李水清

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供职机构:清华大学电子工程系更多>>
发文主题:粗化氮化镓基发光二极管氮化镓发光二极管更多>>
发文领域:电子电信更多>>
发文期刊:《物理学报》更多>>
所获基金:北京市自然科学基金国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
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氮化镓基发光二极管结构中粗化p型氮化镓层的新型生长方法
《物理学报》2011年第9期707-711,共5页李水清 汪莱 韩彦军 罗毅 邓和清 丘建生 张洁 
国家重点基础研究发展计划(973)(批准号:2011CB301902,2011CB301903);国家自然科学基金(批准号:60723002,50706022,60977022,51002085);国家高技术研究发展计划(863)(批准号:2007AA05Z429,2008AA03A194);北京市自然科学基金(批准号:4091001)资助的课题~~
提出了一种新型p型氮化镓粗化外延生长方法,这种生长方法的本质特征是利用低温生长的p型氮化镓作为粗化层的"晶籽"层,然后在这一层的基础上高温快速生长p型氮化镓,使粗化程度得到放大.经实际制作尺寸为12mil×10mil的蓝光发光二极管器...
关键词:粗化 氮化镓 p型氮化镓 发光二极管 
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