SI基

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Si基InGaN可见光器件研究进展
《金属世界》2025年第1期13-24,共12页刘力玮 肖嘉滢 文灿 周楚翘 曹怡诺 林正梁 李彤彤 闫梓欣 王文樑 
国家级大学生创新创业训练计划资助项目(202410561010)。
Si基InGaN材料因其高电子迁移率,高抗辐射,带隙可调等光电特性,在可见光通信领域展现出良好的潜力。但其发展依旧面临着材料位错密度高、器件性能差及集成度低等问题。为了解决上述问题,研究人员在材料性能,器件设计与集成等方面开展系...
关键词：可见光通信 器件研究 位错密度 器件性能 器件结构 INGAN 器件设计 光电特性 
增强型Si基GaN HEMT的p-GaN栅特性改善研究
《固体电子学研究与进展》2025年第1期16-21,共6页鲍诚 王登贵 任春江 周建军 倪志远 章军云 
五十五所稳定支持资助项目(2310N061);国家自然科学基金资助项目(62104218)。
阈值电压和栅极漏电是评价增强型Si基p-GaN栅结构GaN HEMT器件性能的重要参数。热应力和电应力变化会加剧器件栅极附近的电子隧穿效应,促使热电子与器件缺陷相互作用形成界面态,进而导致栅极漏电增大和阈值电压漂移,长时间工作会引起栅...
关键词：GaN HEMT P-GAN 阈值电压 栅极漏电 热应力 电应力 
Si基GaN薄膜结构热应力的有限元模拟
《中国科技论文在线精品论文》2024年第4期561-570,共10页熊国栋 严钰婕 刘洋博文 应豪 杨冰 黄俊 
湖北省自然科学基金(2022CFB904);湖北省中央引导地方科技发展专项(2022BFE001)。
本文利用有限元仿真软件COMSOL Multiphysics对不同的Si基GaN薄膜结构进行了研究,系统讨论了不同外延工艺对热应力分布及翘曲的影响。仿真结果表明,基于“一步法”工艺生长的AlN和GaN层中热应力分布均匀,并且通过增加Si衬底厚度能够有...
关键词：固体力学 GAN 有限元仿真 COMSOL多物理场耦合 
球型Si基碳包覆锂离子电池负极材料研究进展
《材料导报》2024年第21期46-56,共11页李东霖 杨万亮 曹锐 杨雪 徐梅松 
国家自然科学基金(22162008);贵州省科学技术厅基础研究计划项目([2020]1Y055)。
硅基材料包括单质硅及其氧化物SiO_(x)(0≤x≤2),具有理论容量高、工作电位低、对环境友好、储量丰富等特点,有望取代石墨成为新一代锂离子电池负极材料。然而,硅基材料在充放电过程中的体积膨胀效应始终不能避免,硅氧化物的低电导率也...
关键词：锂离子电池 球型 硅基材料 碳包覆 
Al在不同类型Si基中的扩散深度差异及其温度相关性研究
《现代应用物理》2024年第5期164-172,181,共10页刘雪婷 孙恒志 段丙皇 王扶刚 杨帆 卢子伟 王铁山 
国家自然科学基金资助项目(U2267253)。
金属原子在半导体材料中的扩散对半导体器件的电阻率、传导率和光电学性能有直接影响。采用飞行时间二次离子质谱分析技术,结合分子动力学模拟方法研究了常用金属原子Al在不同Si基中的扩散深度差异及其温度相关性。实验结果表明,Al在本...
关键词：金属扩散 温度相关性 飞行时间二次离子质谱 分子动力学模拟 
低填充P-Si基阻燃体系协效阻燃PA66的制备及性能被引量：1
《工程塑料应用》2024年第8期169-175,共7页魏然 赵明亮 
尼龙66(PA66)作为一种广泛使用的工程塑料,因其优异的力学性能和加工性能而备受青睐。然而,PA66的可燃性限制了其在某些安全要求较高的应用领域的发展。为了解决这一问题,可通过构建P-Si基协效阻燃体系,对PA66进行熔融共混改性,以期提...
关键词：尼龙66 阻燃性能 P-Si阻燃体系 低填充 性能 
SiCp/Al-Si基复合材料界面结构调控及强化机制的研究进展
《材料热处理学报》2024年第2期1-12,共12页苏嶓 王爱琴 谢敬佩 刘瑛 张津浩 柳培 梁婷婷 
国家自然科学基金面上项目(52171138)。
SiCp/Al-Si基复合材料具有高的比强度、比刚度、比模量,良好的导热、导电、耐磨性及尺寸稳定性等优点,作为结构功能性材料应用于空间工程、电子封装、交通运输和精密仪器等领域。其研究热点主要集中在界面结构调控、强化机制及性能调控...
关键词：SiCp/Al-Si复合材料 界面结构调控 力学性能 强化机制 多尺度研究 
Si基SiC薄膜物理制备工艺研究进展
《常州大学学报（自然科学版）》2024年第1期9-17,共9页苏江滨 朱秀梅 季雪梅 祁昊 潘鹏 何祖明 
江苏省自然科学基金资助项目(BK20191453);江苏省研究生科研创新计划资助项目(KYCX21_2819,KYCX21_2825)。
随着微纳电子器件集成化程度不断提高,用Si基SiC薄膜取代SiC体单晶引起了人们极大的兴趣,这种方法不仅有利于降低生产成本,还能与Si基大规模集成电路兼容。文章综述了磁控溅射、分子束外延、离子束溅射、离子注入4种物理制备Si基SiC薄...
关键词：SIC薄膜 磁控溅射 分子束外延 离子束溅射 离子注入 
硅基光电极光电催化制氢被引量：3
《分子催化（中英文）》2024年第1期93-98,I0004,共7页王盼盼 王欢 安伟佳 崔文权 韩炳旭 
国家自然科学基金项目(22306062);河北省高等学校科学技术研究项目(BJK2022013)。
硅(Si)半导体材料作光电极用于光电催化(PEC)分解水制氢被认为是解决新能源问题比较有希望的措施之一.但目前Si基光电极也面临着光利用率低、不稳定、表面反应动力学缓慢等瓶颈.我们总结了目前Si基光电极材料的发展现状,从表面微纳米结...
关键词：光电催化 制氢 Si基光电极 微纳米结构 助催化剂 
8英寸Si基GaN HEMT薄膜材料的制备和研究被引量：2
《中国集成电路》2023年第5期86-90,共5页吴勇 
氮化镓作为第三代半导体材料的代表,具有禁带宽度大、电子饱和速度高、热导率高、临界击穿电压高等优异的材料性能,所以在高频、高压、大功率器件方面具有非常广泛的应用前景。考虑到尺寸及成本的优势,在Si衬底上外延GaN已成为主要研究...
关键词：8英寸Si衬底 高电子迁移率晶体管 二维电子气 外延生长 
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