沟道电流

作品数：9被引量：8H指数：1
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异质多晶SiGe栅应变Si NMOSFET物理模型研究被引量：1
《物理学报》2013年第21期452-459,共8页王斌 张鹤鸣 胡辉勇 张玉明 宋建军 周春宇 李妤晨 
模拟集成电路国家重点实验室基金(批准号:P140c090303110c0904);教育部博士点基金(批准号:JY0300122503);中央高校基本业务费(批准号:K5051225014;K5051225004)资助的课题~~
结合了"栅极工程"和"应变工程"二者的优点,异质多晶SiGe栅应变Si MOSFET,通过沿沟道方向使用不同功函数的多晶SiGe材料,在应变的基础上进一步提高了MOSFET的性能.本文结合其结构模型,以应变Si NMOSFET为例,建立了强反型时的准二维表面...
关键词：异质多晶SiGe栅 应变SI NMOSFET 表面势 沟道电流 
SiC新一代电力电子器件的进展(续)被引量：1
《半导体技术》2013年第3期161-167,共7页赵正平 
5 SiC JFET SiC JFET利用p-n结耗尽区来控制沟道电流,可全面开发SiC的高温性能,适合高温高功率开关。SiC JFET通常是常开的,关断需加负栅压,其具有本征安全的栅驱动控制。SiC JFET具有低开关损耗、高开关频率的特点。1999年,P.Friedrich...
关键词：4H-SIC 电力电子器件 JFET 高温性能 驱动控制 低开关损耗 沟道电流 P-N结 
沟道-衬底结对旁栅偏压条件下GaAs MESFET沟道电流迟滞行为的影响
《科学通报》2010年第20期2047-2050,共4页丁勇 严晓浪 
旁栅偏压条件下,GaAsMESFET沟道电流的迟滞行为与衬底深能级EL2和沟道-衬底结的特性密切相关.实验研究发现,外加旁栅偏压条件下,沟道电流的迟滞行为发生的根本原因是沟道-衬底结耗尽区展宽和收缩对深能级EL2的电子俘获和电子发射的响应...
关键词：GAAS MESFET 旁栅偏压 迟滞 沟道-衬底结 
场效应管使用原则
《电子质量》2007年第11期62-62,共1页
以N沟道为例，它是在P型硅衬底上制成两个高掺杂浓度的源扩散区N＋和漏扩散区N＋，再分别引出源极S和漏极D。源极与衬底在内部连通，二者总保持等电位。当漏接电源正极，源极接电源负极井使VGS=0时，沟道电流（即漏极电流）ID=0。随着VG...
关键词：使用原则 场效应管 少数载流子 掺杂浓度 漏极电流 沟道电流 硅衬底 N沟道 
旁栅偏压对GaAs MESFET沟道电流中低频振荡的调制
《科学通报》2005年第11期1145-1148,共4页丁勇 陆生礼 赵福川 
在研究旁栅偏压条件下MESFET输出特性时经常发现沟道电流的低频振荡现象.通过测试不同旁栅电压条件下的GaAsMESFET输出特性,研究了沟道电流的低频振荡现象与旁栅偏压的关系,发现旁栅偏压对沟道电流的低频振荡现象具有调制作用,无论旁栅...
关键词：MESFET 沟道电流 GaAs 低频振荡 栅偏压 振荡现象 输出特性 调制作用 通过测试 碰撞电离 低噪声 EL2 深能级 压条 衬底 IC 
H^+-ISFET传感器及其工作特性研究被引量：1
《医疗卫生装备》2004年第5期21-23,共3页张玉海 
在对H+-ISFET传感器基本结构和工作原理分析的基础上,采用PSPICE仿真的方法讨论了传感器在不同pH值、不同沟道尺寸、不同温度等情况下的电流电压关系。
关键词：H^+-ISFET传感器 沟道电流 敏感膜 工作原理 PSPICE仿真 
SOI的自加热效应与SOI新结构的研究被引量：3
《功能材料与器件学报》2002年第2期205-210,共6页林青 谢欣云 朱鸣 张苗 林成鲁 
国家自然科学基金(No.90101012);国家重点基础研究项目(No.G20000365)
阐述了自加热效应产生的原因以及它对SOI电路的影响,并介绍了为克服自加热效应和满足某些特殊器件和电路的要求,国内外正在竞相探索研究的新型SOI结构,如SOIM、SilicononAlN、GPSOI、SiCOI、GeSiOI、SON、SSOI等。结合SOI新结构制备工作...
关键词：自加热效应 沟道电流 跨导畸变 负微分迁移率 SOI 
GaAsMESFET旁栅迟滞现象与沟道电流数据采集时间的关系被引量：1
《Journal of Semiconductors》2001年第7期885-887,共3页丁勇 赵福川 毛友德 夏冠群 赵建龙 
采用平面选择注入隔离工艺制作 MESFET及旁栅电极 ,通过改变半导体特性测试仪的延迟时间参数 ,深入研究了不同沟道电流的数据采集时间对旁栅效应迟滞现象的影响 .发现当延迟时间超过 2 s时 ,迟滞现象基本消失 ,旁栅效应达到稳态 ,而且...
关键词：旁栅效应 沟道电流 迟滞现象 砷化镓 MESFET 场效应晶体管 数据采集 
旁栅电压下MESFET沟道电流的低频振荡被引量：1
《Journal of Semiconductors》2000年第12期1228-1230,共3页丁勇 赵福川 毛友德 夏冠群 赵建龙 
国家自然科学基金资助项目(69676003)
通过测试不同旁栅电压条件下的 MESFET沟道电流的低频振荡现象 ,发现旁栅偏压无论朝正向还是负向变化都存在一个阈值可消除此低频振荡 .并从理论上探讨了出现这种现象的原因 ,初步认为这与沟道 -衬底 (C- S)结的特性和高场下衬底深能级 EL2
关键词：低频振荡 沟道-衬底结 EL_(2)碰撞电离 
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