直流磁控反应溅射

作品数：26被引量：87H指数：5
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相关机构：清华大学河北工业大学中国科学院金属研究所中国科学院更多>>
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ITO/PET衬底上掠射角溅射沉积WO_(3)薄膜及其电致变色性能被引量：2
《稀有金属材料与工程》2022年第4期1448-1454,共7页王冠杰 王美涵 文哲 魏丽颖 雷浩 孙立贤 徐芬 
辽宁省高等学校创新人才支持计划(LR2019044);辽宁省自然科学基金指导计划项目(2019-ZD-0540);沈阳市中青年科技创新人才支持计划(RC190359);广西信息材料重点实验室开放课题(191007-K)。
采用直流磁控反应溅射法,以不同掠射角度在ITO/PET衬底上沉积WO_(3)薄膜。利用场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)和能谱仪(EDS)对WO_(3)薄膜表面和断面的形貌及化学组成进行表征;利用电化学工作站和紫外分光光度计对WO_(3)薄膜的电化学性能...
关键词：WO_(3)薄膜 ITO/PET衬底 直流磁控反应溅射 掠射角 电致变色性能 
磁控反应溅射AlN缓冲层对GaN基LED器件性能的影响被引量：1
《发光学报》2015年第12期1452-1457,共6页农明涛 苗振林 梁智勇 周佐华 蔡炳杰 卢国军 林传强 张宇 
以直流磁控反应溅射法(RMS)在图形化蓝宝石衬底上制备的AlN薄膜作为缓冲层,采用金属有机化学气相沉积法(MOCVD)外延生长了GaN基LED。与MOCVD生长的低温GaN缓冲层相比,RMS制备的AlN缓冲层具有表面更平整、颗粒更小的形核岛,有利于促进Ga...
关键词：直流磁控反应溅射 氮化铝缓冲层 氮化镓基发光二极管 金属有机化学气相沉积 
磁控溅射硅基AlN薄膜的氮-氩气体流量比研究被引量：3
《压电与声光》2011年第2期248-250,共3页王代强 杨发顺 徐希嫔 陈雨青 刘桥 
科技部科技人员服务企业项目基金资助项目(2009GJF20021)
反应磁控溅射制备AlN薄膜时,薄膜的质量与众多实验参数有关。靶基距、溅射功率、工作气体总压及N2气分压等实验参数影响薄膜质量的报道很多,因此,研究N2/Ar流量比对磁控溅射硅基AlN薄膜元素种类与含量的影响很有实用意义。实验表明,在...
关键词：流量比 ALN薄膜 直流磁控反应溅射 元素种类与含量 
反应气压对直流磁控反应溅射制备的氧化银薄膜的结构和光学性质的影响被引量：2
《物理学报》2011年第1期486-491,共6页张增院 郜小勇 冯红亮 马姣民 卢景霄 
国家自然科学基金(批准号:60807001);河南省教育厅自然科学研究计划项目(批准号:2010A140017)资助的课题~~
利用直流磁控反应溅射技术,通过调节反应气压(RP),在250℃衬底温度下制备了一系列氧化银(AgxO)薄膜,并利用X射线衍射谱、能量色散谱和分光光度计重点研究了RP对AgxO薄膜的结构和光学性质的影响.研究结果表明,随着RP从0.5Pa升高到3.5Pa,...
关键词：氧化银薄膜 直流磁控反应溅射 X射线衍射谱 光学性质 
N_2-Ar流量比对直流磁控溅射硅基AlN薄膜的影响被引量：1
《真空》2010年第6期26-28,共3页王代强 陈雨青 杨发顺 徐希嫔 刘桥 
国家科技部科技人员服务企业项目(2009GJF120021);贵州省自然科学基金项目:黔科合:GY字[2009]3026号
本文研究了N2-Ar流量比对磁控溅射硅基AlN薄膜的影响,实验表明在其它参数一定的情况下,N2-Ar流量比对AlN薄膜元素种类与含量有很大影响,通过实验验证,选择N2-Ar流量比在1.525左右可获得质量较好的AlN薄膜(100取向)。
关键词：流量比 ALN薄膜 直流磁控反应溅射 元素种类与含量 
直流磁控反应溅射制备Al_2O_3薄膜的工艺研究被引量：4
《科学技术与工程》2010年第32期7881-7885,共5页杨和梅 陈云富 徐秀英 
江苏省农机局项目(gxz09010)资助
应用直流磁控反应溅射技术在不锈钢基体上制备Al2O3薄膜,研究了溅射气压、氧气流量和基体温度对Al2O3薄膜的沉积速率和膜基结合力的影响规律。结果表明,随着压力的增大,沉积速率和膜基结合力先增大后减小。在压力为1.0Pa时最大;随着氧...
关键词：直流磁控反应溅射 氧化铝薄膜 工艺研究 沉积速率 
溅射气压对Al_2O_3薄膜的结构与电性能的影响被引量：2
《科学技术与工程》2010年第24期5985-5988,共4页杨和梅 陈云福 徐秀英 
江苏省科技厅项目(BK2005128)资助
以纯铝为靶材,在不同溅射气压下采用直流磁控反应溅射方法制备了Al2O3薄膜。用扫描电镜(SEM)、能谱仪(EDS)、X射线衍射仪(XRD)、台阶仪、绝缘电阻仪和精密阻抗分析仪等分析了薄膜的表面形貌、化学成分、结构、薄膜厚度和电学性能。结果...
关键词：无机非金属材料 AL2O3薄膜 溅射气压 直流磁控反应溅射 介电性能 
衬底温度对HfO_2薄膜结构和光学性能的影响被引量：4
《强激光与粒子束》2010年第1期71-74,共4页赵海廷 马紫微 李健 刘利新 张洪亮 谢毅柱 苏玉荣 谢二庆 
国家自然科学基金委员会与中国工程物理研究院联合基金项目(10776010);表面工程技术国家级重点实验室基金项目(9140C5401010801)
采用直流磁控反应溅射法,分别在室温,200,300,400和500℃下制备了HfO2薄膜。利用X射线衍射(XRD)、椭圆偏振光谱(SE)和紫外可见光谱(UVvis)研究了衬底温度对HfO2薄膜的晶体结构和光学性能的影响。XRD研究结果显示:不同衬底温度下制备的H...
关键词：HfO薄膜 衬底温度 晶体结构 直流磁控反应溅射 折射率 光学带隙 
氮化铝薄膜的制备及介电性能研究被引量：1
《山东陶瓷》2007年第3期7-13,共7页杨克涛 傅仁利 
采用直流磁控反应溅射的方法在金属铝基板表面沉积AlN薄膜。通过XRD、SEM对绝缘膜层进行了研究分析,并测试了膜层的介电性能。结果表明：在靶基距和溅射功率分别为5cm、150W,衬底温度在室温25℃~300℃内制备的AlN薄膜为六方晶型,沿c轴...
关键词：直流磁控反应溅射 ALN薄膜 介电性能 蠕虫状 
高温压力传感器用多晶硅-AlN-硅单晶基片被引量：1
《仪表技术与传感器》2007年第5期7-10,共4页李辉 孙以材 潘国峰 李金 李鹏 
论述纳米多晶硅-氮化铝隔膜-硅单晶衬底基片的研制。此基片可供制造高温力学量传感器。其要点是在力敏电阻条与硅弹性膜之间利用AlN进行绝缘隔离。AlN与硅的热膨胀系数接近,附着力高,耐击穿性好。又具有高化学稳定性,高热导率,对于压力...
关键词：多晶硅 氮化铝薄膜 高温压力传感器 直流磁控反应溅射 
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