云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- RF-MBE

RF-MBE: 作品数：16被引量：21H指数：3; 导出分析报告; 相关领域：电子电信理学更多>>; 相关作者：王晓亮李晋闽曾一平刘宏新王军喜更多>>; 相关机构：中国科学院中国科学院微电子研究所华南理工大学吉林大学更多>>; 相关期刊：《材料科学与工艺》《发光学报》《Journal of Semiconductors》《Journal of Rare Earths》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划中国科学院知识创新工程更多>>

Microstructures of InN film on 4H-SiC(0001) substrate grown by RF-MBE被引量：3: 《Journal of Semiconductors》2015年第8期37-41,共5页P.Jantawongrit S.Sanorpim H.Yaguchi M.Orihara P.Limsuwan; supported by the Thailand Center of Excellence in Physics(Th EP);the King Mongkut’s University of Technology Thonburi under The National Research University Project;supported by the National Research Council of Thailand(NRCT);the Thai Government Stimulus Package 2(TKK2555);the Project for Establishment of Comprehensive Center for Innovative Food,Health Products and Agriculture; InN film was grown on 4H-SiC （0001） substrate by RF plasma-assisted molecular beam epitaxy （RF- MBE）. Prior to the growth of InN film, an InN buffer layer with a thickness of ～5.5 nm was grown on the substrate. S...; 关键词：RF-MBE TEM INN threading dislocation anti-phase domain crystal polarity

蓝宝石上生长高质量InN单晶薄膜的研究发展被引量：2: 《半导体光电》2013年第2期180-185,共6页管云芳高芳亮李国强; 国家自然科学基金项目(51002052);广东省战略新兴产业LED专项项目(2011A081301012);华南理工大学基本科研业务费重点项目及其滚动项目(2009ZZ0017); 通过介绍蓝宝石衬底上生长氮化铟(InN)单晶薄膜的发展历程,阐述了生长该单晶薄膜的几种方法及生长过程中存在的一些问题和改进措施,说明了生长高质量InN单晶薄膜的有效途径,为InN的生长及应用提供了理论与技术指导。; 关键词：氮化铟单晶薄膜 MOCVD RF-MBE 溅射技术 HVPE

氮化时间对RF-MBE法生长InN薄膜晶体结构的影响: 《半导体光电》2013年第1期59-61,65,共4页高芳亮管云芳李国强; 国家自然科学基金项目(51002052);广东省战略新兴产业LED专项项目(211A081301012);华南理工大学基本科研业务费重点项目及其滚动项目(2009ZZ0017); 采用射频等离子体分子束外延(RF-MBE)技术在蓝宝石(Al2O3)衬底上外延生长了InN薄膜,在生长之前对其进行不同时间的氮化处理。通过扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射(XRD)对薄膜的形貌和结构进行了表征,发现氮化时间小于60min时获得的InN...; 关键词：氮化铟氮化 RF-MBE 单晶薄膜

Growth and Characterization of InN Thin Films on Sapphire by MOCVD被引量：2: 《Chinese Physics Letters》2007年第4期1004-1006,共3页谢自力张荣修向前刘斌李亮韩平顾书林施毅郑有炓; Supported by the Special Funds for Major State Basic Research Project of China under Grant No 2006CB6049, the National Natural Science Foundation of China under Grant Nos 6039072, 60476030, 60421003 and 60676057, the Ministry of Education of China （10416）, the Research Fund for the Doctoral Programme of Higher Education of China （20050284004）, and the Natural Science Foundation of Jiangsu Province （BK2005210 and BK2006126）.; Indium nitride thin films are grown on sapphire substrates by metal-organic chemical vapour deposition （MOCVD） By employing three-step layer buffers, the mirror-like layers on two-inch sapphire wafers have been obta...; 关键词：MOLECULAR-BEAM EPITAXY LOW-TEMPERATURE BAND-GAP RF-MBE ALLOYS

生长温度对RF-MBE外延InAlGaN的影响: 《Journal of Semiconductors》2007年第z1期197-199,共3页王保柱王晓亮王晓燕王新华郭伦春肖红领王翠梅冉军学王军喜刘宏新李晋闽; 中国科学院知识创新工程重要方向(批准号:KGCX2-SW-107-1),国家自然科学基金(批准号:60606002),国家重点基础研究发展规划(批准号:2002CB311903,2006CB604905,513270605)资助项目; 利用射频等离子体辅助分子束外延(RF-MBE)技术在蓝宝石衬底上外延了铟铝镓氮(InAlGaN)薄膜,研究了生长温度对RF-MBE外延InAlGaN薄膜的影响.X射线衍射测量结果表明,不同生长温度下外延生长的InAl-GaN薄膜均为单一晶向.卢瑟福背散射(RBS)...; 关键词：RF-MBE 铟铝镓氮 XRD RBS SEM

蓝宝石衬底上单晶InAlGaN外延膜的RF-MBE生长被引量：2: 《Journal of Semiconductors》2006年第8期1382-1385,共4页王保柱王晓亮王晓燕王新华郭伦春肖红领王军喜刘宏新曾一平李晋闽; 中国科学院知识创新工程;国家重点基础研究发展规划(批准号:G20000683;2002CB311903);国家高技术研究发展计划(批准号:2002AA305304);国家自然科学基金(批准号:60136020)资助项目~~; 利用射频等离子体辅助分子束外延技术在蓝宝石衬底上外延了晶体质量较好的单晶InAlGaN薄膜.在生长InAlGaN外延层时,获得了外延膜的二维生长.卢瑟福背散射测量结果表明,InAlGaN外延层中In,Al和Ga的组分分别为2%,22%和76%,并且元素的深度...; 关键词：RF-MBE 铟铝镓氮 RHEED XRD AFM

Growth of GaN/AlxGa1-xN (x=0.65) Superlattices on Si(111) Substrates Using RF-MBE: 《Journal of Rare Earths》2006年第z1期1-3,共3页Armando S Somintac Tomo Kikuchi Michiya Odawara Takashi Udagawa Motoi Wada Tadashi Ohachi; Superlattices with varying GaN well widths (2, 3, 6, 9 nm) and fixed AlGaN barrier (8 nm) with high Al-content (x=0.65) were grown. Streaky RHEED patterns indicated 2D growth mode for the superlattices. XRD measuremen...; 关键词：molecular beam epitaxy SUPERLATTICES GaN AlGaN BUILT-IN electric field STARK effect

蓝宝石衬底上单晶InN外延膜的RFMBE生长被引量：3: 《Journal of Semiconductors》2005年第6期1169-1172,共4页肖红领王晓亮张南红王军喜刘宏新韩勤曾一平李晋闽; 国家重点基础研究发展规划(批准号:2002CB311903;G20000683);国家高技术研究发展规划(批准号:2003AA311060);国家自然科学基金(批准号:60136020;60137020)资助项目~~; 采用低温氮化铟(InN)缓冲层,利用射频等离子体辅助分子束外延(RF-MBE)方法在蓝宝石衬底上获得了晶体质量较好的单晶InN外延膜.用光学显微镜观察所外延的InN单晶薄膜,表面无铟滴.InN(0002)双晶X射线衍射摇摆曲线的半高宽为14′;用原子力...; 关键词：RF-MBE 氮化铟 DCXRD AFM

RF-MBE Grown AlGaN/GaN HEMT Structure with High Al Content被引量：1: 《Journal of Semiconductors》2005年第6期1116-1120,共5页王晓亮王翠梅胡国新王军喜刘新宇刘键冉军学钱鹤曾一平李晋闽; 中国科学院知识创新工程,国家自然科学基金(批准号:60136020);国家重点基础研究发展规划(批准号:G20000683,2002CB311903);国家高技术研究发展计划(批准号:2002AA305304)资助项目~~; A Si doped AlGaN/GaN HEMT structure with high Al content (x=43%) in the barrier layer is grown on sapphire substrate by RF-MBE.The structural and electrical properties of the heterostructure are investigated by the tr...; 关键词：HEMT GAN 2DEG RF-MBE power device

Ⅴ/Ⅲ比和生长温度对RF-MBE InN表面形貌的影响: 《Journal of Semiconductors》2005年第z1期16-19,共4页肖红领王晓亮韩勤王军喜张南红徐应强刘宏新曾一平李晋闽吴荣汉; 国家重点基础研究发展规划(批准号:2002CB311903和G20000683)、国家高技术研究发展规划(批准号:2003AA311060)和国家自然科学基金(批准号:60136020和60137020)资助项目; 由于生长InN所需平衡氮气压较高,而且InN分解温度比较低,因此在生长InN时In原子很容易在表面聚集形成In滴,使InN外延膜的表面形貌变差,影响InN外延膜质量的提高.通过研究Ⅴ/Ⅲ比和生长温度对RFMBE生长InN外延膜表面形貌的影响,发现Ⅴ/...; 关键词：INN RF-MBE XRD

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