强宇

作品数:6被引量:19H指数:3
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基于正交设计的Si基复合衬底优化工艺试验被引量:4
《激光与红外》2019年第11期1353-1356,共4页王丛 强宇 高达 师景霞 
在正交设计的基础上,通过一系列工艺测试实验,研究了MEE外延温度、MEE退火温度、CdTe外延温度、CdTe退火温度对Si基复合衬底的两个关键质量因素FWHM和表面粗糙度的影响。通过统计技术对测得的实验数据进行了方差分析,结果表明,CdTe退火...
关键词:正交设计 SI基 复合衬底 工艺优化 
束流强度分布与膜厚的关系被引量:1
《红外》2019年第9期23-27,共5页李震 王文燕 强宇 王丛 高达 
为了验证束流强度分布对膜厚的影响,通过束流分布的理论计算模拟出外延膜的分布,并与外延实验样品数据进行了对比,结果证实了我们的猜测,可以部分解释膜厚分布不均的情况。利用公式计算束流强度的分布,得出最薄点应为最厚点的73.26%。...
关键词:MBE 硅基衬底 束流分布 
偏转角(211)Si基CdTe复合衬底研究被引量:1
《激光与红外》2018年第7期876-879,共4页王丛 高达 王经纬 强宇 周立庆 
国防基础科研计划项目(No.JCKY2016210B002)资助
晶面偏角是提高(211)Si基CdTe复合衬底质量的方法之一。通过对偏转角Si基CdTe复合衬底分子束外延工艺的研究,发现2°和3°偏转角(211)Si基CdTe复合衬底在晶体质量方面优于标准(211)Si基CdTe复合衬底,是未来提高Si基CdTe复合衬底质量的...
关键词: 碲化镉 偏转角Si衬底 分子束外延 
高质量InSb薄膜的MBE同质和异质外延生长被引量:3
《激光与红外》2018年第3期352-357,共6页尚林涛 周翠 沈宝玉 周朋 刘铭 强宇 王彬 
InSb是3~5μm中波红外波段具有重要研究意义的材料。本文以单位内部生产的InSb(100)衬底为基础,通过摸索InSb(100)衬底的脱氧、生长温度和Ⅴ/Ⅲ束流比,获得了高质量的InSb同质外延样品,1.5μm样品的表面粗糙度RMS≈0.3 nm(10μm×10μm)...
关键词:INSB InSb/GaAS 分子束外延 同质外延 异质外延 
Si基碲镉汞分子束外延工艺优化研究被引量:9
《激光与红外》2012年第10期1161-1164,共4页王经纬 巩锋 刘铭 强宇 常米 周立庆 
报道了Si基碲镉汞(MCT)分子束外延(MBE)的最新研究进展,通过使用反射式高能电子衍射(RHEED)、高温计的在线测量建立和优化了3 in Si基碲镉汞生长温度曲线;通过二次缓冲层的生长进一步降低了界面能,获得的Si基HgCdTe材料在8μm的厚度下...
关键词:硅基碲镉汞 分子束外延 工艺优化 RHEED CdTe二次缓冲层 
3英寸Si基碲镉汞分子束外延工艺研究被引量:8
《激光与红外》2012年第7期781-785,共5页巩锋 周立庆 王经纬 刘铭 常米 强宇 
随着红外焦平面阵列规模的扩大,由于尺寸和成本的限制,传统晶格匹配的碲锌镉衬底逐渐成为碲镉汞红外焦平面探测器发展的瓶颈,大尺寸、低成本硅基碲镉汞材料应运而生。本文采用分子束外延工艺生长获得了3 in Si基中波碲镉汞薄膜材料,通...
关键词:硅基碲镉汞 分子束外延 640×512器件 表征 
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