沟道-衬底结对旁栅偏压条件下GaAs MESFET沟道电流迟滞行为的影响  

作　　者：丁勇[1] 严晓浪[1] 

机构地区：[1]浙江大学超大规模集成电路设计研究所,杭州310027

出　　处：《科学通报》2010年第20期2047-2050,共4页Chinese Science Bulletin

摘　　要：旁栅偏压条件下,GaAsMESFET沟道电流的迟滞行为与衬底深能级EL2和沟道-衬底结的特性密切相关.实验研究发现,外加旁栅偏压条件下,沟道电流的迟滞行为发生的根本原因是沟道-衬底结耗尽区展宽和收缩对深能级EL2的电子俘获和电子发射的响应比较慢.当旁栅偏压稳态变化时,沟道电流的迟滞现象将消失,即存在一个迟滞行为消失的"准静态".这一发现和结论对于MMIC的设计将具有比较重要的指导意义和参考价值.

关 键 词：GAAS MESFET 旁栅偏压 迟滞 沟道-衬底结 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]