半绝缘GAAS

作品数：49被引量：43H指数：3
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VGF半绝缘GaAs单晶片的碱腐蚀特性研究
《电子工业专用设备》2024年第1期48-50,共3页于妍 吕菲 李纪伟 康洪亮 
研究了半绝缘GaAs的碱性腐蚀液的温度、配比对半绝缘GaAs晶片的几何参数、粗糙度、腐蚀速率等的影响,根据碱性腐蚀原理;解释了腐蚀液温度对晶片翘曲度的改善原因,以及腐蚀速率随温度和配比的变化规律;实验结果表明在碱性腐蚀液中晶片的...
关键词：垂直梯度凝固法(VGF) 半绝缘 砷化镓(GaAs) 碱性腐蚀 
高电阻率均匀性4英寸半绝缘GaAs单晶生长技术被引量：1
《半导体技术》2020年第4期287-292,303,共7页兰天平 周春锋 边义午 宋禹 马麟丰 
4英寸(1英寸=2.54 cm)半绝缘GaAs单晶材料是目前制备微波毫米波单片集成电路等的主流材料,随着5G技术应用的普及,该材料的应用前景将更加广阔。但是由于采用常规垂直梯度凝固(VGF)法晶体生长工艺所得的单晶尾部径向电阻率均匀性较差,严...
关键词：GAAS 垂直梯度凝固(VGF) 垂直布里奇曼(VB) 晶体生长 电阻率 均匀性 
优化半绝缘GaAs双抛片精抛工艺的可行性探究
《天津科技》2020年第2期28-30,38,共4页张雁敏 
半绝缘砷化镓(SI-GaAs)的抛光片作为微波大功率器件、低噪声器件等的重要衬底材料而被广泛应用。为提高产品的表面质量、良品率以及产量,同时释放部分生产力,降低生产成本,探究通过改良半绝缘砷化镓(SIGaAs)双抛片的精抛工艺,将现有的...
关键词：砷化镓 半绝缘砷化镓 化学机械抛光 TTV 精抛 
一种新型的大功率半绝缘GaAs光导开关试验研究
《磁性元件与电源》2020年第1期152-154,共3页栾崇彪 冯元伟 李玺钦 李洪涛 黄宇鹏 
本文设计了一种低欧姆接触电阻率的半绝缘GaAs光导开关,开关由0.6mm厚的半绝缘GaAs材料制作,电极间隙为lOnun,开关电极面制作高反膜,背面制作增透膜,使用波长1064nm、能量5.4mJ、触发激光脉宽25ns的激光脉冲触发光导开关,在直流电压6kV...
关键词：GAAS 光导开关 导通电阻 
半绝缘GaAs的双调制反射光谱研究被引量：1
《物理学报》2017年第14期385-393,共9页刘雪璐 吴江滨 罗向东 谭平恒 
国家自然科学基金(批准号:61474067;11474277;11434010);国家重点研发计划(批准号:2016YFA0301204)资助的课题~~
半导体材料电子能带结构的确定对研究其物理性质及其在半导体器件方面的应用有重要意义.光调制反射光谱是一种无损和高灵敏度的表征半导体材料电子能带结构的光学手段.光调制反射光谱中激光调制导致的材料介电函数的变化在联合态密度奇...
关键词：双调制反射光谱 半绝缘GAAS 能带结构 带隙以上临界点 
半绝缘GaAs的欧姆接触电极材料Ag/Co掺杂的非晶碳膜制备与检测
《大学物理》2017年第6期78-81,共4页杜维嘉 翟章印 吉帅 藏婷玉 
江苏省自然科学基金(BK20140450);江苏省高等学校大学生创新创业训练计划项目(201510323016z)资助
稳定的欧姆接触对半导体器件的正常工作起到至关重要的作用.目前市场上主要采用金/金锗镍合金作为n型GaAs的电极材料,工艺复杂,成本高昂.本文研究了一种新型的、廉价的适用于半绝缘GaAs的欧姆接触电极材料Ag/Co掺杂的非晶碳膜及其制备过...
关键词：半绝缘砷化镓 欧姆接触 光电导 
半绝缘GaAs半导体开关的传输特性研究
《渭南师范学院学报》2016年第12期31-35,共5页薛红 
陕西省自然科学基金项目:强场作用Ga As载流子输运机理及THz辐射技术研究(2013JM8013);陕西省军民融合研究规划项目:高功率THz光电导偶极天线的设计(16JMR06);渭南师范学院科研基金项目:面向渭南环境安全监测的强THz源机理研究(15YKS007);渭南师范学院特色学科建设项目:光电检测技术与秦东工业(14TSXK06)
通过实验及理论分析,对半绝缘GaAs(SI-GaAs)光电导开关的光电性能和传输特性进行了研究。在不同的偏置电压条件下,开关将输出两种不同模式的电脉冲并存在振荡效应,认为:导致输出电脉冲振荡效应的主要原因是光电导振荡现象;当外界光电条...
关键词：光电导开关 电脉冲 振荡效应 功率 
降低半绝缘GaAs单晶片亮点缺陷的热处理工艺研究
《天津科技》2016年第2期19-21,共3页杨艺 周春锋 兰天平 
GaAs单晶材料已成为一种重要的微电子和光电子基础材料,应用广泛。为了降低半绝缘砷化镓单晶片表面的亮点缺陷,对砷化镓晶片在不同温度和不同砷蒸汽压条件下进行了热处理,研究了热处理对砷化镓中砷的存在形式转换的影响及其机理。
关键词：GaAs单晶片 热处理 亮点缺陷 EL_2 
重频光脉冲对半绝缘GaAs光导开关损伤分析被引量：2
《半导体技术》2012年第1期74-77,共4页向珊 戴慧莹 施卫 
通过波长为1 064 nm的重频激光光脉冲触发半绝缘GaAs光导开关损伤测试实验,观察脉冲激光触发过程中光电导开关电阻率的变化,对比低重频(<1 kHz)和高重频的激光脉冲对GaAs光电导开关芯片的损伤阈值,分析了不同重复频率的激光脉冲引起光...
关键词：半绝缘砷化镓 重复频率 损伤阈值 电阻率 微损伤累积 
50kV半绝缘GaAs光导开关被引量：20
《强激光与粒子束》2009年第5期783-786,共4页袁建强 刘宏伟 刘金锋 李洪涛 谢卫平 王新新 江伟华 
国家自然科学基金项目(50837004);中国工程物理研究院科学技术发展基金项目(2008B0402037)
设计了横向结构的半绝缘GaAs光导开关,开关由600μm厚的半绝缘GaAs晶片制成,电极间隙为20 mm。在不同的直流偏置电压下,使用波长为1064 nm、能量为9.9 mJ的激光脉冲触发使开关导通,开关置于0.2 MPa的SF6气体环境中。在施加直流50 kV电...
关键词：砷化镓 光导开关 大功率 非线性模式 
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