INN薄膜

作品数：20被引量：12H指数：2
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极性、半极性和非极性InN薄膜的MOCVD外延生长与表征
《发光学报》2024年第2期204-210,共7页赵见国 殷瑞 徐儒 倪海彬 陶涛 庄喆 严羽 谢自力 刘斌 常建华 
国家自然科学基金(62204121)。
利用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)技术,在不同晶面的蓝宝石(Al2O3)衬底上实现了极性(0002)面、半极性(11-22)面和非极性(11-20)面InN薄膜的外延生长,并通过多种表征手段对三个不同极性面InN薄膜的结构和光学特性进行了系统研究。...
关键词：半极性面 非极性面 INN薄膜 外延生长 
MOCVD外延生长InN薄膜及其光学性质研究
《人工晶体学报》2023年第5期791-797,共7页殷鑫燕 陈鹏 梁子彤 赵红 
国家自然科学基金(12074182)。
本文通过添加InGaN垫层,利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法在GaN(0001)上外延生长了InN薄膜,研究了InN薄膜的外延规律及光学性质。研究发现,相对于GaN表面,在InGaN垫层上可以获得更高质量的InN。通过在InGaN垫层中采用适当的In组分...
关键词：INN MOCVD 外延生长 应变 表面缺陷 光学性质 光致发光 
氮气流量对磁控溅射InN薄膜特性的影响被引量：1
《原子与分子物理学报》2021年第3期123-128,共6页杨非凡 付宏远 樊义棒 任煜豪 李静杰 赵洋 甄志强 王辉 
国家自然科学基金(61674052,11404097);河南省高等学校重点科研项目(20A140012);河南省高校省级大学生创新创业训练计划(SRTP)(S201910464024);河南科技大学大学生研究训练计划(SRTP)(2019208);河南科技大学物理与工程学院大学生研究训练计划(SRTP)(wlsrtp201910)。
采用射频磁控溅射法在蓝宝石衬底上制备了InN薄膜.研究了N2流量对InN薄膜的晶体结构、表面形貌、光学和电学特性的影响.X射线衍射(XRD)测试结果显示,InN呈六方纤锌矿结构,具有明显(002)择优取向;SEM与AFM图像显示InN薄膜均匀致密,低N2...
关键词：磁控溅射 INN薄膜 氮气流量 原子排布 
氮气体积分数对ITO上制备InN薄膜物理特性的影响
《半导体技术》2020年第10期764-769,共6页张子旭 王婉君 樊义棒 高薇 耿柏琳 王辉 赵洋 
国家自然科学基金资助项目(61674052,11404097);河南省高等学校重点科研项目(20A140012);河南省高校省级大学生研究训练计划(SRTP)项目(S201910464024);河南科技大学大学生研究训练计划(SRTP)项目(2019208);河南科技大学物理与工程学院大学生研究训练计划(SRTP)项目(wlsrtp201910)。
采用磁控溅射法在氧化铟锡(ITO)导电玻璃衬底上制备InN薄膜,研究了氮气体积分数对InN薄膜晶体结构、表面形貌和光电特性的影响。X射线衍射测试结果表明,所制备的InN薄膜均为六方纤锌矿结构,且随着氮气体积分数的增加,InN薄膜由沿(101)...
关键词：磁控溅射 INN薄膜 氮气体积分数 氧化铟锡(ITO) 物理特性 
磁控溅射法制备InN薄膜的可控生长及表征被引量：4
《人工晶体学报》2018年第6期1123-1127,共5页王箫扬 张雄 杨延宁 贺琳 张富春 张水利 李小敏 
延安大学2017年科研计划项目(YDQ2017-11);国家自然科学基金(61664008);延安大学引导项目(YD2016-02);为建设高水平大学学科建设的专项研究基金(2015SXTS02)
为了开发氮化铟(InN)半导体材料在光电子领域的应用,采用磁控溅射法在Si(111)衬底上实现了InN薄膜的制备。通过X射线衍射仪(XRD)和扫描电镜(SEM)对获得的InN薄膜样品进行表征,系统地研究了压强、Ar和N2流量比及衬底温度对InN薄膜结构、...
关键词：INN薄膜 磁控溅射 压强 流量比 衬底温度 
采用磁控溅射法在Si(100)生长InN薄膜及其禁带宽度与拉曼的测试（英文）被引量：1
《稀有金属材料与工程》2018年第1期69-74,共6页王雪文 李婷婷 苏星星 吴朝科 翟春雪 胡峰 张志勇 赵武 
National Natural Science Foundation of China(61405159,61076002);Natural Science Foundation of Education Commission of Shaanxi Province(2012JK848)
采用磁控溅射法在Si(100)衬底上生长出高取向性和多种微观形貌的InN薄膜,其中铟作为铟靶,氮气作为氮源。X射线衍射(XRD)和X射线光电子能谱(XPS)表明所有衍射峰和标准的纤锌矿晶型的InN一致,并且在(101),(100)和(002)方向具有极高的取向...
关键词：薄膜 晶体生长 磁控溅射 应力 禁带宽度 
AlN缓冲层条件下普通玻璃上InN的制备方法
《科技创新导报》2014年第28期67-68,共2页苗丽华 张东 李昱材 
辽宁省教育厅科学研究一般项目(L2012374)
InN材料具有最小的有效质量和最高的载流子迁移率、饱和漂移速率,低场迁移率,是重要的半导体材料。该研究论文以价格低廉的普通玻璃作为InN薄膜的基片,很大程度的降低了其成本价格。本实验以普通康宁玻璃为衬底基片,在AlN/普通康宁玻璃...
关键词：INN薄膜 ALN薄膜 普通玻璃衬底 半导体材料与器件 
氮化时间对RF-MBE法生长InN薄膜晶体结构的影响
《半导体光电》2013年第1期59-61,65,共4页高芳亮 管云芳 李国强 
国家自然科学基金项目(51002052);广东省战略新兴产业LED专项项目(211A081301012);华南理工大学基本科研业务费重点项目及其滚动项目(2009ZZ0017)
采用射频等离子体分子束外延(RF-MBE)技术在蓝宝石(Al2O3)衬底上外延生长了InN薄膜,在生长之前对其进行不同时间的氮化处理。通过扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射(XRD)对薄膜的形貌和结构进行了表征,发现氮化时间小于60min时获得的InN...
关键词：氮化铟 氮化 RF-MBE 单晶薄膜 
温度对p-InN薄膜光电导灵敏度的影响
《发光学报》2012年第7期785-789,共5页冯丽 
研究了p型InN的光电导效应。利用分子束外延技术(MBE)法生长出高质量的InN薄膜,在此基础上利用Mg掺杂获得了p-InN。原位反射高能电子衍射(RHEED)表明样品在生长过程中保持二维生长模式,原子力显微镜(AFM)测试结果显示台阶流的生长模式...
关键词：分子束外延 原位反射高能电子衍射 Mg掺杂p-InN 光电导灵敏度 
InAlN薄膜MOCVD外延生长研究
《半导体技术》2011年第8期609-613,638,共6页贠利君 魏同波 刘乃鑫 闫建昌 王军喜 李晋闽 
为了研究不同压力和不同模板对InA lN薄膜外延生长的影响,分别选取以GaN为模板时生长压力为4.00、6.67和13.33 kPa,压力为4.00 kPa时模板为GaN和A lN这两组条件进行实验比较。研究发现,随着生长压力的增加,样品中In含量降低,样品的粗糙...
关键词：压力 模板 AIInN薄膜 粗糙度 晶体质量 
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