H^+-ISFET传感器及其工作特性研究  

H^+-ISFET sensor and its working characteristic study

作　　者：张玉海[1] 

机构地区：[1]北京军医学院医工系,北京市100071

出　　处：《医疗卫生装备》2004年第5期21-23,共3页Chinese Medical Equipment Journal

摘　　要：在对H+-ISFET传感器基本结构和工作原理分析的基础上,采用PSPICE仿真的方法讨论了传感器在不同pH值、不同沟道尺寸、不同温度等情况下的电流电压关系。Based on the analyses of the basic structure and operational principle of H+-ISFET sensor, the relationship between current and voltage of the sensor is discussed with PSPICE simulation, and different pH values, channel sizes, temperatures adopted.

关 键 词：H^+-ISFET传感器 沟道电流 敏感膜 工作原理 PSPICE仿真 

分 类 号：TP212[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]