一种新型的大功率半绝缘GaAs光导开关试验研究  

作　　者：栾崇彪[1] 冯元伟[1] 李玺钦[1] 李洪涛[1] 黄宇鹏[1] 

机构地区：[1]中国工程物理研究院流体物理研究所脉冲功率科学与技术重点实验室,绵阳621900

出　　处：《磁性元件与电源》2020年第1期152-154,共3页Components and Power

摘　　要：本文设计了一种低欧姆接触电阻率的半绝缘GaAs光导开关,开关由0.6mm厚的半绝缘GaAs材料制作,电极间隙为lOnun,开关电极面制作高反膜,背面制作增透膜,使用波长1064nm、能量5.4mJ、触发激光脉宽25ns的激光脉冲触发光导开关,在直流电压6kV时,通过计算得到光导开关的导通电阻仅为0.61Ω.为了增大单只光导开关导通电流,设计了一种叉指状电极结构的光导开关,指状电极间隙2mm,在工作电压2kV时,导通电阻为0.35 Ω。

关 键 词：GAAS 光导开关 导通电阻 

分 类 号：TN3[电子电信—物理电子学]