云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- EL2

EL2: 作品数：38被引量：26H指数：3; 导出分析报告; 相关领域：电子电信医药卫生更多>>; 相关作者：杨瑞霞李光平施卫李光平杨锡权更多>>; 相关机构：河北工业大学河北工学院中国科学院天津电子材料研究所更多>>; 相关期刊：《半导体杂志》《中国中西医结合外科杂志》《固体电子学研究与进展》《Semiconductor Photonics and Technology》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金河北省自然科学基金河北省科学技术研究与发展计划项目更多>>

TCL L32A71C型液晶电视三无故障裣修: 《家电维修》2022年第1期23-23,共1页刘祥平; 一台TCL L32A71C型液晶电视,上电后电源指示灯不亮,不开机。拆机检查,目测电源二合一板(板号为40-EL2819-PWCIXG)上无明显异常,测保险丝F1(3.15A/250V)正常,主滤波电容CE1/CE2(47μF/450V×2)充放电也正常。转向检测开关变压器次级12V...; 关键词：整流二极管液晶电视电源指示灯滤波电容 TCL EL2 变压器次级检测开关

TCL L32A71C型液晶电视光栅时有时无故障检修: 《家电维修》2022年第1期I0019-I0019,共1页刘祥平; 一台TCL L32A71C型液晶电视,开机后光栅时有时无,伴音正常。据客户说,电视机出现故障现象的时间无规律,有时长有时短。拆开机壳,目测电源二合一板(板号为40-EL2819-PWC1XG)上无明显异常。; 关键词：液晶电视 TCL EL2 光栅二合一故障检修机壳故障现象

VGF法半绝缘GaAs单晶EL2浓度优化研究: 《人工晶体学报》2020年第3期412-416,共5页兰天平边义午周春锋宋禹; 国防科工局进口替代专项。; 为了获得高电阻率及迁移率的半绝缘GaAs单晶材料,采用经高压及水平合成不同工艺制得的GaAs多晶料,进行垂直梯度凝固(VGF)法半绝缘GaAs单晶生长,测试和分析相应单晶片的EL2浓度、C浓度及电阻率、迁移率等性能参数,对比和分析了GaAs化学...; 关键词：砷化镓垂直梯度凝固法半绝缘晶体生长 EL2

EL2/23型电力机车轮缘异常磨耗分析被引量：1: 《江西煤炭科技》2011年第4期84-86,共3页李旻; 介绍了目前EL2/23型直流工业电力机车的使用情况,分析EL2/23型电力机车轮缘异常磨耗的现象及危害,探讨引起轮缘磨耗异常的主要因素,并根据笔者多年从事电力机车的检修经验,针对性地提出消除轮缘异常磨耗的工艺方法。; 关键词：电力机车转向架车轮踏面轮缘磨耗

拉西瓦水电站左岸坝基EL2 250m灌浆洞帷幕灌浆试验: 《东北水利水电》2011年第1期45-48,66,共5页王晓燕; 文章通过试验区工程地质情况分析,介绍了试验目的、施工工艺、施工方法、技术参数的控制,通过透水率、水泥注入量、灌浆压力、浆液水灰比、、灌浆结束条件、灌浆效果的分析,论证了试验参数的合理性和可行性,认为试验达到了目的,其施工...; 关键词：帷幕灌浆试验坝基拉西瓦水电站

CK5／6、p63、34βEl2三种抗体标记前列腺基底细胞的应用: 《中国保健营养（临床医学学刊）》2010年第9期119-120,共2页孙倩赵军夏敦茂; 近年来，CK5／6、p63、34βE12等作为前列腺基底细胞标记物，在前列腺增生与前列腺上皮内瘤变及前列腺癌的鉴别诊断中发挥了重要作用。因此笔者采用多种抗体共同应用，用免疫组化法观察上述病变特点，探讨前列腺基底细胞的标记物及其在...; 关键词：前列腺癌 CK5/6 基底细胞抗体标记 P63 应用前列腺上皮内瘤变细胞标记物

大直径LEC Si-GaAs中深施主缺陷的红外光谱分析: 《现代仪器》2009年第5期41-42,50,共3页孙卫忠王娜王丽华郝秋艳刘彩池; 河北省自然科学基金(08B013);河北省科学技术研究与发展指导计划(07215138); 本文利用红外光谱分析技术系统分析大直径LEC (Light Energy Converter光能转换器)Si-GaAs中深施主缺陷EL2的浓度分布。实验结果表明,大直径LEC Si-GaAs深施主缺陷EL2浓度沿直径方向成w型分布,中心区域比较高,靠近中间区域最低,边缘区...; 关键词：半绝缘砷化镓 EL2 红外光谱分析

P504S、p63、CK34 β El2、PSA在前列腺癌中的表达及其临床意义被引量：1: 《中国中西医结合外科杂志》2008年第4期430-432,共3页秦永斌冯琼龚志强彭乃雄; 关键词：前列腺癌 P504S P63 CK34 β EL2 PSA 免疫组织化学

Photovoltaic Response Characteristics of GaAs Photoconductive Switches Under High Gain Mode被引量：1: 《Semiconductor Photonics and Technology》2007年第4期280-282,293,共4页DAI Hui-ying SHI Wei; National Natural Science Foundationof China(50477011); Given is the experiment results in which the laser pulses of 1 046 nm and 532 nm are used to trigger the semi-insulation GaAs photoconductive semiconductor switch(PCSS) with an electrode distance of 4 mm. And made is ...; 关键词：photoconductive switch EL2 energy level electric charge domain photovoltaic response characteristic

半绝缘GaAs光导开关不完全击穿前后暗态电阻降低原因新探: 《大气与环境光学学报》2006年第6期222-225,共4页李希阳戴慧莹施卫候军燕杨丽娜; 为了进一步理解光导开关非线性工作模式机理,通过实验以及理论研究方法,研究了半绝缘GaAs光导开关工作于非线性模式下在不完全击穿前后暗态阻值的变化,认为击穿阶段和锁定阶段改变了材料内部位错区域As原子的形态以及局部电子陷阱EL2的...; 关键词：半绝缘GAAS 暗态电阻 EL2 电子陷阱

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