氮化镓基发光二极管

作品数：17被引量：38H指数：4
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相关机构：华灿光电(浙江)有限公司中国科学院华灿光电(苏州)有限公司厦门市三安光电科技有限公司更多>>
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集成分布式布拉格反射镜的氮化镓基发光二极管研究
《新型工业化》2022年第11期160-163,共4页蔡玮 
中国博士后科学基金面上项目“基于表面等离激元增强的可转移高速光子通信芯片研究”(项目编号:2020M681683);南京工程学院科研基金项目“硅衬底氮化镓基同质集成光电子芯片关键技术研究”(项目编号:ZKJ202004)。
基于硅基氮化镓晶圆,制备了一种半环波导型发光二极管。采用聚焦离子束技术,在发光二极管两侧端部刻蚀形成高反型GaN层/空气层分布式布拉格反射镜。实验结果表明,该波导型发光二极管具有良好的光电性能,集成的分布式布拉格反射镜显著提...
关键词：硅基氮化镓 发光二极管 分布式布拉格反射镜 可见光通信 
领结型纳米银金属阵列对氮化镓基发光二极管光提取效率的影响被引量：5
《光学学报》2021年第21期155-164,共10页汤桦 李强 张启凡 张明殷 张盛楠 胡朋 王旭正 张烨 云峰 
国家重点研发计划(2016YFB0400801);中央高校基本科研业务费(xjj2017011)。
为了提升氮化镓(GaN)基发光二极管(Light Emitting Diode,LED)的发光效率,设计工艺简单且成本低廉的领结型纳米银金属阵列,并将该结构集成于GaN基发光二极管的表面,在不破坏外延结构的情况下通过激发局域表面等离激元效应有针对性地提...
关键词：光学器件 发光二极管 局域表面等离激元 纳米阵列结构 光提取效率 
具有ODR结构的高压倒装氮化镓基发光二极管被引量：1
《半导体光电》2018年第6期793-797,共5页周弘毅 魏振东 刘英策 吴奇隆 李俊贤 陈凯轩 
通过在传统ITO+DBR膜系结构基础上令电极金属与DBR层形成ODR(全角反射镜)膜系结构的方法,设计并制备了具有ODR结构的高压倒装氮化镓基发光二极管,有效提高了LED芯片的光效。ODR结构由DBR(分布布拉格反射镜)层上联接芯粒的电极金属和DBR...
关键词：ODR结构 高压倒装 双绝缘层 发光二极管 
组分渐变过渡层对氮化镓基发光二极管性能的影响被引量：10
《中南民族大学学报（自然科学版）》2017年第1期71-75,共5页龙浩 张智超 顾锦华 王皓宁 丁楚伟 钟志有 
国家自然科学基金资助项目(11504436);湖北省自然科学基金资助项目(2015CFB364);中南民族大学中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(CZW15045;CZQ16003)
针对半导体发光二极管(LED)中普遍存在的效率衰减效应严重影响大注入电流条件下LED发光性能的问题,在传统InGaN/GaN多量子阱LED基础上,设计了组分渐变过渡层结构,引入到量子垒和电子阻挡层界面。模拟计算结果表明:当引入过渡层后,量子...
关键词：发光二极管 氮化镓 多量子阱 效率衰减 
在发光二极管表面制备单层聚苯乙烯球的方法被引量：1
《厦门理工学院学报》2016年第5期56-59,共4页张小英 王元樟 庄芹芹 
国家自然科学基金项目(61307115);福建省教育厅科技计划项目(JB12182;JB13150)
基于水面乳胶颗粒的自组装特性,通过将稀释的聚苯乙烯球铺展在去离子水中,用表面活性剂加固后将其转移到氮化钾基发光二极管(简称GaN基LED)表面的方法制备较大面积的单层聚苯乙烯球颗粒.场发射扫描电子显微镜测试表明:该方法能在较短时...
关键词：氮化镓基发光二极管 聚苯乙烯球 制备方法 光提取率 
硅基与蓝宝石衬底上的GaN-LEDs性能差异分析被引量：2
《实验技术与管理》2016年第3期62-65,共4页王美玉 朱友华 施敏 黄静 邓洪海 马青兰 
国家自然科学基金面上项目(61475178);江苏省"六大人才高峰"基金项目(2013-XCL-013);江苏省高校品牌建设工程一期项目(PPZY2015B135);南通大学引进人才科研基金项目(03080666);南通大学校级自然科学基金项目(14Z003;14ZY003);南通大学课程项目(JP14022;2014B44;2014B43)
在简要阐述硅基与蓝宝石衬底的GaN研究与发展基础上,就此两种不同衬底上GaN-LEDs性能进行了对比分析,并对这两种衬底上的LED进行了相应的表征实验。通过AFM和XRD等分析手段揭示了器件的结构特性,对器件性能(I-V和EL以及I-L测试)进行了...
关键词：氮化镓基发光二极管 硅衬底 蓝宝石衬底 电学特性 光学特性 
磁控反应溅射AlN缓冲层对GaN基LED器件性能的影响被引量：1
《发光学报》2015年第12期1452-1457,共6页农明涛 苗振林 梁智勇 周佐华 蔡炳杰 卢国军 林传强 张宇 
以直流磁控反应溅射法(RMS)在图形化蓝宝石衬底上制备的AlN薄膜作为缓冲层,采用金属有机化学气相沉积法(MOCVD)外延生长了GaN基LED。与MOCVD生长的低温GaN缓冲层相比,RMS制备的AlN缓冲层具有表面更平整、颗粒更小的形核岛,有利于促进Ga...
关键词：直流磁控反应溅射 氮化铝缓冲层 氮化镓基发光二极管 金属有机化学气相沉积 
图形化衬底对GaN基LED电流与发光特性的影响被引量：2
《固体电子学研究与进展》2015年第4期366-370,共5页李丽莎 闫大为 管婕 杨国锋 王福学 肖少庆 顾晓峰 
中国博士后基金资助项目(2013M540437);江苏省自然科学基金资助项目(BK2012110);中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(JUSRP51323B,JUDCF13038);江苏省普通高校研究生创新计划资助课题(CXLX13-740)
在传统蓝宝石衬底(CSS)和图形化蓝宝石衬底(PSS)上分别制备了结构相同的GaN基蓝光发射二极管(LEDs),测试并比较了这两种不同衬底器件的电流与发光特性。结果表明,与CSS-LED相比,PSS-LED在-4V处的反向漏电流降低了两个数量级,峰值波长基...
关键词：图形化蓝宝石衬底 氮化镓基发光二极管 光学特性 
二氧化硅钝化膜提高GaN基LED光提取效率的研究
《工具技术》2012年第7期80-82,共3页高芬 
国家自然科学基金(60972005;61102144);陕西省教育厅科学研究计划项目(11JK0904);教育部科学技术研究重点资助项目(212176);西安工业大学科研创新团队资助项目
介绍了通过二氧化硅增透膜来提高GaN基LED光提取效率,采用等离子体增强气相沉积法(PECVD)制备了二氧化硅钝化膜,经对器件的测试表明,在器件上沉积二氧化硅增透膜能够使器件的出光效率提高28.4%,同时提高了器件的可靠性。
关键词：氮化镓基发光二极管 等离子体增强化学气相增强 增透膜 
氮化镓基发光二极管结构中粗化p型氮化镓层的新型生长方法
《物理学报》2011年第9期707-711,共5页李水清 汪莱 韩彦军 罗毅 邓和清 丘建生 张洁 
国家重点基础研究发展计划(973)(批准号:2011CB301902,2011CB301903);国家自然科学基金(批准号:60723002,50706022,60977022,51002085);国家高技术研究发展计划(863)(批准号:2007AA05Z429,2008AA03A194);北京市自然科学基金(批准号:4091001)资助的课题~~
提出了一种新型p型氮化镓粗化外延生长方法,这种生长方法的本质特征是利用低温生长的p型氮化镓作为粗化层的"晶籽"层,然后在这一层的基础上高温快速生长p型氮化镓,使粗化程度得到放大.经实际制作尺寸为12mil×10mil的蓝光发光二极管器...
关键词：粗化 氮化镓 p型氮化镓 发光二极管 
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