N_2-Ar流量比对直流磁控溅射硅基AlN薄膜的影响  

Effect of N_2-Ar flow ratio on AlN thin films on Si-substrate byDC magnetron sputtering

作　　者：王代强[1,2,3] 陈雨青[4] 杨发顺[2,3] 徐希嫔[2] 刘桥[2,3] 

机构地区：[1]贵州大学人民武装学院,贵州贵阳550025 [2]贵州大学理学院,贵州贵阳550025 [3]贵州省微纳电子及软件技术重点实验室,贵州贵阳550025 [4]贵阳学院,贵州贵阳550005

出　　处：《真空》2010年第6期26-28,共3页Vacuum

基　　金：国家科技部科技人员服务企业项目(2009GJF120021);贵州省自然科学基金项目:黔科合:GY字[2009]3026号

摘　　要：本文研究了N2-Ar流量比对磁控溅射硅基AlN薄膜的影响,实验表明在其它参数一定的情况下,N2-Ar流量比对AlN薄膜元素种类与含量有很大影响,通过实验验证,选择N2-Ar流量比在1.525左右可获得质量较好的AlN薄膜(100取向)。Experimental investigation was done for the effect of N2/Ar flow ratio on the AlN thin films deposited on Si-substrate by DC reactive magnetron sputtering process.The results showed that the ratio affects greatly the types of elements and their contents in the films under conditions that other parameters remain unchanged.High-quality AlN thin films（100 orientation） can be achieved if the N2/Ar ratio is chosen as about 1.525.

关 键 词：流量比 ALN薄膜 直流磁控反应溅射 元素种类与含量 

分 类 号：TB43[一般工业技术]