朱鸣

作品数：3被引量：5H指数：2
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供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文主题：浮体效应SOI器件固体电子学自加热效应SOI更多>>
发文领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
发文期刊：《核技术》《功能材料与器件学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划中国科学院知识创新工程更多>>
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N^+、O^+共注入形成SOI绝缘埋层的计算机模拟
《核技术》2003年第3期212-216,共5页林青 刘相华 朱鸣 谢欣云 林成鲁 
国家重点基础研究项目(No.G20000365);国家自然科学基金(No.90101012)资助
将不同能量和注量的N+和O+离子依次注入于<100>硅片并高温退火,形成具有SiO2/SiOxNy/Si3N4埋层的SOI结构。本文使用在TRIM的基础上发展起来的IRIS模拟程序,并对IRIS模型进行了改进,对N+、O+离子共注入形成的SIMON结构进行了计算机模拟,...
关键词：氮离子 氧离子 离子注入 硅片 SOI绝缘埋层 计算机模拟 
SOI器件中浮体效应的研究进展被引量：2
《功能材料与器件学报》2002年第3期297-302,共6页朱鸣 林成鲁 邢昆山 
SOI(SiliconOnInsulator)器件中氧化埋层的隔离作用带来的浮体效应,将显著地影响器件的性能。本文阐述了浮体效应产生的原因以及它对SOI器件和电路的影响,并从体接触和工艺角度两个方面介绍了目前国际上比较优异的抑制浮体效应的几种典...
关键词：SOI器件 浮体效应 研究进展 翘曲效应 寄生双极晶体管效应 
SOI的自加热效应与SOI新结构的研究被引量：3
《功能材料与器件学报》2002年第2期205-210,共6页林青 谢欣云 朱鸣 张苗 林成鲁 
国家自然科学基金(No.90101012);国家重点基础研究项目(No.G20000365)
阐述了自加热效应产生的原因以及它对SOI电路的影响,并介绍了为克服自加热效应和满足某些特殊器件和电路的要求,国内外正在竞相探索研究的新型SOI结构,如SOIM、SilicononAlN、GPSOI、SiCOI、GeSiOI、SON、SSOI等。结合SOI新结构制备工作...
关键词：自加热效应 沟道电流 跨导畸变 负微分迁移率 SOI 
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