蓝宝石上生长高质量InN单晶薄膜的研究发展  

Research Progresses of High-quality InN Films Grown on Sapphire Substrate

作　　者：管云芳[1] 高芳亮[1] 李国强[1] 

机构地区：[1]华南理工大学材料科学与工程学院,发光材料与器件国家重点实验室,广州510640

出　　处：《半导体光电》2013年第2期180-185,共6页Semiconductor Optoelectronics

基　　金：国家自然科学基金项目(51002052);广东省战略新兴产业LED专项项目(2011A081301012);华南理工大学基本科研业务费重点项目及其滚动项目(2009ZZ0017)

摘　　要：通过介绍蓝宝石衬底上生长氮化铟(InN)单晶薄膜的发展历程,阐述了生长该单晶薄膜的几种方法及生长过程中存在的一些问题和改进措施,说明了生长高质量InN单晶薄膜的有效途径,为InN的生长及应用提供了理论与技术指导。Based on introducing the development history of indium nitride （INN） single crystalline films growth on sapphire substrate, several problems and improvement measures in the growth process were discussed. An effective way for preparing InN single crystalline films is subsequently proposed, which provides theoretical and technical guides for the growth and applications of InN single crystalline films.

关 键 词：氮化铟 单晶薄膜 MOCVD RF-MBE 溅射技术 HVPE 

分 类 号：O472[理学—半导体物理]