ALN缓冲层

作品数：26被引量：63H指数：5
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GaN HEMT器件的AlN缓冲层MOCVD外延生长研究
《舰船电子对抗》2020年第5期116-120,共5页倪洪亮 吴金星 
探讨了GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件的基础——AlN缓冲层的制备,运用金属有机化学气相沉淀(MOCVD)技术,采用脉冲原子层外延(PALE)和传统连续生长相结合的方法,在提高AlN缓冲层生长速度的同时改善晶体的质量。采用优化后的生长工艺,...
关键词：GAN高电子迁移率晶体管 ALN缓冲层 金属有机化学气相沉淀 脉冲原子层外延 
Al预沉积层对金属有机物化学气相沉积方法在Si衬底上生长AlN缓冲层和GaN外延层的影响被引量：1
《材料研究学报》2020年第10期744-752,共9页甄龙云 彭鹏 仇成功 郑蓓蓉 Antonios Armaou 钟蓉 
国家重点研发计划项目-政府间国际科技创新合作重点专项(2016YFE0105900)。
采用金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)在硅(Si)衬底制备铝/氮化铝/氮化镓(Al/AlN/GaN)多层薄膜,使用光学显微镜(OM)、原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)等手段表征AlN和GaN薄膜的微观结构和晶体质量,研究了TMAl流量对AlN薄膜和GaN薄膜...
关键词：材料表面与界面 生长机制 金属有机物化学气相沉积 Al预沉积 SI衬底 GaN薄膜 
AlN缓冲层厚度对SiC薄膜性能的影响
《科技智囊》2020年第5期59-62,共4页王昆仑 徐涛 王聪 罗淑琳 王婉霞 孙珲 
山东省自然科学基金(No.ZR2018QEM002)。
SiC具有较大的带隙宽度和优异的热稳定性,可在高功率、高温(高达600℃)和高频(高达20GHz)条件下工作,在半导体器件中有着广泛的应用。Si是常用的制作SiC薄膜的基底材料,然而,由于基底Si和SiC靶材的晶格常数存在差异,使得它们之间存在较...
关键词：SIC薄膜 ALN缓冲层 硬度 附着力 
MOCVD生长Si衬底上HT-AlN缓冲层低生长压力对GaN薄膜的影响被引量：2
《发光学报》2018年第9期1285-1290,共6页韩军 赵佳豪 邢艳辉 史峰峰 杨涛涛 赵杰 王凯 李焘 邓旭光 张宝顺 
国家自然科学基金(61204011;11204009;61574011);北京市自然科学基金(4142005);北京市教委科研基金(PXM2017_014204_500034)资助项目~~
采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术在Si(111)衬底上外延Ga N薄膜,对高温Al N(HT-Al N)缓冲层在小范围内低生长压力(6.7~16.6 k Pa)条件下对Ga N薄膜特性的影响进行了研究。研究结果表明Ga N外延层的表面形貌、结构和光学性质对HT-Al ...
关键词：高温AlN缓冲层 氮化镓 金属有机化学气相沉积 X射线衍射 拉曼光谱 
刻蚀AlN缓冲层对硅衬底N极性n-GaN表面粗化的影响被引量：1
《物理学报》2016年第8期363-369,共7页王光绪 陈鹏 刘军林 吴小明 莫春兰 全知觉 江风益 
国家自然科学基金(批准号:61334001;11364034;21405076);国家科技支撑计划(批准号:2011BAE32B01);国家高技术研究发展计划(批准号:2011AA03A101);江西省科技支撑计划(批准号:20151BBE50111)资助的课题~~
研究了等离子体刻蚀Al N缓冲层对硅衬底N极性n-Ga N表面粗化行为的影响.实验结果表明,表面Al N缓冲层的状态对N极性n-Ga N的粗化行为影响很大,采用等离子体刻蚀去除一部分表面Al N缓冲层即可以有效提高N极性n-Ga N在KOH溶液中的粗化效果...
关键词：氮化镓 氮化铝 表面粗化 发光二极管 
磁控反应溅射AlN缓冲层对GaN基LED器件性能的影响被引量：1
《发光学报》2015年第12期1452-1457,共6页农明涛 苗振林 梁智勇 周佐华 蔡炳杰 卢国军 林传强 张宇 
以直流磁控反应溅射法(RMS)在图形化蓝宝石衬底上制备的AlN薄膜作为缓冲层,采用金属有机化学气相沉积法(MOCVD)外延生长了GaN基LED。与MOCVD生长的低温GaN缓冲层相比,RMS制备的AlN缓冲层具有表面更平整、颗粒更小的形核岛,有利于促进Ga...
关键词：直流磁控反应溅射 氮化铝缓冲层 氮化镓基发光二极管 金属有机化学气相沉积 
图形硅衬底GaN基发光二极管薄膜去除衬底及AlN缓冲层后单个图形内微区发光及应力变化的研究被引量：1
《物理学报》2015年第18期446-455,共10页张超宇 熊传兵 汤英文 黄斌斌 黄基锋 王光绪 刘军林 江风益 
国家自然科学基金(批准号:51072076,11364034,61334001,21406076,61040060);国家高技术研究发展计划(批准号:2011AA03A101,2012AA041002);国家科技支撑计划(批准号:2011BAE32B01)资助的课题~~
研究了图形硅衬底上外延生长的氮化镓(GaN)基发光二极管(LED)薄膜、去除硅衬底后的无损自由状态LED薄膜以及去除氮化铝(AlN)缓冲层后的自由状态LED薄膜单个图形内的微区光致发光(PL)性能,用荧光显微镜与扫描电镜观测了去除.AlN缓冲层前...
关键词：氮化镓 发光二极管 自由支撑 光致发光 
AlN缓冲层条件下普通玻璃上InN的制备方法
《科技创新导报》2014年第28期67-68,共2页苗丽华 张东 李昱材 
辽宁省教育厅科学研究一般项目(L2012374)
InN材料具有最小的有效质量和最高的载流子迁移率、饱和漂移速率,低场迁移率,是重要的半导体材料。该研究论文以价格低廉的普通玻璃作为InN薄膜的基片,很大程度的降低了其成本价格。本实验以普通康宁玻璃为衬底基片,在AlN/普通康宁玻璃...
关键词：INN薄膜 ALN薄膜 普通玻璃衬底 半导体材料与器件 
蓝宝石图形衬底上利用AlN缓冲层生长高质量GaN
《半导体技术》2014年第8期609-615,共7页李水清 
在图形化衬底上以AlN作为缓冲层生长高质量的GaN薄膜,国内相关的报道较少。通过引入两步缓冲层生长方法,在蓝宝石图形衬底上生长基于AlN缓冲层的高质量GaN薄膜,利用低温AlN层生长时内部的缺陷,选择性进行腐蚀,形成衬底与外延层界面间的...
关键词：氮化镓 氮化铝 图形化衬底 发光二极管 侧向出光 
AlN缓冲层对Si基GaN外延薄膜性质的影响被引量：2
《发光学报》2014年第6期727-731,共5页陈翔 邢艳辉 韩军 霍文娟 钟林健 崔明 范亚明 张宝顺 
国家自然科学基金(61204011;61107026;61176126;61006084);国家杰出青年科学基金(60925017);北京市自然科学基金(4102003;4112006);北京市教委科研计划(KM201210005004)资助项目
采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)方法制备了不同AlN缓冲层厚度的GaN样品,研究了AlN缓冲层厚度对GaN外延层的应力、表面形貌和晶体质量的影响。研究结果表明:厚度为15 nm的AlN缓冲层不仅可以有效抑制Si扩散,而且还给GaN外延层提...
关键词：ALN缓冲层 GAN SI衬底 张应力 MOCVD 
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