刘存生

作品数：5被引量：2H指数：1
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供职机构：西安微电子技术研究所更多>>
发文主题：氧沟槽抗辐射抗辐射加固场效应晶体管更多>>
发文领域：电子电信自动化与计算机技术文化科学理学更多>>
发文期刊：《微电子学与计算机》《集成电路与嵌入式系统》《微电子学》《吉林大学学报（工学版）》更多>>
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功率MOSFET抗单粒子加固技术研究被引量：1
《集成电路与嵌入式系统》2024年第3期19-22,共4页陈宝忠 宋坤 王英民 刘存生 王小荷 赵辉 辛维平 杨丽侠 邢鸿雁 王晨杰 
针对功率MOSFET的单粒子效应(SEE)开展了工艺加固技术研究,在单粒子烧毁(SEB)加固方面采用优化的体区掺杂工艺,有效降低了寄生双极晶体管(BJT)增益,抑制了单粒子辐照下的电流正反馈机制。在单粒子栅穿(SEGR)加固方面,通过形成缓变掺杂...
关键词：功率MOSFET 单粒子效应 抗辐射加固 单粒子烧毁 单粒子栅穿 
0.35μm CMOS多晶硅栅刻蚀工艺研究
《微电子学与计算机》2013年第4期156-159,共4页公衍刚 梁永杰 刘存生 孙有民 
本文主要研究0.35μm CMOS多晶硅栅刻蚀工艺中"硅LOSS"及"T腰"问题的形成机理.在不改变产品工艺流程的前提下,对多晶硅栅刻蚀工艺进行优化,提出"两步ME法"优化了刻蚀形貌,改善了硅LOSS、T腰的问题.满足0.35μm CMOS多晶形貌及工艺要求,...
关键词：多晶刻蚀 0 35μm CMOS 硅LOSS T腰 ME 
深亚微米部分耗尽型SOI MOSFET的建模及特征提取方法被引量：1
《吉林大学学报（工学版）》2011年第3期782-786,共5页唐威 吴龙胜 刘存生 刘佑宝 
'十一五'国防预研项目
基于BSIMSOI模型研究了深亚微米级部分耗尽型绝缘体上硅金属氧化物半导体场效应晶体管(PD SOI MOSFET)器件的自加热效应、体接触效应及浮体效应,并提出了PD SOI MOSFET的建模方法及相应的模型参数提取方法。根据上述方法对西安微电子技...
关键词：半导体技术 器件建模 BSIMSOI 部分耗尽型绝缘体上硅 参数提取 
亚微米PD CMOS/SOI工艺及H栅单边体引出研究
《微电子学》2010年第3期448-453,共6页李宁 刘存生 孙丽玲 薛智民 
研究开发了0.4μm PD CMOS/SOI工艺,试制出采用H栅双边体引出的专用电路。对应用中如何克服PD SOI MOSFET器件的浮体效应进行了研究;探讨在抑制浮体效应的同时减少对芯片面积影响的途径,对H栅双边体引出改为单边体引出进行了实验研究。...
关键词：亚微米工艺 H栅 PDCMOS/SOI 浮体效应 单边体引出 
薄栅氮化工艺技术研究
《微电子学与计算机》2003年第B12期71-73,共3页薛东风 刘存生 李齐 
介绍一种薄栅氮化的工艺方法，可用于0．8-1．0μm级别的MOS集成电路及抗辐射MOS集成电路的工艺生产中。
关键词：薄栅氮化 MOS集成电路 抗辐射MOS集成电路 栅氧化 栅氧工艺 MOS器件 
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