SOI的自加热效应与SOI新结构的研究  

Study on self-heating effect and new structures of SOI material

作　　者：林青[1] 谢欣云[1] 朱鸣[1] 张苗[1] 林成鲁[1] 

机构地区：[1]中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海200050

出　　处：《功能材料与器件学报》2002年第2期205-210,共6页Journal of Functional Materials and Devices

基　　金：国家自然科学基金(No.90101012);国家重点基础研究项目(No.G20000365)

摘　　要：阐述了自加热效应产生的原因以及它对SOI电路的影响,并介绍了为克服自加热效应和满足某些特殊器件和电路的要求,国内外正在竞相探索研究的新型SOI结构,如SOIM、SilicononAlN、GPSOI、SiCOI、GeSiOI、SON、SSOI等。结合SOI新结构制备工作,报道了SOI的自加热效应及其新结构的研究进展。A brief introduction of the self -heating effect of SOI material and the t hermal analysis on it are presented.The concept of self-heating and the effects which cause,degradation of the drain current and formation of negative di fferential transconductance are described.Some new structures of SOI have been studied,such as SOIM,s ilicon -on -AlN,GPSOI,SiCOI,GeSiO I,SON,SSOI ,all of which can alleviate the effects ca used by self -heating.

关 键 词：自加热效应 沟道电流 跨导畸变 负微分迁移率 SOI 

分 类 号：TN305[电子电信—物理电子学]