负微分迁移率

作品数：7被引量：20H指数：3
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晶向的各向异性对InN耿氏二极管的影响
《半导体光电》2019年第6期781-785,819,共6页常永明 郝跃 
国家自然科学基金项目(61334002)
由于InN材料具有各向异性的特性,其电子迁移率沿c轴(Γ-A方向)和底面(Γ-M方向)不同,同时,其负微分电阻率在不同晶向上也不同。利用Farahmand Modified Caughey Thomas(FMCT)迁移率模型描述了InN材料在不同晶向上的电子输运特性,利用文...
关键词：氮化铟 各向异性 负微分迁移率 耿氏二极管 
用电子束辐照注入电荷包研究低密度聚乙烯中的电荷迁移率被引量：1
《电工技术学报》2016年第10期145-150,共6页郭世忠 张冶文 赵晖 郑飞虎 安振连 
国家自然科学基金(51077101;51277133);教育部博士点基金(20130072110046)资助项目
通过研究外加电场强度50k V/mm以下低密度聚乙烯中的空间电荷包行为,使用一种多层结构的受辐照的双面粘贴聚氟乙烯薄膜低密度聚乙烯样品,通过电子束辐照在样品内部形成＂波包＂分布,在外加电场强度较低时形成电荷包,使用激光压力波法监...
关键词：低密度聚乙烯 聚氟乙烯 电子束辐照 空间电荷包 负微分迁移率 
基于类耿氏效应的低密度聚乙烯中空间电荷包行为的模拟仿真被引量：5
《物理学报》2010年第1期508-514,共7页夏俊峰 张冶文 郑飞虎 雷清泉 
国家自然科学基金重点项目(批准号:50537040);国家自然科学基金(批准号:50807040);上海市科学技术委员会(批准号:07DZ22302)资助的课题~~
低密度聚乙烯材料中的空间电荷包现象通常会引起严重电场畸变而影响其击穿特性.本文借鉴半导体中的耿氏效应的负微分迁移率机理来描述电荷包的形成机理,并结合载流子的注入条件及体内陷阱对电荷迁移的影响等因素,对文献中报道的两类外...
关键词：空间电荷包 耿氏效应 模拟仿真 负微分迁移率 
聚乙烯空间电荷包行为的形成机理与仿真方法研究被引量：10
《物理学报》2009年第12期8529-8536,共8页夏俊峰 张冶文 郑飞虎 雷清泉 
国家自然科学基金重点项目(批准号:50537040);国家自然科学基金(批准号:50807040);上海市科学技术委员会(编号:07DZ22302)资助的课题~~
聚乙烯中的空间电荷包行为是空间电荷的一种特殊的输运行为.研究表明,空间电荷包行为由于受材料本身特性、外加电场大小以及环境温度等的影响,导致其产生过程及传输特性上存在较大差异,这些因素给空间电荷包行为产生机理研究带来了较大...
关键词：空间电荷包 数值模拟 负微分迁移率 
光放大、控制与器件
《中国光学》2003年第1期81-81,共1页
TN223 2003010619内调制微光探测系统=Low luminous intensity detectingsystem by using intramodulated photodetector[刊,中]/黄启俊(武汉大学应用物理系.湖北,武汉(430072)),郭锦鹏…//传感技术学报.-2002,15(2).-124-127介绍了一...
关键词：探测系统 内调制光敏管 碰撞电离 数据采集 微光 负微分迁移率 传感技术 模拟信号 单片机 应用物理 
SOI的自加热效应与SOI新结构的研究被引量：3
《功能材料与器件学报》2002年第2期205-210,共6页林青 谢欣云 朱鸣 张苗 林成鲁 
国家自然科学基金(No.90101012);国家重点基础研究项目(No.G20000365)
阐述了自加热效应产生的原因以及它对SOI电路的影响,并介绍了为克服自加热效应和满足某些特殊器件和电路的要求,国内外正在竞相探索研究的新型SOI结构,如SOIM、SilicononAlN、GPSOI、SiCOI、GeSiOI、SON、SSOI等。结合SOI新结构制备工作...
关键词：自加热效应 沟道电流 跨导畸变 负微分迁移率 SOI 
负微分迁移率和碰撞电离对GaAs光导开关非线性特性的影响被引量：3
《光子学报》2002年第4期445-449,共5页张同意 石顺祥 赵卫 龚仁喜 孙艳玲 
国家自然科学基金资助项目 ( 6 9781 0 0 2 )
对 Ga As光导开关非线性工作时 ,负微分迁移率和碰撞电离的作用进行了数值分析 ,给出了考虑和未考虑碰撞电离作用时的外电路电流输出波形 ,以及载流子和电场的空间分布和随时间演变的情况。计算表明 Ga As材料的负微分迁移率引起的微分...
关键词：光导半导体开关 非线性工作模式 负微分迁移率 碰撞电离 模拟计算 GAAS 砷化镓 非线性特性 
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