旁栅效应

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Effects of channel-substrate interface on hysteresis of sidegating effect in GaAs MESFETs
《Chinese Science Bulletin》2010年第34期3950-3953,共4页DING Yong YAN XiaoLang 
With sidegating bias,hysteresis of sidegating effect is usually observed in drain current.The experimental results presented in this letter demonstrate that the hysteresis with time-based characteristics is closely re...
关键词：旁栅效应 MESFET GAAS 界面效应 迟滞 通道 俘获反应 交界地区 
GaAs MESFET旁栅迟滞特性的机理分析被引量：1
《合肥工业大学学报（自然科学版）》2009年第1期124-127,共4页毛剑波 易茂祥 丁勇 
探讨了GaAs MESFET旁栅效应迟滞特性的产生机理,通过详细地分析论证,认为GaAs MESFET旁栅效应迟滞特性与器件的沟道-衬底界面区的电子特性以及半绝缘GaAs衬底具有高密度的深能级电子陷阱有关。通过分析得出的结论可以很好地说明实验结果...
关键词：GAAS MESFET 旁栅效应 迟滞特性 沟道衬底结 电子陷阱 
选择离子注入GaAs MESFET的旁栅特性研究
《应用科学学报》2006年第6期577-581,共5页陆生礼 丁勇 时龙兴 
主要研究了平面选择离子注入隔离工艺条件下的GaAs MESFET的旁栅效应,分别设计了不同的测试方法来分析旁栅效应的多种特性,并从理论上对测试结果进行了解释.认为这些特性都与沟道-衬底(C-S)结的特性和高场下衬底深能级EL2的碰撞电离有关.
关键词：旁栅效应 特性 沟道-衬底结 EL2碰撞电离 
旁栅效应对GaAs MESFET数字IC设计的影响
《Journal of Semiconductors》2005年第4期821-825,共5页张有涛 夏冠群 李拂晓 高建峰 杨乃彬 
研究了不同旁栅电极结构、不同旁栅电极取向对旁栅阈值特性的影响,并研究了旁栅阈值的光敏特性.结果表明:半绝缘衬底中的电子和空穴陷阱是旁栅效应及其光敏特性的主要原因,Ti/Au/Ti布线金属做旁栅电极具有最好的旁栅阈值特性,Au/Ge/Ni/A...
关键词：旁栅效应 GAAS MESFET 阈值电压 缺陷陷阱 集成度 
GaAsMESFET旁栅迟滞现象与沟道电流数据采集时间的关系被引量：1
《Journal of Semiconductors》2001年第7期885-887,共3页丁勇 赵福川 毛友德 夏冠群 赵建龙 
采用平面选择注入隔离工艺制作 MESFET及旁栅电极 ,通过改变半导体特性测试仪的延迟时间参数 ,深入研究了不同沟道电流的数据采集时间对旁栅效应迟滞现象的影响 .发现当延迟时间超过 2 s时 ,迟滞现象基本消失 ,旁栅效应达到稳态 ,而且...
关键词：旁栅效应 沟道电流 迟滞现象 砷化镓 MESFET 场效应晶体管 数据采集 
旁栅阈值电压与旁栅距的关系研究
《固体电子学研究与进展》2001年第3期326-329,338,共5页丁勇 毛友德 夏冠群 赵建龙 
国家自然科学基金资助项目 (696760 0 3 )
旁栅效应是制约 Ga As器件及电路性能的有害寄生效应。文中理论推导并实验研究了旁栅阈值电压 Vth SG与旁栅距 LSG的关系 ,发现 Vth SG与 LSG成正比关系。这一结论对数字电路设计具有重要指导意义 ,在设计电路版图时可根据电路的逻辑电...
关键词：旁栅阈值电压 旁栅效应 旁栅距 碰撞电离 MESFET 
GaAs MESFET旁栅效应与旁栅距的关系研究
《半导体情报》2001年第1期58-61,共4页丁干 崔丽娟 丁勇 毛友德 赵福川 夏冠群 
旁栅效应是影响 Ga As器件及电路性能的有害寄生效应。本文研究了旁栅阈值电压 Vth SG与旁栅距 LSG的关系 ,发现 Vth SG的大小与 LSG成正比关系 ,并理论探讨了产生这一现象的机制 ,从而验证了旁栅阈值电压与旁栅距关系的有关理论。
关键词：旁栅效应 旁栅距 砷化镓 MESFET 声效率晶体管 
GaAs MESFET的漏源电压对旁栅阈值电压的影响
《半导体技术》2000年第4期28-30,共3页丁勇 赵福川 毛友德 夏冠群 赵建龙 
国家自然科学基金!69676003
研究了改变MESFET漏源电压大小和交换源漏电极对旁栅阈值电压的影响，并从理论上解释了与高场下衬底深能级EL2的碰撞电离关系。
关键词：旁栅效应 漏源电压 砷化镓 MESFET 
GaAs衬底深能级EL_2与电路旁栅效应的光敏特征和迟滞现象
《微电子技术》2000年第2期28-30,共3页宁珺 丁勇 毛友德 夏冠群 赵福川 赵建龙 
旁栅效应是制约GaAs集成电路性能和集成度的有害寄生效应。本文研究了MESFET电路的旁栅效应的光敏特性和迟滞现象 ,认为这两个现象可能与衬底深能级 (如EL2 )有密切的关系 ,通过减小衬底杂质补偿度有可能减轻旁栅效应影响。
关键词：旁栅效应 光敏 迟滞现象 MESFET 深能级 砷化镓 
GaAs衬底深能级EL2与电路旁栅效应的光敏特性和迟滞现象
《集成电路通讯》2000年第1期15-17,共3页宁珺 丁勇 夏冠群 赵福川 方伟 蒋新喜 毛友德 赵建龙 
关键词：旁栅效应 光敏特性 衬底 迟滞 深能级 砷化镓 
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