云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- SI(111)

SI(111): 作品数：227被引量：238H指数：8; 导出分析报告; 相关领域：理学电子电信更多>>; 相关作者：李延龄冯玉春朱军山王晓亮薛增泉更多>>; 相关机构：中国科学院中国科学技术大学复旦大学浙江大学更多>>; 相关期刊：更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划中国科学院知识创新工程更多>>

Si(111)邻位面衬底上InSb薄膜的外延生长及其可见光电导特性: 《半导体光电》2024年第5期811-816,共6页杜绍增方晨旭刘婷李含冬; 国家自然科学基金项目(62374025,U20A20145).; 锑化铟(InSb)因其在红外探测、高速电子学和量子计算等领域的卓越性能备受关注。文章探索了Si(111)邻位面衬底上InSb薄膜的异质外延生长,并研究了其光电导特性。尝试采用Bi缓冲层结合InSb两步法生长策略解决Si与InSb晶格失配和热膨胀系...; 关键词：INSB薄膜 SI衬底临位面外延 Bi缓冲层

Localized-states quantum confinement induced by roughness in CdMnTe/CdTe heterostructures grown on Si(111) substrates: 《Journal of Semiconductors》2024年第9期28-35,共8页Leonarde N.Rodrigues Wesley F.Inoch Marcos L.F.Gomes Odilon D.D.Couto Jr. Bráulio S.Archanjo Sukarno O.Ferreira; the financial support by the Brazilian funding agencies CAPES, CNPq (306201/2022-4);FAPEMIG (APQ-00371-17, APQ-02500-22, APQ-00388-22, and RED00223-23);FAPESP (2021/06803-4)。; This work shows that despite a lattice mismatch of almost 20%, CdMnTe/CdTe/CdMnTe heterostructures grown directly on Si(111) have surprisingly good optical emission properties. The investigated structures were grown b...; 关键词：CdMnTe/CdTe/CdMnTe heterostructure CdTe/CdMnTe quantum emitters quantum dot-like emission silicon(111)substrate

超高真空原子尺度Au_(x)/Si(111)-(7×7)表面吸附的电荷分布测量: 《物理学报》2023年第11期165-175,共11页冯婕郭强舒鹏丽温阳温焕飞马宗敏李艳君刘俊伊戈尔·弗拉基米罗维奇·雅明斯基; 国家自然科学基金国际合作与交流项目(批准号:62220106012);国家自然科学基金(批准号:51727808,61874100,51922009);山西省杰出青年基金(批准号:202103021221007);山西省“1331”项目重点学科建设基金(批准号:1331KSC)资助的课题.; 原子尺度表面吸附Au原子的物理化学性质对研究纳米器件的制备以及表面催化等起着非常重要的作用.利用调频开尔文探针力显微镜研究了室温下Au在Si(111)-(7×7)表面吸附的电荷分布的特性.首先,利用自制超高真空开尔文探针力显微镜成功得...; 关键词：开尔文探针力显微镜 Si(111)-(7×7) 局域接触势能差表面电荷

利用Al/AlAs中间层调控GaAs在Si(111)上外延生长的研究: 《人工晶体学报》2022年第11期1815-1822,共8页常梦琳樊星张微微姚金山潘睿李晨芦红; 国家重点研发计划(2018YFA0306200,2017YFA0303702);国家自然科学基金(51732006,11890702,51721001)。; 为了实现Ⅲ-V器件在硅基平台上单片集成,近年来Ⅲ-V半导体在硅衬底上的异质外延得到了广泛研究。由于Ⅲ-V半导体与Si之间大的晶格失配以及晶格结构不同,在Si上生长的Ⅲ-V半导体中存在较多的失配位错及反相畴,对器件性能造成严重影响。而...; 关键词：分子束外延 Ⅲ-V族半导体硅基砷化镓异质外延硅基集成

Dynamical evolution of Ge quantum dots on Si(111):From island formation to high temperature decay: 《Aggregate》2022年第4期114-120,共7页Navathej Preetha Genesh Fabrizio De Marchi Stefan Heun Stefano Fontana Rachid Belkhou Rahul Purandare Nunzio Motta Anna Sgarlata Massimo Fanfoni Jennifer MacLeod Oliver MacLean Federico Rosei; Fonds de Recherche du Québec-Nature et Technologies;Canada Research Chair;Natural Sciences and Engineering Research Council of Canada Discovery。; Heteroepitaxial growth is a process of profound fundamental importance as well as an avenue to realize nanostructures such as Ge/Si quantum dots(QDs),with appealing properties for applications in opto-and nanoelectron...; 关键词：epitaxial growth GeSi heterostructures low energy electron microscopy

Experimental observation of pseudogap in a modulation-doped Mott insulator:Sn/Si(111)-(√3×√3)R30°: 《Chinese Physics B》2022年第6期115-119,共5页Yan-Ling Xiong Jia-Qi Guan Rui-Feng Wang Can-Li Song Xu-Cun Ma Qi-Kun Xue; by the National Natural Science Foundation of China(Grant Nos.62074092 and 11604366);the National Key R&D Program of China(Grant No.2018YFA0305603)。; Unusual quantum phenomena usually emerge upon doping Mott insulators.Using a molecular beam epitaxy system integrated with cryogenic sc√annin√g tunneling microscope,we investigate the electronic structure of a modul...; 关键词：pseudogap(PG) modulation doping Mott insulator scanning tunneling microscope(STM)

Ce诱导Si(111)表面重构和相变机制的研究: 《真空科学与技术学报》2022年第4期256-259,共4页王畅王学森肖文德; 国家自然科学基金项目(11734003,21773008);北京市自然科学基金项目(Z190006)。; 利用扫描隧道显微镜,研究了在Si(111)表面沉积Ce原子后在不同温度下退火得到的多种重构。在Ce覆盖度为1/3 ML和样品退火温度500℃下,得到√3×√3-R30°结构。提高样品退火温度至850℃,得到2×3重构。随着样品退火温度升至950℃,样品表...; 关键词：铈 Si(111)-7×7 扫描隧道显微镜表面重构

室温超高真空环境原子尺度Au/Si(111)-(7×7)不定域吸附的局域接触势能差测量技术被引量：1: 《物理学报》2022年第6期84-93,共10页王慧云冯婕王旭东温阳魏久焱温焕飞石云波马宗敏李艳君刘俊; 国家重点研发计划(批准号:2017YFE0130200,2018YFF01012502);国家自然科学基金(批准号:51727808,61874100,61503346,51635011);山西省“1331工程”重点学科建设项目(批准号:1331KSC);山西省自然科学基金(批准号:201701D121080,201803D421037,201901D211253);山西省回国留学人员科研资助项目(批准号:2021-115);2019年山西省高等学校创新人才支持计划资助的课题.; 利用自制超高真空非接触调频开尔文探针力显微镜系统地研究了Au/Si(111)-(7×7)的结构和局域接触势能差.虽然扫描隧道显微镜已被广泛应用于原子尺度金属吸附半导体表面的研究,但仅局限在观测金属和半导体表面.开尔文探针力显微镜允许在...; 关键词：开尔文探针力显微镜 Au/Si(111)-(7×7) 表面局域接触势能差

Molecular beam epitaxy growth of monolayer hexagonal MnTe_(2)on Si(111)substrate: 《Chinese Physics B》2021年第12期142-147,共6页S Lu K Peng P D Wang A X Chen W Ren X W Fang Y Wu Z Y Li H F Li F Y Cheng K L Xiong J Y Yang J Z Wang S A Ding Y P Jiang) L Wang Q Li F S Li L F Chi; Project supported by the National Natural Science Foundation of China(Grant Nos.11604366,11634007,21872099,and 22072102);the National Natural Science Foundation of Jiangsu Province,China(Grant No.BK 20160397);support from the Youth Innovation Promotion Association of Chinese Academy of Sciences(Grant No.2017370)。; Monolayer MnTe_(2)stabilized as 1 T structure has been theoretically predicted to be a two-dimensional(2 D)ferromagnetic metal and can be tuned via strain engineering.There is no naturally van der Waals(vdW)layered Mn...; 关键词：molecular beam epitaxy hexagonal MnTe_(2) band structure

Si(111)Electrode/Electrolyte Interfacial Studied by in-situ Second Harmonic Generation: 《Chinese Journal of Chemical Physics》2020年第5期554-560,I0078,共8页Cai-he Liu Rui-peng Bai Yu Bai Yuan Guo Zhen Zhang; supported by the National Natural Science Foundation of China(No.21673251,No.21773258,No.21873104,and No.91856121);the Chinese Academy of Sciences(No.JKYYQ20180014)。; Si(111)electrode has been widely used in electrochemical and photoelectrochemical studies.The potential dependent measurements of the second harmonic generation(SHG)were performed to study Si(111)electrode interface.A...; 关键词：Second harmonic generation Si(111)electrode/electrolyte Doping density

高级检索 检索式检索

时间限定

期刊范围

学科限定全选

高级检索 检索式检索

时间限定

期刊范围

学科限定全选

SI(111)

检索结果分析

下载全文

高级检索检索式检索

时间限定

期刊范围

学科限定全选

高级检索 检索式检索

时间限定

期刊范围

学科限定全选

SI(111)

检索结果分析

下载全文

用户登录

高级检索检索式检索