准号:50372016);河北工业大学博士启动基金;教育部科学研究重点项目(批准号:205017)资助的课题~~
用钕铁硼(NdFeB)永磁材料构建"魔环"结构的永磁体,向直拉硅生长的熔体所在空间引入磁场,采用回转振荡法测量不同磁场强度下硅熔体的有效黏度(磁黏度).在温度一定时,测得的磁黏度随着磁场强度的增加而增加,二者呈抛物线关系.熔硅温度升高...
关键词：硅熔体 有效(磁)黏度 魔环永磁体 回转振荡法 
水平磁场下硅熔体的有效粘度
《人工晶体学报》2008年第1期93-96,共4页徐岳生 张雯 王海云 刘彩池 石义情 
国家自然科学基金资助项目(No.50372016);教育部科学研究重点项目(No.205017)
用钕铁硼（NdFeB）永磁材料构建“魔环”结构的永磁体,向直拉硅生长的熔体所在空间引入磁感应强度,采用回转振荡法测量不同磁场强度下硅熔体的磁粘度（有效粘度）。在温度一定时,粘度随着磁场强度的增加而增加,二者呈抛物线关系。熔硅...
关键词：硅熔体 有效粘度 回转振荡法 魔环永磁体 钕铁硼永磁 
半导体硅熔体电导率的间接测量被引量：3
《人工晶体学报》2008年第1期102-103,101,共3页徐岳生 刘彩池 王海云 张雯 石义情 
国家自然科学基金资助项目(No.50372016);教育部科学研究重点项目(No.205017)
本文通过在磁场下测定硅熔体的粘度,根据ηeff=（μBb）2σ关系式,间接计算出硅熔体的电导率。其结果与用其他方法测试的数值吻合。用电子导电、离子导电的变化,解释了硅熔体在1420～1690℃范围电导率的变化,研究结果对指导大直径硅单...
关键词：环境相 磁粘度 熔硅电导率 
垂直磁场对锗熔体磁粘度的影响
《功能材料》2007年第A02期913-915,共3页张雯 徐岳生 
河北省自然科学基金资助项目（503054）.
采用旋转转子法，测量研究了不同垂直磁场条件下，不同温度时锗熔体的磁粘度。结果表明，随着磁场强度的增加，锗熔体的粘度降低了，而且粘度的降低和磁场强度不呈单调关系。用“磁场直拉硅原理的微观解释”，可以较好地解释垂直磁场中...
关键词：锗熔体 垂直磁场 旋转转子法 粘度 
X射线衍射仪在研究砷化镓缺陷中的应用
《现代仪器》2007年第4期60-62,共3页王海云 刘红艳 徐岳生 刘彩池 
本文采用X射线衍射仪(XRD),通过异常透射对半绝缘砷化镓(SI-GaAs)的形貌及缺陷进行研究。在没有特殊工艺措施的情况下,LEC法生产的SI-GaAs单晶片的周边区域,都存在有高密度位错的相互作用、割阶和缠绕的产物-胞状结构。X射线形貌技术可...
关键词：X射线衍射仪 异常透射 小角度晶界 胞状结构 
磁场中硅熔体的磁黏度被引量：1
《Journal of Semiconductors》2007年第1期65-68,共4页张雯 徐岳生 王胜利 
国家自然科学基金(批准号:50372016);河北省自然科学基金(批准号:503054);河北工业大学博士启动基金资助项目~~
利用魔环磁场,对硅熔体施加横向可调的磁场.采用回转振荡法,测量了硅熔体在不同温度、不同水平方向磁场下的磁黏度.研究结果表明,引入磁场,使硅熔体的磁黏度增加,且磁黏度与磁场强度呈抛物线关系.
关键词：回转振荡法 魔环磁场 硅熔体 磁黏度 
非掺半绝缘砷化镓中的杂质与微缺陷被引量：1
《稀有金属材料与工程》2006年第10期1544-1547,共4页孙卫忠 牛新环 王海云 刘彩池 徐岳生 
国家自然科学基金(60276009);中国人民解放军总装备部(00JS02.2.1QT4501);河北省自然科学基金(599033)资助项目
用化学腐蚀法、金相显微观察、透射电镜(TEM)、电子探针X射线微区分析(EPMA)和扫描电镜能谱分析(EDX)等手段,对φ76mm非掺杂(ND)半绝缘砷化镓(SI-GaAs)单晶中微缺陷、碳的微区分布进行了分析。结果表明:在晶体周边区域,由高密度位错运...
关键词：SI-GAAS 微缺陷 位错 AB腐蚀 杂质碳 
高温熔体粘度仪在半导体熔体研究中应用
《现代仪器》2006年第3期34-35,30,共3页石义情 张雯 王海云 刘彩池 徐岳生 
教育部科学研究重点项目(205017);国家自然科学基金(50372016);河北省自然科学基金项目
本文介绍带可调水平磁场的高精度高温熔体粘度测量仪在半导体熔体粘度测试中的应用。该仪器试验用料少、测试温度范围宽、磁场均匀可调、精度高。利用回转振动法对硅、锗等半导体熔体的粘度进行测试分析,获得许多有意义的结果。
关键词：粘度仪 硅 锗 半导体熔体 粘度 
Si基外延GaN中位错的光助湿法化学显示
《Journal of Semiconductors》2006年第6期1046-1050,共5页赵丽伟 刘彩池 滕晓云 郝秋艳 朱军山 孙世龙 王海云 徐岳生 冯玉春 郭宝平 
教育部新世纪优秀人才支持计划;河北省自然科学基金(批准号:E2005000042)资助项目~~
采用1000W卤钨灯作为光源,对GaN外延膜在KOH溶液中进行化学腐蚀,以显示晶体位错.采用扫描电子显微镜、原子力显微镜观察位错密度及表面形貌,得到了清晰的腐蚀图形.提出了腐蚀机理,光照激发位错处产生电子空穴对,加速位错处的腐蚀速率.Ga...
关键词：GAN 湿法化学腐蚀 六角腐蚀坑 
缓冲层温度对Si(11上GaN表面形貌影响
《液晶与显示》2006年第1期6-10,共5页朱军山 赵丽伟 孙世龙 滕晓云 刘彩池 徐岳生 
教育部新世纪优秀人才支持计划;河北省自然科学基金资助项目(No.E2005000042)
用不同温度的Al N缓冲层在Si(111)衬底上外延GaN薄膜。通过对薄膜表面扫描电子显微镜(SEM)和高分辨率双晶X射线衍射(DCXRD)的分析,研究了缓冲层生长温度对外延层表面形貌的影响,分析解释了表面形貌中凹坑的形成及缓冲层生长温度对凹坑...
关键词：GAN SI(111) 缓冲层 表面形貌 
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