张智超

作品数:1被引量:10H指数:1
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供职机构:中南民族大学电子信息工程学院更多>>
发文主题:氮化镓基发光二极管氮化镓发光二极管过渡层多量子阱更多>>
发文领域:电子电信更多>>
发文期刊:《中南民族大学学报(自然科学版)》更多>>
所获基金:中央高校基本科研业务费专项资金湖北省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
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组分渐变过渡层对氮化镓基发光二极管性能的影响被引量:10
《中南民族大学学报(自然科学版)》2017年第1期71-75,共5页龙浩 张智超 顾锦华 王皓宁 丁楚伟 钟志有 
国家自然科学基金资助项目(11504436);湖北省自然科学基金资助项目(2015CFB364);中南民族大学中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(CZW15045;CZQ16003)
针对半导体发光二极管(LED)中普遍存在的效率衰减效应严重影响大注入电流条件下LED发光性能的问题,在传统InGaN/GaN多量子阱LED基础上,设计了组分渐变过渡层结构,引入到量子垒和电子阻挡层界面。模拟计算结果表明:当引入过渡层后,量子...
关键词:发光二极管 氮化镓 多量子阱 效率衰减 
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