GaAs衬底深能级EL_2与电路旁栅效应的光敏特征和迟滞现象  

作　　者：宁珺[1] 丁勇[1] 毛友德[1] 夏冠群[2] 赵福川[2] 赵建龙[2] 

机构地区：[1]合肥工业大学应用物理系半导体器件与微电子专业,合肥230009 [2]中国科学院上海冶金所,上海200050

出　　处：《微电子技术》2000年第2期28-30,共3页Microelectronic Technology

摘　　要：旁栅效应是制约GaAs集成电路性能和集成度的有害寄生效应。本文研究了MESFET电路的旁栅效应的光敏特性和迟滞现象 ,认为这两个现象可能与衬底深能级 (如EL2 )有密切的关系 ,通过减小衬底杂质补偿度有可能减轻旁栅效应影响。

关 键 词：旁栅效应 光敏 迟滞现象 MESFET 深能级 砷化镓 

分 类 号：TN386.1[电子电信—物理电子学]