SIC薄膜

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硅基SiC薄膜制备与应用研究进展
《材料导报》2024年第7期26-39,共14页杨晨光 王秀峰 
碳化硅(SiC)材料具有极为优良的物理、化学及电学性能,可满足在高温、高腐蚀等极端条件下的应用,碳化硅还是极端工作条件下微机电系统(MEMS)的主要候选材料,成为国际上新材料、微电子和光电子领域研究的热点。同时,碳化硅有与硅同属立...
关键词：硅基碳化硅薄膜 化学气相沉积 物理气相沉积 微机电系统传感器 生物传感器 太阳能电池 
Si基SiC薄膜物理制备工艺研究进展
《常州大学学报（自然科学版）》2024年第1期9-17,共9页苏江滨 朱秀梅 季雪梅 祁昊 潘鹏 何祖明 
江苏省自然科学基金资助项目(BK20191453);江苏省研究生科研创新计划资助项目(KYCX21_2819,KYCX21_2825)。
随着微纳电子器件集成化程度不断提高,用Si基SiC薄膜取代SiC体单晶引起了人们极大的兴趣,这种方法不仅有利于降低生产成本,还能与Si基大规模集成电路兼容。文章综述了磁控溅射、分子束外延、离子束溅射、离子注入4种物理制备Si基SiC薄...
关键词：SIC薄膜 磁控溅射 分子束外延 离子束溅射 离子注入 
碳化硅功率器件技术发展综述被引量：2
《材料研究与应用》2023年第3期427-439,I0002,共14页吴炜杰 张宇阳 王朝阳 黄湛为 张帮敏 
第三代半导体SiC因禁带宽、热导率高等优异性能得到广泛关注,SiC功率器件也成为学术界和工业界的研究热点。从SiC材料性质出发,归纳分析了SiC薄膜与SiC功率器件制备工艺,回顾了SiC MOSFET和IGBT器件的发展,讨论了SiC MOSFET和IGBT器件...
关键词：SIC薄膜 功率器件 制备工艺 MOSFET IGBT 
聚焦离子束在二维多孔Si/Al_(2)O_(3)/SiC薄膜透射电镜截面微观结构表征中的应用被引量：2
《化工新型材料》2023年第2期155-158,共4页陶伟杰 刘灿辉 陶莹雪 贺振华 
国家自然科学基金(11747133);中央高校基本科研业务费专项资金(195209019)。
二维多孔Si/Al_(2)O_(3)/SiC薄膜材料的透射电镜截面微观结构表征中,存在薄膜易脱落、脆性大、耐磨性差,以及选区制备难度大、制样效率低、成功率低等问题。采用聚焦离子束技术,成功地进行了二维多孔Si/Al_(2)O_(3)/SiC薄膜的透射电镜...
关键词：二维多孔Si/Al_(2)O_(3)/SiC薄膜 聚焦离子束 透射电镜 截面样品 微观结构 
用于ICF实验的SiC薄膜的制备及性能
《西南科技大学学报》2022年第4期1-8,共8页李子曦 黄景林 谢春平 杜凯 易勇 
国家自然科学基金(12104426);中国工程物理研究院激光聚变研究中心青年人才基金(RCFCZ3-2019-9)。
以四甲基硅烷作为单一反应前驱体气源,采用等离子体增强化学气相沉积法在Si晶片(100)上生长SiC薄膜,研究了电极距离对薄膜微观结构和性能的影响。结果表明:在实验设定的5~9 cm电极距离下所制备的薄膜成分以Si-C键为主,具有极低的表面粗...
关键词：SIC薄膜 电极距离 单一反应气源 等离子体增强化学气相沉积 
探究直流磁控溅射下工艺参数对SiC薄膜性能的影响规律被引量：1
《真空》2022年第4期52-55,共4页张健 李建浩 齐振华 
针对脉冲激光法和升华法制备SiC薄膜时,沉积速率比较低、薄膜厚度不均匀等问题,本文采用真空直流磁控溅射技术,利用一种高含碳量的SiC靶材,在平面玻璃衬底表面沉积SiC薄膜,通过改变直流电源功率、溅射气压,研究了不同参数对薄膜沉积速...
关键词：SiC 直流磁控溅射 直流溅射功率 溅射气压 
基于单一气源的PECVD方法制备SiC薄膜及其微观结构研究被引量：2
《原子能科学技术》2022年第7期1473-1482,共10页李子曦 黄景林 谢春平 邓承付 易泰民 易勇 杜凯 
中国工程物理研究院激光聚变研究中心青年人才基金(RCFCZ3-2019-9)。
为制备出满足惯性约束聚变(ICF)实验要求的SiC薄膜,本文采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法,以四甲基硅(TMS)作为唯一反应气源,在不同工作压强下制备SiC薄膜。利用扫描电子显微镜、表面轮廓仪、原子力显微镜、精密电子天平、X射线...
关键词：单一气源 SIC薄膜 工作压强 等离子体增强化学气相沉积法 
C/C复合材料表面改性薄膜的制备及摩擦磨损性能研究
《功能材料》2020年第9期9012-9017,共6页袁璞 李红 杨敏 任慕苏 孙晋良 
上海市教育发展基金会和上海市教育委员会“曙光计划”资助项目(18SG34);国家重点研发计划政府间国际科技创新合作重点专项资助项目(2016YFE0111200)。
采用先驱体转化法在C/C复合材料基底表面制备了厚度为3~5μm的SiC薄膜和Si3N4薄膜;用球-盘对磨的方式测试了C/C复合材料基底、SiC薄膜和Si3N4薄膜在干态下的摩擦磨损性能。结果表明,制备的SiC薄膜和Si3N4薄膜表面结构均匀致密,无明显缺...
关键词：SIC薄膜 Si3N4薄膜 表面改性 摩擦学性能 摩擦行为分析 
AlN缓冲层厚度对SiC薄膜性能的影响
《科技智囊》2020年第5期59-62,共4页王昆仑 徐涛 王聪 罗淑琳 王婉霞 孙珲 
山东省自然科学基金(No.ZR2018QEM002)。
SiC具有较大的带隙宽度和优异的热稳定性,可在高功率、高温(高达600℃)和高频(高达20GHz)条件下工作,在半导体器件中有着广泛的应用。Si是常用的制作SiC薄膜的基底材料,然而,由于基底Si和SiC靶材的晶格常数存在差异,使得它们之间存在较...
关键词：SIC薄膜 ALN缓冲层 硬度 附着力 
Co掺杂浓度对SiC薄膜磁性能的影响
《河南理工大学学报（自然科学版）》2020年第2期152-156,共5页郭艳花 周思华 孙现科 周小东 
国家自然科学基金资助项目(11405280);河南省自然科学基金资助项目(182300410271);周口师范学院青年基金资助项目(ZKNUB2201704,ZKNUB2201807)
为了研究掺杂元素Co对SiC薄膜磁性影响,采用磁控溅射技术制备了不同Co含量的SiC薄膜。采用XRD、X光电子能谱和理性质测试系统对薄膜结构、成分和磁性进行表征。分析表明,薄膜具有3C-SiC晶体结构,随着掺杂元素Co增加,3C-SiC晶体特征峰向...
关键词：SIC薄膜 CO掺杂 铁磁性 掺杂缺陷 
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