浮体效应

作品数：32被引量：23H指数：3
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薄硅膜SOI N型LDMOS浮体效应优化研究
《中国集成电路》2024年第6期72-74,81,共4页纪旭明 邵红 李金航 顾祥 张庆东 谢儒彬 
为避免PD SOI浮体效应对高压N型LDMOS器件的击穿电压的影响,本文从SOI LDMOS器件的结构和工艺出发,分析了N型LDMOS衬底电荷积累的影响,研究体引出优化方法,通过流片验证了方案的可行,规避了浮体效应引起的击穿电压的降低及漏电增加,为SO...
关键词：PD SOI LDMOS 浮体效应 击穿电压 功率集成 
0.13μm部分耗尽薄膜SOI MOSFETs击穿特性研究
《固体电子学研究与进展》2016年第6期489-493,共5页刘张李 
以0.13μm部分耗尽薄膜SOI器件为研究对象,简要分析了体接触器件和浮体器件基本特性,指出两类器件击穿特性的差异性,并重点讨论了栅长、栅端偏压和衬底偏压等对器件击穿特性的影响,阐明了击穿特性的失效机理,为器件优化和电路设计提供...
关键词：绝缘体上硅 击穿 栅诱导漏极泄漏电流 体接触 浮体效应 
PSP-SOI模型在RF SOI技术中的应用
《集成电路应用》2016年第12期41-45,共5页张昊 范象泉 
SOI工艺因其独特的器件特性而被物联网时代所追捧。相对精准的器件模型显得愈加重要。这是在SOI器件特性和模型理论的基础上,采用PSP-SOI(PD)模型提取了一套完整的射频模型,并对模型进行了直流、交流、高频小信号以及大信号非线性等方...
关键词：PSP-SOI 部分耗尽 浮体效应 大信号 谐波验证 
30th International Workshop on Water Waves and Floating Bodies
《Journal of Marine Science and Application》2014年第4期448-448,共1页
About the Workshop... The International Workshop on Water Waves and Floating Bodies is an annual meeting of mathematicians and engineers with a particular interest in water waves and their effects on floating and subm...
关键词：国际研讨会 浮体效应 水波 研究人员 海洋结构 科学工作 网络地址 法律程序 
0.5μm SOI CMOS工艺开发与器件建模
《微电子学》2011年第4期582-586,共5页张书霖 陈磊 严琼 张伟 刘盛富 苏杰 赖宗声 石艳玲 徐世美 杨飞 
上海市科委项目(08706200802;08700741300);上海重点学科建设资助项目(B4l1)
对0.5μmSOI CMOS工艺进行了开发,得到一套完整良好的工艺流程参数。根据流片测试结果,进行SOI CMOS器件的建模;利用BSI MproPlus软件中的BSI MSOI MOS模型,根据MOS管宽长比进行器件分类和建模,得到模型参数。对于部分耗尽SOI器件的固...
关键词：绝缘体上硅 CMOS 器件建模 浮体效应 
亚微米PD CMOS/SOI工艺及H栅单边体引出研究
《微电子学》2010年第3期448-453,共6页李宁 刘存生 孙丽玲 薛智民 
研究开发了0.4μm PD CMOS/SOI工艺,试制出采用H栅双边体引出的专用电路。对应用中如何克服PD SOI MOSFET器件的浮体效应进行了研究;探讨在抑制浮体效应的同时减少对芯片面积影响的途径,对H栅双边体引出改为单边体引出进行了实验研究。...
关键词：亚微米工艺 H栅 PDCMOS/SOI 浮体效应 单边体引出 
SOI技术的发展思路被引量：5
《电子器件》2010年第2期193-196,共4页陈昕 
对SOI技术的发展情况进行了概述。在此基础上,提出了新形势下SOI技术的发展思路。为了充分发挥SOI技术的优势,主要的思路是对影响器件稳定性的因素采取抑制方法、通过新结构和新材料的研究来应对硅基集成电路的固有弱点、通过关键技术...
关键词：SOI(siliconon Insulator) 浮体效应 自加热效应 阈值漂移 辐射加固 
PD SOI MOSFET低频噪声研究进展被引量：1
《微电子学》2008年第6期817-822,共6页范雪梅 毕津顺 刘梦新 杜寰 
国家自然科学基金资助项目(60576051)
随着器件尺寸的不断减小,PD SOI器件的低频噪声特性对电路稳定性的影响越来越大。研究了PD SOI器件低频过冲噪声现象,分析了此类器件在发生浮体效应、栅致浮体效应以及前背栅耦合效应时低频过冲噪声的产生机理及影响因素。最后指出,可...
关键词：PD SOI MOSFET 低频噪声 浮体效应 前背栅耦合效应 
新型部分耗尽SOI器件体接触结构
《半导体技术》2008年第11期968-971,共4页宋文斌 毕津顺 韩郑生 
提出了一种部分耗尽SOI MOSFET体接触结构,该方法利用局部SIMOX技术在晶体管的源、漏下方形成薄氧化层,采用源漏浅结扩散,形成体接触的侧面引出,适当加大了Si膜厚度来减小体引出电阻。利用ISE-TCAD三维器件模拟结果表明,该结构具有较小...
关键词：绝缘体上硅 浮体效应 体接触 寄生电容 体电阻 
PDSOI体源连接环形栅nMOS特性研究
《固体电子学研究与进展》2008年第1期12-15,共4页毕津顺 海潮和 
提出了一种基于部分耗尽绝缘体上硅的体源连接环形栅nMOS器件,并讨论了相应的工艺技术和工作机理。采用体源连接环形栅器件结构,有效地抑制了浮体环形栅器件中存在的浮体效应和寄生双极晶体管效应,使器件性能得到很大的提高。消除了浮...
关键词：部分耗尽绝缘体上硅 环形栅 浮体效应 体源连接 
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