氮化铟

作品数：63被引量：57H指数：4
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基于第一性原理计算方法的氮化铟量子点发光二极管电子结构和发光机制分析
《电子技术（上海）》2024年第2期34-35,共2页罗达峰 吴洁 冯贤娟 刘蕊 
江苏省高等教育学会评估委员会课题(2021-C122);南通大学杏林学院教育教学研究项目(2022J12)。
阐述通过对氮化铟量子点发光二极管的能带结构、电子态密度和能带间隙等参数分析,揭示器件中电子和空穴的分布情况,以及发光行为的原理。氮化铟量子点发光二极管具有优良的发光性能。
关键词：氮化铟量子点 发光二极管 第一性原理计算 电子结构 发光机制 
等离子体辅助蒸发制备InN及其光电性能研究
《沈阳理工大学学报》2021年第4期48-52,共5页孙辉 刘俊 陈建金 沈龙海 
辽宁省教育厅自然科学基金(LG201910)。
采用射频等离子辅助蒸发法,在玻璃衬底上制备InN薄膜。采用X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对样品的结构和形貌进行表征,使用分光光度计、拉曼光谱仪和霍尔测量系统检测薄膜的光电特性。结果表明:制备的InN薄膜沿非极性晶面择优...
关键词：等离子体辅助蒸发 氮化铟 光电性能 禁带宽度 
InN超导中的磁通钉扎性质研究
《红外与毫米波学报》2021年第3期321-328,共8页宋志勇 商丽燕 陈平平 褚君浩 AKIO Yamamoto 康亭亭 
国家自然科学基金(11204334,61475178)。
InN是三五族半导体中唯一具有超导性质的材料,在超导体/半导体混合器件领域具有重要的应用价值。运用磁输运的方法,系统性地研究了磁通钉扎对InN超导性质的影响。通过对超导转变过程中的Ⅰ-Ⅴ曲线进行标度,发现InN超导中存在涡旋液体态...
关键词：氮化铟 超导 磁通动力学 钉扎机制 临界电流 
晶向的各向异性对InN耿氏二极管的影响
《半导体光电》2019年第6期781-785,819,共6页常永明 郝跃 
国家自然科学基金项目(61334002)
由于InN材料具有各向异性的特性,其电子迁移率沿c轴(Γ-A方向)和底面(Γ-M方向)不同,同时,其负微分电阻率在不同晶向上也不同。利用Farahmand Modified Caughey Thomas(FMCT)迁移率模型描述了InN材料在不同晶向上的电子输运特性,利用文...
关键词：氮化铟 各向异性 负微分迁移率 耿氏二极管 
InN量子点的液滴外延及物性表征
《发光学报》2019年第2期171-176,共6页陈启明 晏长岭 曲轶 
国家自然科学基金(U1330136;61376045);长春科学与技术计划项目(13KG30);吉林省科学技术厅项目(20160101254JC);长春理工大学项目(XJLG-2015-10)资助~~
由于1. 55μm波段广泛应用于通信领域,为了探索不同生长温度对InN量子点的形貌影响,并且实现自组装InN量子点在1. 55μm通信波段的发光,对InN量子点的液滴外延及物性进行了相关研究。首先利用射频等离子体辅助分子束外延(PA-MBE)技术在...
关键词：氮化铟 量子点 分子束外延 液滴外延 
基于REC技术的氮化铟DFB激光器仿真分析
《光通信研究》2018年第4期35-38,78,共5页仲光彬 胡芳仁 
国家自然科学基金资助项目(61574080;61274121);江苏省自然科学基金资助项目(BK2012829);南京邮电大学人才引进项目(NY212007)
提出一种基于重构等效啁啾(REC)技术的1 550nm波段氮化铟分布反馈(DFB)半导体激光器。在传输矩阵法(TMM)的理论基础上,对该结构激光器的各项光学性能进行仿真分析。结果表明,基于该技术设计的激光器具有良好的光电特性,阈值电流很小,约...
关键词：半导体激光器 分布反馈 氮化铟 重构等效啁啾 传输矩阵法 
扫描透射电镜分析纳米材料的固态稀释效应
《电子元件与材料》2018年第7期88-92,共5页蔡宗强 鲍忠兴 金光祖 
当目标物尺寸小至5 nm后,在EDS成分分析时,样品中被散射的电子束会激发邻近材料的讯号,导致原分析区域内某些特定元素测得的成分浓度远低于目标物原有的浓度,此现象在本研究中称为固态稀释。本研究通过C2光圈改变电子探针尺寸和收敛角度...
关键词：能量色散谱仪(EDS) 扫描透射电镜(STEM) 多层量子阱(MQW) 固态稀释 纳米材料 氮化铟镓 
以氮化鎵/氮化铝镓超晶格结构优化氮化铟镓LED
《电子制作》2018年第12期26-27,共2页吴玄元 罗正忠 杨鸿志 邓顺达 张仲勋 
氮化镓半导体P型材料掺杂杂困难导致难以制备理想低阻抗P型材料,LED P区特性对其发光效率影响甚大,本研究藉由改善器件P区特性改善发光二极管光电特性,载流子沿超晶格结构垂直向传导时受结构中薄的势垒影响,一部份载流子得以藉由穿遂作...
关键词：超晶格结构 二维空穴气 效率下降 
氮化铟薄膜的p型掺杂和铁磁性研究进展被引量：2
《材料导报》2017年第7期54-58,64,共6页李允怡 王伟 刘志军 龚威 解其云 
南京邮电大学引进人才项目(NY213074);南京邮电大学教改项目(JG03315JX69)
Ⅲ族氮化物半导体材料(InN、GaN、AlN)由于能带结构的特殊性,使其在光电器件与微波等领域得到广泛应用。其中,研究和发展InN材料及器件已被公认是占领光电信息技术领域战略至高点的重要途径,InN材料的p型导电以及室温铁磁性研究更是成...
关键词：氮化铟 P型掺杂 铁磁性 薄膜制备 
氮化铟可调谐导模共振滤波器的仿真研究
《光通信技术》2017年第2期39-41,共3页朱闻真 吴笛 夏志朗 张琪 
基于严格耦合波理论和等效介质理论,仿真分析了1258~1335nm波段的氮化铟亚波长凸型光栅导模共振滤波器。利用仿真结果讨论了占空比、光栅深度和入射角度对滤波器导模共振效应的影响。结合入射角度影响反射的特性,利用光栅与平板电容致...
关键词：共振波长 氮化铟 滤波器 亚波长光栅 
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