半绝缘GaAs光导开关不完全击穿前后暗态电阻降低原因新探  

Dark Resistivity of GaAs Photoconductive-switch Before and After Break Down

作　　者：李希阳[1] 戴慧莹[1] 施卫[1] 候军燕[1] 杨丽娜[1] 

机构地区：[1]空军工程大学,陕西西安710073

出　　处：《大气与环境光学学报》2006年第6期222-225,共4页Journal of Atmospheric and Environmental Optics

摘　　要：为了进一步理解光导开关非线性工作模式机理,通过实验以及理论研究方法,研究了半绝缘GaAs光导开关工作于非线性模式下在不完全击穿前后暗态阻值的变化,认为击穿阶段和锁定阶段改变了材料内部位错区域As原子的形态以及局部电子陷阱EL2的浓度,导致了击穿后暗态阻值的减小。The dark resistivity of semi-insulating GaAs photoconductive-switch which work in non-linear mode before and after break down is studied.We consider that the stages of broke down and lock-on change electronics trap density(especial EL2) and the form of As atom partially,which cause the reduce of dark resistivity after break down.

关 键 词：半绝缘GAAS 暗态电阻 EL2 电子陷阱 

分 类 号：TN252[电子电信—物理电子学]