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作 者:张小英[1,2,3] 王元樟[1] 庄芹芹[1]
机构地区:[1]厦门理工学院光电与通信工程学院,福建厦门361024 [2]福建省光电技术与器件重点实验室,福建厦门361024 [3]台湾大叶大学电机工程学系,台湾彰化51591
出 处:《厦门理工学院学报》2016年第5期56-59,共4页Journal of Xiamen University of Technology
基 金:国家自然科学基金项目(61307115);福建省教育厅科技计划项目(JB12182;JB13150)
摘 要:基于水面乳胶颗粒的自组装特性,通过将稀释的聚苯乙烯球铺展在去离子水中,用表面活性剂加固后将其转移到氮化钾基发光二极管(简称GaN基LED)表面的方法制备较大面积的单层聚苯乙烯球颗粒.场发射扫描电子显微镜测试表明:该方法能在较短时间内在GaN基LED表面形成六角紧凑的聚苯乙烯微球的二维阵列,微球平均直径约为350 nm.加入75μL表面活性剂,利于形成二维结晶.这为聚苯乙烯球做掩模版粗化GaN表面,提高大功率GaN基LED的光提取率提供了一种有效的途径.Based on self-assembly of latex particles on water surface, large closely packed monolayer polystyrene (PS) microspheres arrays were performed on the p-GaN surface of a thin GaN-based light-emitting diode (LED) by transferring diluted PS microspheres from deionized water to the surface of GaN-LED wafer after consolidation of surfactant. Field emission scanning electron microscopy showed that well-ordered two- dimensional arrays of hexagonally packed PS nanospheres are obtained in a short time with a mean diameter at 350 nm, which when added with 75 μL surfactant form two-dimensional crystalline arrays with better results. It proves an effective approach in using the PS microspheres as a mask for further texturing to improve the light extraction efficiency in the high power GaN-based light-emitting diode.
关 键 词:氮化镓基发光二极管 聚苯乙烯球 制备方法 光提取率
分 类 号:TN312.8[电子电信—物理电子学]
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