INSB薄膜

作品数：25被引量：22H指数：2
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Si(111)邻位面衬底上InSb薄膜的外延生长及其可见光电导特性
《半导体光电》2024年第5期811-816,共6页杜绍增 方晨旭 刘婷 李含冬 
国家自然科学基金项目(62374025,U20A20145).
锑化铟(InSb)因其在红外探测、高速电子学和量子计算等领域的卓越性能备受关注。文章探索了Si(111)邻位面衬底上InSb薄膜的异质外延生长,并研究了其光电导特性。尝试采用Bi缓冲层结合InSb两步法生长策略解决Si与InSb晶格失配和热膨胀系...
关键词：INSB薄膜 SI衬底 临位面外延 Bi缓冲层 
InSb-In共晶体磁阻薄膜的制备及特性分析
《黑龙江科学》2024年第12期90-93,共4页李锋 
利用纯度为99.99%的铟和锑单质为原料,采用真空蒸发法,制备了InSb-In共晶体磁阻薄膜,对薄膜进行热处理。通过实验对锑化铟薄膜的物相构成、表面形貌进行分析,探讨成膜条件、退火条件等因素对薄膜结构及性能的影响。结果表明,InSb薄膜是I...
关键词：INSB薄膜 真空蒸发 热处理 灵敏度 
InSb薄膜的剪切性能研究
《固体力学学报》2023年第2期157-171,共15页丁逸轩 陆忠涛 李国栋 
省级大学生创新创业训练计划项目(S202110497133)资助
InSb薄膜广泛应用于高精度的光电存储、红外探测等技术中.为了提高InSb材料的剪切强度,优化其力学性能,论文对InSb薄膜分别从不同厚度、温度、滑移系取向、孔洞密度等几个方面,对InSb薄膜的剪力响应及其原子构型演变进行分析,以研究其...
关键词：分子动力学 INSB薄膜 剪切性能 
温度和气压对InSb薄膜中Sb/In摩尔比的影响
《半导体技术》2021年第7期546-552,共7页欧琳 王静 林兴 赵勇 惠一恒 胡鹏飞 王广才 
中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(63191204,63181217)。
锑化铟(InSb)作为Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料广泛应用于红外探测器、霍尔元件等领域。InSb薄膜中Sb/In摩尔比直接影响薄膜的电学、光学等性能。采用真空镀膜方法难以精确控制薄膜中Sb/In摩尔比。采用真空热阻共蒸发的方法制备InSb薄膜,获...
关键词：INSB 摩尔比 温度 气压 真空镀膜 
InSb薄膜热导率温度特性及传热机理被引量：1
《大连理工大学学报》2018年第5期519-525,共7页黄正兴 孙豪 李奇松 管相宇 
国家自然科学基金资助项目(61131004);辽宁省自然科学基金资助项目(201602153)
InSb薄膜广泛应用于高精度的光电存储、红外探测和红外热成像技术以及超分辨掩膜层技术中.热导率及其温度特性是影响薄膜实际应用的关键因素.采用瞬态热反射方法测试了厚度为70~200nm的InSb薄膜在非晶态和晶态下热导率,并探讨了其中的...
关键词：INSB薄膜 晶态和非晶态 热导率 温度特性 
高质量InSb薄膜的MBE同质和异质外延生长被引量：3
《激光与红外》2018年第3期352-357,共6页尚林涛 周翠 沈宝玉 周朋 刘铭 强宇 王彬 
InSb是3~5μm中波红外波段具有重要研究意义的材料。本文以单位内部生产的InSb(100)衬底为基础,通过摸索InSb(100)衬底的脱氧、生长温度和Ⅴ/Ⅲ束流比,获得了高质量的InSb同质外延样品,1.5μm样品的表面粗糙度RMS≈0.3 nm(10μm×10μm)...
关键词：INSB InSb/GaAS 分子束外延 同质外延 异质外延 
Zn掺杂InSb薄膜的电特性被引量：1
《稀有金属》2017年第9期1012-1018,共7页李英哲 吴勇 姜勇 汪庭文 李武哲 韩明日 
国家自然科学基金青年科学基金项目(51501007);国家科技部重大研究计划(纳米专项)项目(2012CB932702)资助
研究了Zn掺杂InSb蒸镀薄膜杂质浓度和热处理条件对其电性能的影响。InSb薄膜采用三温度法在云母基片上制备,利用蒸镀Zn扩散后进行区熔再结晶的方法掺杂Zn杂质。在进行区熔再结晶时为了防止InSb分解和Sb的蒸发,用磁控溅射方法在InSb薄膜...
关键词：INSB薄膜 Zn掺杂 磁阻效应 区熔再结晶 电子迁移率 
分子束外延InSb薄膜缺陷分析被引量：1
《激光与红外》2014年第9期1007-1010,共4页周朋 刘铭 邢伟荣 尚林涛 巩锋 
实现高温工作已经成为了第三代红外探测器的重要发展方向。为了达到这个目标,首先要降低探测器材料的各种缺陷。本文主要研究了不同生长条件对InSb分子束外延薄膜的晶体质量的影响,并采用金相显微镜、X射线双晶衍射仪、扫描电子显微镜及...
关键词：INSB 缺陷 MBE 薄膜材料 
InSb薄膜分子束外延技术研究被引量：9
《激光与红外》2013年第11期1256-1259,共4页刘铭 程鹏 肖钰 折伟林 尚林涛 巩锋 周立庆 
InSb材料由于其优异的光电性能,一直是军事领域重要的红外探测器材料。而高温工作是InSb发展的一个重要方向,开发分子束外延InSb材料是实现高温工作的基础。本文采用分子束外延工艺生长获得了高质量的InSb薄膜,通过金相显微镜、X射线双...
关键词：InSb外延膜 分子束外延 晶体质量 128×128 
非晶态InSb薄膜的光学非线性特性及其超分辨效应被引量：2
《光学学报》2013年第9期295-302,共8页蔡晓林 魏劲松 严辉 
国家自然科学基金(51172253;61137002)
用磁控溅射法制备了K9基片/非晶态InSb/ZnS-SiO2样品。利用椭圆偏振光谱仪对非晶态InSb薄膜的光学常数进行了测量,利用傅里叶变换红外光谱仪得到光学带隙为0.26eV。采用改进的Z-扫描装置对405nm波长的非线性吸收和非线性折射进行了测量...
关键词：薄膜 光学非线性 Z-扫描 非晶态InSb 超分辨 光存储 
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