牛新环

作品数：73被引量：301H指数：9
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供职机构：河北工业大学更多>>
发文主题：化学机械抛光CMP抛光液去除速率碱性抛光液更多>>
发文领域：电子电信金属学及工艺自动化与计算机技术一般工业技术更多>>
发文期刊：《课程教育研究》《传感技术学报》《微电子学》《学园》更多>>
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IC铜布线CMP过程中缓蚀剂应用的研究进展被引量：7
《半导体技术》2019年第11期863-869,共7页王玄石 高宝红 曲里京 檀柏梅 牛新环 刘玉岭 
国家自然科学基金资助项目(61704046);国家科技重大专项资助项目(2016ZX02301003-004-007);河北省自然科学基金资助项目(F2018202174,F2018202133)
化学机械抛光(CMP)是集成电路(IC)制造过程中的一种基本工艺。在铜CMP过程中,缓蚀剂在获得全局平面化和防止腐蚀方面起着关键作用。阐述了常用的缓蚀剂--苯并三氮唑(BTA)在抛光液中的应用,并指出BTA由于其本身的局限性已经难以适应IC发...
关键词：缓蚀剂 化学机械抛光(CMP) 苯并三氮唑(BTA) 结构性损伤 电偶腐蚀 
不同络合剂对铜布线CMP抛光液性能的影响被引量：5
《微纳电子技术》2018年第3期201-205,223,共6页刘国瑞 刘玉岭 栾晓东 王辰伟 牛新环 
国家中长期科技发展规划科技重大专项(2016ZX02301003);河北省自然科学基金资助项目(E2013202247);河北省自然科学基金青年基金资助项目(F2015202267);河北省教育厅科研基金资助项目(QN2014208);天津市自然科学基金资助项目(16JCYBJC16100)
分别选用FA/O螯合剂和甘氨酸作为络合剂配置铜布线CMP抛光液,研究对比了两种抛光液的抛光速率、静态腐蚀溶解速率、平坦化以及稳定性。速率实验表明,抛光液中加入FA/O螯合剂和甘氨酸都可以显著提高铜的抛光速率,基于甘氨酸配置的抛光液...
关键词：FA/O螯合剂 平坦化 稳定性 甘氨酸 缓蚀剂 
CMP中TEOS去除速率的一致性被引量：5
《微纳电子技术》2017年第9期639-644,共6页张凯 刘玉岭 王辰伟 牛新环 江自超 韩丽楠 
国家中长期科技发展规划重大专项资助项目(2009ZX02308);河北省自然科学基金青年基金资助项目(F2015202267);天津市自然科学基金资助项目(16JCYBJC16100);河北工业大学优秀青年科技创新基金资助项目(2015007)
针对300 mm正硅酸乙酯(TEOS)镀膜片在化学机械平坦化(CMP)过程中中心去除速率快而边缘去除速率慢的问题,研究了抛光头摆动位置、抛光头不同区域压力和非离子型表面活性剂对TEOS去除速率一致性的影响。实验结果显示,抛光头距抛光盘中心越...
关键词：正硅酸乙酯(TEOS) 化学机械平坦化(CMP) 非离子型表面活性剂 去除速率一致性 片内非均匀性(WIWNU) 
铜CMP碱性抛光液中氧化剂的电化学行为研究被引量：2
《微电子学》2017年第4期586-589,592,共5页贾英茜 牛新环 腰彩红 
国家02重大专项资助项目(2016ZX02301003-004-007);河北省自然科学基金资助项目(E2013202247;F2015202267);天津市自然科学基金资助项目(16JCYBJC16100)
化学机械抛光(CMP)工艺是IC工艺中大马士革工序的关键步骤。抛光液的电化学行为研究对抛光质量的控制具有重要意义。采用电化学测试手段,研究碱性抛光液中氧化剂(H_2O_2)对铜表面钝化膜的成膜影响,分析H_2O_2对抛光速率、表面粗糙度的...
关键词：化学机械抛光 电化学 铜 抛光速率 表面粗糙度 
用于TSV硅衬底的碱性抛光液研究被引量：1
《微电子学》2017年第3期424-428,共5页刘俊杰 李海清 马欣 刘玉岭 牛新环 王如 
国家02重大专项资助项目(2016ZX02301003-004-007);河北省自然科学基金资助项目(E2013202247;F2015202267);天津市自然科学基金资助项目(16JCYBJC16100)
在穿透硅通孔(TSV)工艺中,研究了碱性抛光液组分的组合方式和抛光液的稀释倍数对硅衬底去除速率的影响。分析了硅衬底的去除机理;研究了抛光液对Si/Cu去除速率的选择性;研究了抛光液的存储时间不同时pH值和硅衬底去除速率的变化。该抛...
关键词：穿透硅通孔 化学机械抛光 抛光液 
基于i.MX6Q和OpenGL ES的汽车虚拟仪表的设计被引量：6
《河北工业大学学报》2017年第2期1-5,共5页李睿琦 牛新环 王征宇 姚尧 
国家02重大专项(2016ZX02301003-004-007);天津市自然科学基金(16JCYBJC16100);天津市科技计划项目(10ZCKFGX01300)
该新型汽车虚拟仪表,以恩智浦开发的i.MX6Q为核心处理器搭建硬件开发平台,降低了汽车仪表的开发成本,提升了GPU利用率,创建多线程程序,减小了物理空间.同时,以Linux系统构建软件开发环境,利用Open GL ES对仪表系统进行设定VBO操作,3DS...
关键词：虚拟仪表 i.MX6Q OPENGL ES 3DS 图形界面开发 
超精密加工中铜表面CMP后残余金属氧化物的去除被引量：3
《稀有金属》2017年第2期146-154,共9页顾张冰 牛新环 刘玉岭 高宝红 王辰伟 邓海文 
国家中长期科技发展规划02科技重大专项项目(2009ZX02308-003;2014ZX02301003-007);河北省自然科学基金项目(F201502267)资助
多层铜布线经过化学机械平坦化(CMP)后,铜线条表面会残留CuO颗粒,它会对器件的稳定性有很大的影响,因此在CMP后清洗时必须把CuO从铜表面去除。这就要求有一种可以有效去除铜表面CuO的清洗剂。本研究中提出的新型复合清洗剂主要解决两个...
关键词：去除氧化铜 碱性清洗液 电化学 腐蚀抑制剂 
抛光压力与表面活性剂对铜CMP均匀性的影响被引量：10
《半导体技术》2017年第2期119-123,152,共6页赵亚东 刘玉岭 栾晓东 牛新环 王仲杰 
国家中长期科技发展规划重大专项资助项目(2009ZX02308);天津市自然科学基金资助项目(16JCYBJC16100);河北省自然科学基金资助项目(E2013202247)
研究了铜化学机械抛光(CMP)过程中,不同压力和非离子型表面活性剂对片内非均匀性(WIWNU)的影响。通过改变抛光压力大小和非离子型表面活性剂浓度,得出WIWNU的变化规律。实验表明,在不同抛光压力下,铜去除速率有明显的变化。当抛光压力为...
关键词：化学机械抛光(CMP) 片内非均匀性(WIWNU) 抛光压力 非离子型表面活性剂 铜去除速率 
有机胺碱对硅通孔铜膜化学机械抛光的影响被引量：6
《半导体技术》2017年第1期37-42,共6页刘俊杰 刘玉岭 牛新环 王如 
国家科技重大专项资助项目(2016ZX02301003-004-007);河北省自然科学基金资助项目(E2013202247;F2015202267);河北省科技计划资助项目(15211027);河北省博士后择优资助项目(B2015003011);河北省高校研究资助项目(ZC2016027);天津市自然科学基金资助项目(16JCYBJC16100)
有机胺碱可与铜离子反应且产物在碱性条件下溶于水,这为硅通孔(TSV)铜膜的碱性化学机械抛光(CMP)提供了有利条件。研究了大分子有机胺碱对铜膜化学机械抛光的影响。首先测试了不同体积分数有机胺碱对碱性抛光液中磨料粒径和Zeta电位的影...
关键词：硅通孔 有机胺碱 铜膜 化学机械抛光 一致性 
不同粒径硅溶胶磨料对Cu CMP的综合影响被引量：6
《微纳电子技术》2017年第1期58-64,共7页闫辰奇 刘玉岭 张金 张文霞 王辰伟 何平 潘国峰 牛新环 
国家中长期科技发展规划02科技重大专项资助项目(2009ZX02308-003;2014ZX02301003-007);河北省青年自然科学基金资助项目(F2015202267);河北省自然科学重点资助项目(ZD2016123);天津市自然科学基金资助项目(16JCYBJC16100)
结合实验数据详细地分析了基于不同粒径硅溶胶磨料的抛光液对铜化学机械平坦化(CMP)性能的表征。研究表明,磨料粒径是决定CMP效率和最终晶圆表面平坦化质量的重要因素。分析了化学机械抛光过程中的机械作用及质量传递作用。通过在铜光...
关键词：化学机械平坦化(CMP) 磨料粒径 机械作用 质量传递 平坦化性能 
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